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双基区大功率快恢复二极管的研究
被引量：
3
1
作者
尹启堂
李玉柱
+1 位作者
安涛
邢毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期129-132,141,共5页
提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进...
提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。
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关键词
快速恢复二极管
p
%
p
LUS%
pinn
%
p
LUS%
结构
软恢复
少子寿命
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职称材料
题名
双基区大功率快恢复二极管的研究
被引量：
3
1
作者
尹启堂
李玉柱
安涛
邢毅
机构
北京京仪椿树整流器有限责任公司
西安理工大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期129-132,141,共5页
基金
电子产业发展基金资助项目(2006-634)
文摘
提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。
关键词
快速恢复二极管
p
%
p
LUS%
pinn
%
p
LUS%
结构
软恢复
少子寿命
Keywords
FRD
p
＋
pinn
＋ structure
soft recovery
minority carrier lifetime
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双基区大功率快恢复二极管的研究
尹启堂
李玉柱
安涛
邢毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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