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n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
1
作者
杜刚
刘弋波
+2 位作者
孙雷
刘晓彦
韩汝琦
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期10-14,共5页
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
关键词
蒙特卡罗器件
n沟肖特基势垒隧穿晶体管
输出特性
转移特性
源漏硅化物区深度
栅氧化层厚度
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职称材料
题名
n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
1
作者
杜刚
刘弋波
孙雷
刘晓彦
韩汝琦
机构
北京大学微电子所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期10-14,共5页
文摘
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
关键词
蒙特卡罗器件
n沟肖特基势垒隧穿晶体管
输出特性
转移特性
源漏硅化物区深度
栅氧化层厚度
Keywords
Mo
n
te Carlo device simulatio
n
Schottky Barrier co
n
tact
SBTT
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
杜刚
刘弋波
孙雷
刘晓彦
韩汝琦
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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