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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
1
作者
康怡
刘东
+2 位作者
卢山
鲁啸龙
胡夏融
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n...
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。
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关键词
横向
双
扩散
金属
氧化物
半导体
(LDMOS)
Si/4H-SiC异质结
n
^(+)埋层
L
型
场板
功率品质因数
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职称材料
功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化
被引量：
1
2
作者
陈轶群
陈佳旅
蒲贤勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第8期623-627,658,共6页
在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行...
在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行了版图设计优化和流片。管芯传输线脉冲(TLP)E-SOA测试结果表明,优化后的版图使NLDMOS在5 V工作电压下TLP E-SOA提升约30%,金属引线的加宽和叠加使NLDMOS的开态电流提升约7%。带状紧凑型p^+带且双栅极嵌入的优化版图设计能更好地稳定硅衬底电位,抑制寄生三极管的开启,增大E-SOA,提高器件可靠性。因此,版图设计优化对提升功率NLDMOS的性能和可靠性具有实际意义。
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关键词
功率管
n
型
横向
扩散
金属
氧化物
半导体
(
nldmos
)
版图设计
电学安全工作区(E-SOA)
传输线脉冲(TLP)
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职称材料
题名
具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
1
作者
康怡
刘东
卢山
鲁啸龙
胡夏融
机构
西南交通大学电气工程学院
西南交通大学集成电路科学与工程学院
西华大学理学院
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第2期134-140,共7页
基金
四川省科技计划项目(2021YFQ0051)。
文摘
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。
关键词
横向
双
扩散
金属
氧化物
半导体
(LDMOS)
Si/4H-SiC异质结
n
^(+)埋层
L
型
场板
功率品质因数
Keywords
lateral double-diffused metal-oxide-semico
n
ductor(LDMOS)
Si/4H-SiC heteroju
n
ctio
n
n
^(+)buried layer
L-shaped field plate
power figure of merit
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化
被引量：
1
2
作者
陈轶群
陈佳旅
蒲贤勇
机构
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第8期623-627,658,共6页
文摘
在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行了版图设计优化和流片。管芯传输线脉冲(TLP)E-SOA测试结果表明,优化后的版图使NLDMOS在5 V工作电压下TLP E-SOA提升约30%,金属引线的加宽和叠加使NLDMOS的开态电流提升约7%。带状紧凑型p^+带且双栅极嵌入的优化版图设计能更好地稳定硅衬底电位,抑制寄生三极管的开启,增大E-SOA,提高器件可靠性。因此,版图设计优化对提升功率NLDMOS的性能和可靠性具有实际意义。
关键词
功率管
n
型
横向
扩散
金属
氧化物
半导体
(
nldmos
)
版图设计
电学安全工作区(E-SOA)
传输线脉冲(TLP)
Keywords
power tra
n
sistor
n
-type laterally diffused metal oxide semico
n
ductor(
nldmos
)
layout desig
n
electrical safe operati
n
g area(E-SOA)
tra
n
smissio
n
li
n
e pulse(TLP)
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
康怡
刘东
卢山
鲁啸龙
胡夏融
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化
陈轶群
陈佳旅
蒲贤勇
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
1
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职称材料
已选择
0
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