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漏场板提升增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT击穿电压的研究
1
作者
周世刚
于永强
+2 位作者
夏元治
钱君涵
吴春艳
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025年第5期622-627,共6页
p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT存在背势垒,因此可显著降低GaN缓冲层泄漏电流,提升器件击穿电压,但会面临漏极下方电场强度峰值集中的问题,导致击穿电压偏离。文章通过Silvaco ATLAS仿真,探讨漏场板结构和漏场板下钝化层厚度对p-...
p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT存在背势垒,因此可显著降低GaN缓冲层泄漏电流,提升器件击穿电压,但会面临漏极下方电场强度峰值集中的问题,导致击穿电压偏离。文章通过Silvaco ATLAS仿真,探讨漏场板结构和漏场板下钝化层厚度对p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件击穿电压的调制,优化漏极下方电场强度峰值分布。结果表明:漏场板的引入可显著提升器件的击穿电压,漏场板厚度在0.10~1.10μm范围时,器件的击穿电压随着漏场板厚度增大而增大;随着漏场板下方钝化层厚度的增大,漏场板边缘下方的沟道电场强度峰值减小,漏极下方的沟道电场强度峰值增大,当漏场板下方钝化层厚度增厚至0.25μm时,沟道电场强度峰值最小,器件的击穿电压提升至1370 V,增幅达53.6%。研究发现,击穿电压的提升主要是由于漏场板的电场调制效应降低了电场强度峰值。
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关键词
p-gan
帽层增强型
algan/
gan
/algan
hemt
漏场板
钝化层
击穿电压
电场强度
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职称材料
题名
漏场板提升增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT击穿电压的研究
1
作者
周世刚
于永强
夏元治
钱君涵
吴春艳
机构
合肥工业大学微电子学院
出处
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025年第5期622-627,共6页
基金
安徽省自然科学基金资助项目(2208085MF177)。
文摘
p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT存在背势垒,因此可显著降低GaN缓冲层泄漏电流,提升器件击穿电压,但会面临漏极下方电场强度峰值集中的问题,导致击穿电压偏离。文章通过Silvaco ATLAS仿真,探讨漏场板结构和漏场板下钝化层厚度对p-GaN帽层增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件击穿电压的调制,优化漏极下方电场强度峰值分布。结果表明:漏场板的引入可显著提升器件的击穿电压,漏场板厚度在0.10~1.10μm范围时,器件的击穿电压随着漏场板厚度增大而增大;随着漏场板下方钝化层厚度的增大,漏场板边缘下方的沟道电场强度峰值减小,漏极下方的沟道电场强度峰值增大,当漏场板下方钝化层厚度增厚至0.25μm时,沟道电场强度峰值最小,器件的击穿电压提升至1370 V,增幅达53.6%。研究发现,击穿电压的提升主要是由于漏场板的电场调制效应降低了电场强度峰值。
关键词
p-gan
帽层增强型
algan/
gan
/algan
hemt
漏场板
钝化层
击穿电压
电场强度
Keywords
p-gan cap layer enhancement-mode algan/gan/algan hemt
drain field plate
passivation
layer
breakdown voltage
electric field intensity
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
漏场板提升增强型AlGaN/GaN/AlGaN HEMT击穿电压的研究
周世刚
于永强
夏元治
钱君涵
吴春艳
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
北大核心
2025
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