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电子俘获光存储材料的研究进展 被引量:6
1
作者 孙力 王永生 +2 位作者 董金凤 何志毅 徐征 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期262-265,共4页
电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术 ,有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制 ,实现大密度稳定可重复擦写存储。文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制 ,以及各种材料的存... 电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术 ,有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制 ,实现大密度稳定可重复擦写存储。文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制 ,以及各种材料的存储特性 ,并探讨了存在的问题。 展开更多
关键词 电子俘获材料 光存储 存储材料
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电子俘获材料KCl:Eu^(2+)的光存储特性研究 被引量:4
2
作者 孙力 王永生 +2 位作者 何志谊 段宁 赵辉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期117-118,120,共3页
采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 + 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 +的光存储的机制。
关键词 电子俘获材料 光存储 KCl:Eu^2+ 粉末态
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NaCl:Eu^(2+)的电子俘获机制研究 被引量:1
3
作者 孙力 段宁 +2 位作者 赵谡玲 王丽辉 王永生 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 1999年第6期43-45,共3页
采用固相反应法制备了NaCl:Eu2 + 粉末样品.测量了发光和光激励发光特性.这种材料可记录用紫外光写入的信息,用绿光读出,读出信号为蓝光.
关键词 电子俘获 光存储 光激励发光 氯化钠 铕离子
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电子俘获材料读写关系的理论研究
4
作者 赵辉 王永生 +2 位作者 徐征 徐长远 汤慧君 《北方交通大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第2期33-36,共4页
电子俘获光存储技术由于可实现高密度存储,已引起了广泛的关注读写信号之间的关系是该技术的基本问题之一本文通过对读出过程中各种电子转移过程的分析,建立了描述该过程的动力学方程组,通过求解。
关键词 光存储 电子俘获 读出过程
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电子俘获材料SrS:Eu,Sm,Er的光谱特性和光存储特性 被引量:2
5
作者 王英 郝振东 +1 位作者 张霞 张家骅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期251-256,共6页
提出一种Er3+改进的电子俘获光存储材料SrS∶Eu0.002,Sm0.002,Erx,其中,0≤x≤0.006。通过水热反应,研究了不同退火温度对荧光粉晶相形成的影响,以及不同含量的Er3+对荧光粉的发光性质以及光存储特性的影响。结果表明,Er3+的引入导致荧... 提出一种Er3+改进的电子俘获光存储材料SrS∶Eu0.002,Sm0.002,Erx,其中,0≤x≤0.006。通过水热反应,研究了不同退火温度对荧光粉晶相形成的影响,以及不同含量的Er3+对荧光粉的发光性质以及光存储特性的影响。结果表明,Er3+的引入导致荧光增强及光存储特性提高。当Er3+的摩尔分数x=0.003时,荧光强度、光激励发光强度及光存储量出现最大值,分别为不含Er3+时的1.9倍、2倍和3.5倍。同时,Er3+的掺入不改变样品的晶体结构和衰减特性。 展开更多
关键词 SRS 电子俘获 光存储 光激励
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BaBrCl:Ce^(3+)光存储性能的研究
6
作者 董金凤 王永生 +1 位作者 孟宪国 王丽辉 《北京交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期34-36,42,共4页
采用高温固相反应法制备了Ce3+掺杂的BaBrCl材料.研究了样品的荧光光谱,经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS).首次在BaBrCl:Ce3+中发现光激励发光.发射峰及光激励发光峰均位于~390 nm;DAS为500~750 nm的宽带谱,与BaFX:Eu2+(X=Cl,... 采用高温固相反应法制备了Ce3+掺杂的BaBrCl材料.研究了样品的荧光光谱,经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS).首次在BaBrCl:Ce3+中发现光激励发光.发射峰及光激励发光峰均位于~390 nm;DAS为500~750 nm的宽带谱,与BaFX:Eu2+(X=Cl,Br)相比,该吸收带与He_Ne激光器(633 nm),或廉价、小巧、使用方便的半导体激光器的波长更为匹配.表明BaBrCl:Ce3+有望成为一类新型的X射线存储材料. 展开更多
关键词 BaBrCl:Ce^3+ 光存储 电子俘获 稀土
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