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1
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
3
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2
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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3
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金属——氧化物——半导体场效应晶体管（MOSFET） |
吴腾奇
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《广东电子》
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1994 |
0 |
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4
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P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术 |
王思源
孙静
陆妩
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《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
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2021 |
0 |
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5
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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6
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硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较 |
朱兆旻
张存
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2014 |
1
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7
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安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET |
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《电子与电脑》
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2009 |
0 |
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8
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大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制 |
王卫
夏连胜
谌怡
刘毅
石金水
邓建军
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《太赫兹科学与电子信息学报》
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2013 |
4
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9
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由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元 |
陈乃金
郭维廉
陈燕
王伟
张世林
毛陆虹
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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10
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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 |
刁华彬
杨凯
赵超
罗军
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《微纳电子技术》
北大核心
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2019 |
3
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11
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基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究 |
高歌
殷树娟
于肇贤
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《北京信息科技大学学报（自然科学版）》
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2019 |
1
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12
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深结短沟道MOS晶体管准二维阈值电压模型 |
周少阳
柯导明
夏丹
王保童
申静
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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13
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大功率半导体技术现状及其进展 |
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
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《机车电传动》
北大核心
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2021 |
14
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14
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考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型 |
徐静平
张兰君
张雪锋
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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15
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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16
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安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求 |
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《电子设计工程》
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2014 |
0 |
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17
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《电子与电脑》
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2009 |
0 |
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18
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应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟 |
屠荆
杨荣
罗晋生
张瑞智
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《电子器件》
EI
CAS
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2005 |
2
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19
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SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型 |
邹晓
徐静平
李艳萍
陈卫兵
苏绍斌
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
2
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20
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界面电荷位置对短沟道pMOS器件阈值电压的影响 |
孙瑞泽
刘毅
张准
贺威
曹建民
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
2
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