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PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究
1
作者
王柏青
张克云
+2 位作者
包宗明
王焕杰
王季陶
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1994年第5期412-415,共4页
研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进...
研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试，表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。
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关键词
碳氮化硅薄膜
淀积工艺
钝化模
集成电路
PECVD
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职称材料
题名
PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究
1
作者
王柏青
张克云
包宗明
王焕杰
王季陶
机构
复旦大学电子工程系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1994年第5期412-415,共4页
文摘
研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试，表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。
关键词
碳氮化硅薄膜
淀积工艺
钝化模
集成电路
PECVD
Keywords
new passivation film
,
sicxny
:
hfilm
,
parameters of the process.
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
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作者
出处
发文年
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1
PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究
王柏青
张克云
包宗明
王焕杰
王季陶
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1994
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