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综述:核小体液-液相分离中早期形核过程的分子结构
1
作者
张蒙
薛涵
+1 位作者
刘建方
任罡
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期114-127,共14页
研究揭示,核小体阵列在体外具有液-液相分离(liquid⁃liquid phase separation,LLPS)的内在特性,被认为在体内引导染色质区域的结构变化。然而,对于形成的异质凝聚物在分子水平的结构研究,长期以来受到技术限制,从而阻碍了研究人员对核...
研究揭示,核小体阵列在体外具有液-液相分离(liquid⁃liquid phase separation,LLPS)的内在特性,被认为在体内引导染色质区域的结构变化。然而,对于形成的异质凝聚物在分子水平的结构研究,长期以来受到技术限制,从而阻碍了研究人员对核小体液-液相分离的深入理解。为了解决这一难题,张蒙等运用先进的冷冻电子断层扫描技术(Cryo⁃electron tomography,Cryo⁃ET)、结合单分子电子断层重构(individual⁃particle electron tomography,IPET)和基于深度学习的分割技术,确定了液-液相分离在不同阶段的凝聚物的分子组织结构。该研究揭示,核小体的液-液相分离过程涉及到两个主要步骤:首先,旋节分解形成不规则的凝聚物;然后,这些凝聚物经过一个不稳定的过渡阶段,转化为更紧凑的球状核,进一步通过聚集更多旋节材料或与其它球状凝聚物的融合,逐渐形成更大的球状聚集体。此外,连接组蛋白H1催化旋节向球状凝聚物转变的速率,比旋节分解速度快出十倍以上。因此,推测这种转变可能涉及到核小体疏水表面的暴露,进而改变了核小体之间的相互作用。这些发现为染色质从间期结构向中期结构转变提供了新的物理机制线索。
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关键词
核小体
核小体阵列
液-液相分离
凝聚物
旋节分解
成核和生长
组蛋白H1
染色质
非平均的单分子结构测定
冷冻电子断层扫描
单分子结构重构法
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职称材料
早强型聚羧酸系减水剂对硅酸三钙早期水化的影响
2
作者
衷从浩
黄伟
+4 位作者
尹键丽
周佳敏
麻秀星
方云辉
宁紫缘
《南昌大学学报（工科版）》
CAS
2024年第4期466-473,共8页
为探究早强型聚羧酸系减水剂(ES-PCE)对硅酸三钙(C3S)早期水化的作用机制,通过对C_(3)S溶解速率、水化放热与水化产物形貌演变进行表征,分析了ES-PCE对C_(3)S早期水化的影响机理。结果表明:ES-PCE的掺入对C3S的溶解具有一定的抑制作用;E...
为探究早强型聚羧酸系减水剂(ES-PCE)对硅酸三钙(C3S)早期水化的作用机制,通过对C_(3)S溶解速率、水化放热与水化产物形貌演变进行表征,分析了ES-PCE对C_(3)S早期水化的影响机理。结果表明:ES-PCE的掺入对C3S的溶解具有一定的抑制作用;ES-PCE对诱导期和主放热峰的延迟作用较弱;ES-PCE的掺入推迟了早期水化硅酸钙凝胶(C-S-H)晶体的生长,但在减速期时,C-S-H晶体数量出现明显增多,这是因为羧基与Ca^(2+)的络合作用,溶液中大量的Ca^(2+)被ES-PCE捕获,所形成的含Ca^(2+)的表面有利于吸附溶液中的SiO_(3)^(2−)并促进C-S-H凝胶在其表面沉淀,使得C-S-H的生长更为密集。
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关键词
早强型聚羧酸系减水剂
硅酸三钙
溶解
C-S-H成核生长
水化
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职称材料
SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)
3
作者
王光伟
郑宏兴
+2 位作者
马兴兵
张建民
曹继华
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期109-114,共6页
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍...
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
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关键词
锗硅薄膜
等离子体增强化学沉积
热退火
晶相成核与生长
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职称材料
题名
综述:核小体液-液相分离中早期形核过程的分子结构
1
作者
张蒙
薛涵
刘建方
任罡
机构
The Molecular Foundry
Quantitative Biosciences(QB
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期114-127,共14页
基金
美国国立卫生研究院资助项目(Nos.R01HL115153,R01GM104427,R01MH077303,R01DK042667).
