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采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料被引量：8: 1; 作者侯国付薛俊明 +5 位作者袁育杰张德坤孙建张建军赵颖耿新华《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期85-88,共4页; 本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗... 展开更多; 关键词 p型微晶硅高压RF-pECVD 太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究被引量：2: 2; 作者靳果袁铸胡居涛《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1025-1027,共3页; 以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电... 展开更多; 关键词 p型微晶硅薄膜 B(CH3)3 柔性衬底非晶硅太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备被引量：1: 3; 作者赵尚丽杨仕娥 +3 位作者张丽伟陈永生陈庆东卢景霄《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期116-118,134,共4页; 利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Ra... 展开更多; 关键词 RF—pECVD p型微晶硅薄膜暗电导率晶化率; 在线阅读下载PDF 职称材料

退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响被引量：1: 4; 作者王果卢景霄 +3 位作者李新利高海波焦岳超李瑞《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1001-1003,共3页; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较... 展开更多; 关键词 p型微晶硅退火 pECVD 晶化率表面粗糙度; 在线阅读下载PDF 职称材料

P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响被引量：3: 5; 作者雷青松徐火希 +2 位作者王晓晶季峰徐静平《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1187-1190,共4页; 采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入... 展开更多; 关键词 p型微晶硅界面处理柔性太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：6: 6; 作者汪昌州杨仕娥 +3 位作者陈永生杨根郜小勇卢景霄《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页; 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/Si... 展开更多; 关键词 p型氢化微晶硅薄膜掺硼比晶化率电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料被引量：8: 1; 作者侯国付薛俊明袁育杰张德坤孙建张建军赵颖耿新华; 机构南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息科学与技术教育部重点实验室(南开大学; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期85-88,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB202602和2006CB202603) 天津市自然科学基金项目(043612511)资助; 文摘本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果。重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响。通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%。文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析。; 关键词 p型微晶硅高压RF-pECVD 太阳电池; Keywords p-type microcrystalline silicon high-pressure RF-pECVD solar cell; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究被引量：2: 2; 作者靳果袁铸胡居涛; 机构河南工业职业技术学院机电自动化学院江苏武进汉能薄膜太阳能有限公司; 出处《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1025-1027,共3页; 文摘以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。; 关键词 p型微晶硅薄膜 B(CH3)3 柔性衬底非晶硅太阳电池; Keywords p-滋c-Si H, B(CH3)3 flexible substrate a-Si:H solar cell; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备被引量：1: 3; 作者赵尚丽杨仕娥张丽伟陈永生陈庆东卢景霄; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室新乡学院物理系; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期116-118,134,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划(2006CB202601) 河南省科技厅基础研究计划(072300410080); 文摘利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜。; 关键词 RF—pECVD p型微晶硅薄膜暗电导率晶化率; Keywords RF-pECVD ,p-type μc-Si：H thin films, dark conductivity,crystalline volume fraction; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响被引量：1: 4; 作者王果卢景霄李新利高海波焦岳超李瑞; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室河南工业大学; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1001-1003,共3页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202601); 文摘采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化。退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有大幅度的增加。其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提高。; 关键词 p型微晶硅退火 pECVD 晶化率表面粗糙度; Keywords p-type μc-Si vacuum annealing pECVD crystalline volume friction surface roughness; 分类号 O484 [理学—固体物理] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响被引量：3: 5; 作者雷青松徐火希王晓晶季峰徐静平; 机构华中科技大学电子科学与技术系; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1187-1190,共4页; 基金华中科技大学人才引进基金(HUST2006176); 文摘采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的p型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性。其中的成核层,不仅促进微晶相p层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用。; 关键词 p型微晶硅界面处理柔性太阳能电池; Keywords p type microcrystalline silicon interface treatment flexible solar cells; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：6: 6; 作者汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄; 机构郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期123-128,共6页; 基金河南省科技攻关项目(No.0424210016); 文摘采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。; 关键词 p型氢化微晶硅薄膜掺硼比晶化率电导率; Keywords p-type μc-Si H films diborane doping ratio crystalline fraction volume conductivity; 分类号 O484 [理学—固体物理] TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料	侯国付薛俊明袁育杰张德坤孙建张建军赵颖耿新华	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究	靳果袁铸胡居涛	《电源技术》 CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备	赵尚丽杨仕娥张丽伟陈永生陈庆东卢景霄	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响	王果卢景霄李新利高海波焦岳超李瑞	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响	雷青松徐火希王晓晶季峰徐静平	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响	汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料