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高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备被引量：1: 1; 作者赵尚丽杨仕娥 +3 位作者张丽伟陈永生陈庆东卢景霄《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期116-118,134,共4页; 利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Ra... 展开更多; 关键词 RF—pECVD p型微晶硅薄膜暗电导率晶化率; 在线阅读下载PDF 职称材料

p型微晶硅膜的研究及其在异质结太阳电池中的应用被引量：6: 2; 作者赵会娟谷锦华 +3 位作者吴晨阳杨仕娥陈永生卢景霄《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期248-251,共4页; 首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50%的p型微晶硅,然后制备了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池。初步研究了硼掺杂比、辉光功率密度、p型硅薄膜的厚度和氢处理时间等这些参数对电池开压... 展开更多; 关键词 p型薄膜硅异质结太阳电池开路电压射频等离子体增强化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究被引量：2: 3; 作者靳果袁铸胡居涛《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1025-1027,共3页; 以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电... 展开更多; 关键词 p型微晶硅薄膜 B(CH3)3 柔性衬底非晶硅太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究被引量：2: 4; 作者李阳刘星元 +3 位作者吴春亚孟志国王忆熊绍珍《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期813-817,共5页; 采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17n... 展开更多; 关键词 p型掺杂纳米硅薄膜聚合物有机电致发光器件微腔; 在线阅读下载PDF 职称材料

硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：6: 5; 作者汪昌州杨仕娥 +3 位作者陈永生杨根郜小勇卢景霄《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页; 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/Si... 展开更多; 关键词 p型氢化微晶硅薄膜掺硼比晶化率电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备被引量：1: 1; 作者赵尚丽杨仕娥张丽伟陈永生陈庆东卢景霄; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室新乡学院物理系; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期116-118,134,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(2006CB202601) 河南省科技厅基础研究计划(072300410080); 文摘利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜。; 关键词 RF—pECVD p型微晶硅薄膜暗电导率晶化率; Keywords RF-pECVD ,p-type μc-Si：H thin films, dark conductivity,crystalline volume fraction; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名p型微晶硅膜的研究及其在异质结太阳电池中的应用被引量：6: 2; 作者赵会娟谷锦华吴晨阳杨仕娥陈永生卢景霄; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期248-251,共4页; 基金国家重点研究发展规划(批准号:2006CB202601) 河南省基础与前沿技术研究计划(批准号:82300443203)资助的课题; 文摘首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50%的p型微晶硅,然后制备了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池。初步研究了硼掺杂比、辉光功率密度、p型硅薄膜的厚度和氢处理时间等这些参数对电池开压的影响。在优化的工艺参数下得到异质结电池最大开路电压Voc为564mV。; 关键词 p型薄膜硅异质结太阳电池开路电压射频等离子体增强化学气相沉积; Keywords Microcrystalline silicon films, Heterojunction solar cells, Open-circuit voltage, RF-pECVD; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究被引量：2: 3; 作者靳果袁铸胡居涛; 机构河南工业职业技术学院机电自动化学院江苏武进汉能薄膜太阳能有限公司; 出处《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1025-1027,共3页; 文摘以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。; 关键词 p型微晶硅薄膜 B(CH3)3 柔性衬底非晶硅太阳电池; Keywords p-滋c-Si H, B(CH3)3 flexible substrate a-Si:H solar cell; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究被引量：2: 4; 作者李阳刘星元吴春亚孟志国王忆熊绍珍; 机构五邑大学数学物理系南开大学光电子所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期813-817,共5页; 基金国家高技术研究发展计划"863"平板显示专项(2004AA303570) 国家自然科学基金重点基金(60437030)资助; 文摘采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126nm窄化到33nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47130cd/m2,最大发光效率为9.54383cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.; 关键词 p型掺杂纳米硅薄膜聚合物有机电致发光器件微腔; Keywords p-nc-Si ： H thin film Organic light emitting display Mierocavity; 分类号 TN321.93 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：6: 5; 作者汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页; 基金河南省科技攻关项目(No.0424210016); 文摘采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。; 关键词 p型氢化微晶硅薄膜掺硼比晶化率电导率; Keywords p-type μc-Si H films diborane doping ratio crystalline fraction volume conductivity; 分类号 O484 [理学—固体物理] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备	赵尚丽杨仕娥张丽伟陈永生陈庆东卢景霄	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	p型微晶硅膜的研究及其在异质结太阳电池中的应用	赵会娟谷锦华吴晨阳杨仕娥陈永生卢景霄	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究	靳果袁铸胡居涛	《电源技术》 CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究	李阳刘星元吴春亚孟志国王忆熊绍珍	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响	汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料