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TiO_2-WO_3复合薄膜型气敏传感器性质研究被引量：4: 1; 作者冯庆王新强 +1 位作者刘高斌王万录《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期278-281,共4页; 二氧化钛和三氧化钨是具有重要功能的无机n型半导体材料,常用来制备气敏传感器。本文利用电子束蒸发制备了TiO2-WO3复合氧化物薄膜,在500℃下退火2 h。通过SEM和XRD观察了该薄膜的形貌特性并进行了气敏测试。实验表明,该薄膜对酒精、丙... 展开更多; 关键词气敏传感器电子束蒸发TiO2 WO3 n型金属氧化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响被引量：2: 2; 作者吴晓鹏杨银堂 +1 位作者刘海霞董刚《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期113-117,共5页; 基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条... 展开更多; 关键词沟道宽度沟道长度静电放电栅接地n型金属氧化物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响: 3; 作者吴晓鹏杨银堂 +1 位作者董刚高海霞《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期26-30,共5页; 研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间... 展开更多; 关键词漏极接触孔到栅间距静电放电栅接地n型金属氧化物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1: 4; 作者陈轶群陈佳旅蒲贤勇《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期623-627,658,共6页; 在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行... 展开更多; 关键词功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(nLDMOS) 版图设计电学安全工作区(E-SOA) 传输线脉冲(TLP); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TiO_2-WO_3复合薄膜型气敏传感器性质研究被引量：4: 1; 作者冯庆王新强刘高斌王万录; 机构重庆大学数理学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期278-281,共4页; 文摘二氧化钛和三氧化钨是具有重要功能的无机n型半导体材料,常用来制备气敏传感器。本文利用电子束蒸发制备了TiO2-WO3复合氧化物薄膜,在500℃下退火2 h。通过SEM和XRD观察了该薄膜的形貌特性并进行了气敏测试。实验表明,该薄膜对酒精、丙酮和二氧化硫气体具有较强的敏感性。本文还研究了温度、复合浓度和气体浓度对薄膜气体传感能力的影响。; 关键词气敏传感器电子束蒸发TiO2 WO3 n型金属氧化物; Keywords Gas sensor, Electron beam evaporation, TiO2, WO3, n-type metal oxide; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响被引量：2: 2; 作者吴晓鹏杨银堂刘海霞董刚; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期113-117,共5页; 基金陕西省科技统筹创新工程计划资助项目(2011KTCQ01-19) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051325011); 文摘基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条件下保护器件的I-V特性.基于失效电流水平变化趋势以及器件仿真结果,分析了相关物理机制.研究结果表明,沟道宽度的选取必须结合器件的导通均匀性情况,同时沟道长度值则通过改变器件沟道下方的热分布影响保护器件的鲁棒性.利用实验方法分析了沟道尺寸对单叉指栅接地N型金属氧化物半导体保护器件性能影响的物理机制,对深亚微米保护器件的版图设计提供了优化指导.; 关键词沟道宽度沟道长度静电放电栅接地n型金属氧化物半导体; Keywords channel width channel length electrostatic discharge gate grounded negative channel metal oxide semiconductor; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响: 3; 作者吴晓鹏杨银堂董刚高海霞; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期26-30,共5页; 基金国家部委预研究基金资助项目(9140A23060111) 陕西省科技统筹创新工程计划资助项目(2011KTCQ01-19) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(K5051325011); 文摘研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.; 关键词漏极接触孔到栅间距静电放电栅接地n型金属氧化物半导体; Keywords drain contact to gate space （DCGS） electrostatic discharge （ESD） gate grounded nMOS（GGnMOS）; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1: 4; 作者陈轶群陈佳旅蒲贤勇; 机构中芯国际集成电路制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期623-627,658,共6页; 文摘在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行了版图设计优化和流片。管芯传输线脉冲(TLP)E-SOA测试结果表明,优化后的版图使NLDMOS在5 V工作电压下TLP E-SOA提升约30%,金属引线的加宽和叠加使NLDMOS的开态电流提升约7%。带状紧凑型p^+带且双栅极嵌入的优化版图设计能更好地稳定硅衬底电位,抑制寄生三极管的开启,增大E-SOA,提高器件可靠性。因此,版图设计优化对提升功率NLDMOS的性能和可靠性具有实际意义。; 关键词功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(nLDMOS) 版图设计电学安全工作区(E-SOA) 传输线脉冲(TLP); Keywords power transistor n-type laterally diffused metal oxide semiconductor(nLDMOS) layout design electrical safe operating area(E-SOA) transmission line pulse(TLP); 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	TiO_2-WO_3复合薄膜型气敏传感器性质研究	冯庆王新强刘高斌王万录	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响	吴晓鹏杨银堂刘海霞董刚	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响	吴晓鹏杨银堂董刚高海霞	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化	陈轶群陈佳旅蒲贤勇	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料