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题名ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法
被引量：2
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作者
曾昱嘉
叶志镇
袁国栋
黄靖云
赵炳辉
朱丽萍
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机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2004年第1期69-71,79,共4页
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基金
国家重大基础研究项目(编号No.G20000683-06)
国家自然科学基金重点项目(编号No.90201038)
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文摘
论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能。
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关键词
ZNO薄膜
p型转变
掺杂机制
氧化锌
载流子迁移率
半导体
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Keywords
p-type ZnO
hydrogen passivation
codoping
buffer layers
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分类号
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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题名ZnO薄膜的掺杂和转型的研究进展
被引量：10
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作者
陈汉鸿
叶志镇
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机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
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出处
《半导体情报》
2001年第2期37-39,共3页
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基金
博士学科点专项科研基金!(970 335 0 5 )
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文摘
本征的 Zn O为高阻材料 ,电阻率高达 1 0 12 Ω· cm,如何对 Zn O进行掺杂 ,精确控制其电学性能 ,制备高质量的 n型和 p型材料是实现 Zn O应用的关键。目前 ,研究表明通过掺杂 ,n型 Zn O的制备已经能够精确控制 ,但由于 Zn O中存在的缺陷 ,如氧空位和锌间隙原子 ,Zn O天然呈 n型 ,p型的制备还有一定难度 。
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关键词
薄膜
宽带半导体材料
有效掺杂
p型转变
氧化锌
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Keywords
ZnO thin film
wide band material
effective doping
p type transition
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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