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ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质
被引量：
10
1
作者
黄焱球
刘梅冬
+3 位作者
李楚容
曾亦可
刘少波
夏冬林
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期384-386,共3页
利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 ...
利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 40 0°C预烧、75 0°C退火。制得的陶瓷薄膜 Zn O结晶良好 ,并存在β- Bi2 O3、Zn2 Sb3Bi3O1 4 及Zn7Sb2 O1 2 相 ,表现出良好的低压压敏性质。厚约为 3μm的 Zn O陶瓷薄膜非线性系数α为 6 .2、压敏电压为 5 V、漏电流为 8μA。
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关键词
陶瓷薄膜
低压压敏电阻
性能特征
氧化锌
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职称材料
题名
ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质
被引量：
10
1
作者
黄焱球
刘梅冬
李楚容
曾亦可
刘少波
夏冬林
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期384-386,共3页
文摘
利用新型 Sol- Gel法在镀有 Au底电极的单晶硅片上制备 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O陶瓷薄膜。先驱体溶液由 Bi2 O3、Sb2 O3掺杂的 Zn O纳米粉体均匀分散于含有 Zn(CH3COO) 2 、Bi(NO3) 3及 Sb2 O3的溶胶中制成。薄膜由甩胶法制备 ,并由 40 0°C预烧、75 0°C退火。制得的陶瓷薄膜 Zn O结晶良好 ,并存在β- Bi2 O3、Zn2 Sb3Bi3O1 4 及Zn7Sb2 O1 2 相 ,表现出良好的低压压敏性质。厚约为 3μm的 Zn O陶瓷薄膜非线性系数α为 6 .2、压敏电压为 5 V、漏电流为 8μA。
关键词
陶瓷薄膜
低压压敏电阻
性能特征
氧化锌
Keywords
(Bi,Sb) doped ZnO thin film
low voltage varistor
novel sol ggel process
properties
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质
黄焱球
刘梅冬
李楚容
曾亦可
刘少波
夏冬林
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2001
10
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