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Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究
被引量：
2
1
作者
孙国胜
孙艳玲
+5 位作者
王雷
赵万顺
罗木昌
李建平
曾一平
林兰英
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期130-134,共5页
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C Si...
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C SiC/p Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C SiC/SiGe/p Si异质结构的I V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C SiC/p Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1 95。
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关键词
硅衬底
Si(100)衬底
n-3c-sic/p-si异质结
结
构研究
3
c-sic
外延膜
碳化硅
扫描电子显微镜
SEM
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职称材料
题名
Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究
被引量：
2
1
作者
孙国胜
孙艳玲
王雷
赵万顺
罗木昌
李建平
曾一平
林兰英
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期130-134,共5页
基金
国家重点基础研究专项经费基金(G20000683)
国家863高技术研究与发展项目基金(2001AA311090)资助项目
文摘
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C SiC/p Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C SiC/SiGe/p Si异质结构的I V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C SiC/p Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1 95。
关键词
硅衬底
Si(100)衬底
n-3c-sic/p-si异质结
结
构研究
3
c-sic
外延膜
碳化硅
扫描电子显微镜
SEM
Keywords
3
c-sic/
Si heterojunctions
scanning electron m icroscope(SEM)
I-V
C-V
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究
孙国胜
孙艳玲
王雷
赵万顺
罗木昌
李建平
曾一平
林兰英
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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