文摘
研究揭示,核小体阵列在体外具有液-液相分离(liquid⁃liquid phase separation,LLPS)的内在特性,被认为在体内引导染色质区域的结构变化。然而,对于形成的异质凝聚物在分子水平的结构研究,长期以来受到技术限制,从而阻碍了研究人员对核小体液-液相分离的深入理解。为了解决这一难题,张蒙等运用先进的冷冻电子断层扫描技术(Cryo⁃electron tomography,Cryo⁃ET)、结合单分子电子断层重构(individual⁃particle electron tomography,IPET)和基于深度学习的分割技术,确定了液-液相分离在不同阶段的凝聚物的分子组织结构。该研究揭示,核小体的液-液相分离过程涉及到两个主要步骤:首先,旋节分解形成不规则的凝聚物;然后,这些凝聚物经过一个不稳定的过渡阶段,转化为更紧凑的球状核,进一步通过聚集更多旋节材料或与其它球状凝聚物的融合,逐渐形成更大的球状聚集体。此外,连接组蛋白H1催化旋节向球状凝聚物转变的速率,比旋节分解速度快出十倍以上。因此,推测这种转变可能涉及到核小体疏水表面的暴露,进而改变了核小体之间的相互作用。这些发现为染色质从间期结构向中期结构转变提供了新的物理机制线索。
关键词
核小体
核小体阵列
液-液相分离
凝聚物
旋节分解
成核和生长
组蛋白H1
染色质
非平均的单分子结构测定
冷冻电子断层扫描
单分子结构重构法
Keywords
nucleosome
nucleosome arrays
liquid⁃liquid phase separation
condensates
spinodal decomposition
nucleationand growth
histone H1
chromatin
single⁃molecule structure without averaging
Cryo⁃electron tomography
individual⁃particle electron tomography
分类号
Q518.2 [生物学—生物化学]
O552.6 [理学—热学与物质分子运动论]
Q336 [生物学—遗传学]
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职称材料
题名
早强型聚羧酸系减水剂对硅酸三钙早期水化的影响
2
作者
衷从浩
黄伟
尹键丽
周佳敏
麻秀星
方云辉
宁紫缘
机构
福州大学先进制造学院
福州大学土木工程学院
垒知控股集团股份有限公司
出处
《南昌大学学报（工科版）》
CAS
2024年第4期466-473,共8页
基金
福建省自然科学基金资助项目(2021J05124)
福建省中科院STS计划配套项目(2022T3032)
+1 种基金
泉州市科技计划项目(2021N176S)
中国博士后科学基金面上项目(2020M671951)。
文摘
为探究早强型聚羧酸系减水剂(ES-PCE)对硅酸三钙(C3S)早期水化的作用机制,通过对C_(3)S溶解速率、水化放热与水化产物形貌演变进行表征,分析了ES-PCE对C_(3)S早期水化的影响机理。结果表明:ES-PCE的掺入对C3S的溶解具有一定的抑制作用;ES-PCE对诱导期和主放热峰的延迟作用较弱;ES-PCE的掺入推迟了早期水化硅酸钙凝胶(C-S-H)晶体的生长,但在减速期时,C-S-H晶体数量出现明显增多,这是因为羧基与Ca^(2+)的络合作用,溶液中大量的Ca^(2+)被ES-PCE捕获,所形成的含Ca^(2+)的表面有利于吸附溶液中的SiO_(3)^(2−)并促进C-S-H凝胶在其表面沉淀,使得C-S-H的生长更为密集。
关键词
早强型聚羧酸系减水剂
硅酸三钙
溶解
C-S-H成核生长
水化
Keywords
early-strength polycarboxylate superplasticizer
tricalcium silicate
dissolution
nucleationand growth
of C-S-H
hydration
分类号
TU528 [建筑科学—建筑技术科学]
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职称材料
题名
SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)
3
作者
王光伟
郑宏兴
马兴兵
张建民
曹继华
机构
天津工程师范大学电子工程系
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期109-114,共6页
基金
Sponsored by National Natural Science Foundation of China(No.60671009)
Tianjin Committee of education(No.20060605)
文摘
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
关键词
锗硅薄膜
等离子体增强化学沉积
热退火
晶相成核与生长
Keywords
silicon-germanium thin film
PECVD
furnace annealing
crystal
nucleationand growth
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
综述:核小体液-液相分离中早期形核过程的分子结构
张蒙
薛涵
刘建方
任罡
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
2
早强型聚羧酸系减水剂对硅酸三钙早期水化的影响
衷从浩
黄伟
尹键丽
周佳敏
麻秀星
方云辉
宁紫缘
《南昌大学学报（工科版）》
CAS
2024
0
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职称材料
3
SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)
王光伟
郑宏兴
马兴兵
张建民
曹继华
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
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