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氧化锌n型导电机理研究进展
被引量：
3
1
作者
郭保智
刘永生
+3 位作者
房文健
徐娟
武新芳
彭麟
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期107-111,共5页
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确。本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型...
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确。本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响。
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关键词
氧化锌
n型导电
本征缺陷
非故意掺杂
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职称材料
Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
2
作者
赵昊
余博文
+6 位作者
李琪
李光清
刘医源
林娜
李阳
穆文祥
贾志泰
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第6期997-1004,共8页
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对...
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。
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关键词
宽禁带氧化物半导体
LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜
雾化学气相沉积法
n型导电
本征缺陷
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职称材料
Nb掺杂BaTiO_3薄膜的激光分子束外延及其特性
3
作者
颜 雷
吕惠宾
+4 位作者
戴守愚
陈正豪
陈 凡
赵 彤
杨国桢
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期61-63,共3页
用激光分子束外延方法在ＳｒＴｉＯ３(１００)基底上外延生长了ＢａＮｂｘＴｉ１－ｘＯ３(０．０１≤ｘ≤０．０３)导电薄膜．原子力显微镜测得ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜表面均方根粗糙度在２μｍ×２μｍ范围内为２．４(?)...
用激光分子束外延方法在ＳｒＴｉＯ３(１００)基底上外延生长了ＢａＮｂｘＴｉ１－ｘＯ３(０．０１≤ｘ≤０．０３)导电薄膜．原子力显微镜测得ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜表面均方根粗糙度在２μｍ×２μｍ范围内为２．４(?),达到原子尺度光滑．霍尔测量表明ＢａＮｂｘＴｉ１-ｘＯ３薄膜为ｎ型导电薄膜;在室温下,ＢａＮｂ０．０２Ｔｉ０．９８Ｏ３、ＢａＮｂ０．２Ｔｉ０．８Ｏ３和ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜的电阻率分别为２．４３×１０－４Ω·ｃｍ、１．９８×１０－４Ω·ｃｍ和１．２９７×１０－４Ω·ｃｍ,载流子浓度分别为５．９×１０２１ｃｍ－１、６．３７×１０２１ｃｍ－１和９．９×１０２ｌｃｍ-１．
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关键词
激光分子束外延
氧化物薄膜
Ba
n
b0.3Ti07O3
超晶格
n型导电
薄膜.
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职称材料
题名
氧化锌n型导电机理研究进展
被引量：
3
1
作者
郭保智
刘永生
房文健
徐娟
武新芳
彭麟
机构
上海电力学院太阳能研究所
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期107-111,共5页
基金
国家自然科学基金(11374204)
上海市科委重点项目(12JC1404400
11160500700)
文摘
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用。制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确。本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响。
关键词
氧化锌
n型导电
本征缺陷
非故意掺杂
Keywords
Z
n
O
n
-type co
n
ductivity
n
ative defect
u
n
i
n
te
n
tio
n
ally i
n
corporated
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
2
作者
赵昊
余博文
李琪
李光清
刘医源
林娜
李阳
穆文祥
贾志泰
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
山东省工业技术研究院
出处
《人工晶体学报》
北大核心
2025年第6期997-1004,共8页
基金
国家自然科学基金(51932004)。
文摘
宽禁带氧化物半导体普遍存在n型掺杂容易,p型掺杂较为困难的现象。Li_(Ga)_(5)O_(8)是一种理论上能够进行双极性掺杂的新型氧化物半导体材料,本文利用雾化学气相沉积(mist-CVD)法生长非故意掺杂的高质量Li_(Ga)_(5)O_(8)单晶薄膜,并对薄膜质量、光学、电学等性能进行表征。测试结果发现生长的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜结晶质量较好,厚度为484 nm,表面粗糙度较低(Rq=2.48 nm,Ra=1.73 nm),具有5.22 eV的宽光学带隙;Li、Ga、O元素含量比约为1∶5∶8,薄膜具有n型导电特性。当继续增加Li的比例时薄膜导电性变差,但未具有p型导电特性。利用获得的Li_(Ga)_(5)O_(8)薄膜制备光电探测器,发现其在波长254 nm光照下具有良好的I-V和I-t特性。通过理论计算富氧条件Li_(Ga)_(5)O_(8)中的本征缺陷Ga_(Li)和Li_(Ga),发现Ga_(Li)缺陷形成能非常低,引入浅的施主能级,从而导致薄膜的n型导电特性;同时当Li的比例增加时Ga_(Li)缺陷补偿Li受体,使薄膜几乎不导电。
关键词
宽禁带氧化物半导体
LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜
雾化学气相沉积法
n型导电
本征缺陷
Keywords
wide-ba
n
dgap oxide semico
n
ductor
LiGa_(5)O_(8)si
n
gle crystal film
mist-CVD method
n
-type co
n
ductio
n
i
n
tri
n
sic defect
分类号
O78 [理学—晶体学]
O484.1 [理学—固体物理]
在线阅读
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职称材料
题名
Nb掺杂BaTiO_3薄膜的激光分子束外延及其特性
3
作者
颜 雷
吕惠宾
戴守愚
陈正豪
陈 凡
赵 彤
杨国桢
机构
中国科学院物理研究所光物理实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期61-63,共3页
文摘
用激光分子束外延方法在ＳｒＴｉＯ３(１００)基底上外延生长了ＢａＮｂｘＴｉ１－ｘＯ３(０．０１≤ｘ≤０．０３)导电薄膜．原子力显微镜测得ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜表面均方根粗糙度在２μｍ×２μｍ范围内为２．４(?),达到原子尺度光滑．霍尔测量表明ＢａＮｂｘＴｉ１-ｘＯ３薄膜为ｎ型导电薄膜;在室温下,ＢａＮｂ０．０２Ｔｉ０．９８Ｏ３、ＢａＮｂ０．２Ｔｉ０．８Ｏ３和ＢａＮｂ０．３Ｔｉ０．７Ｏ３薄膜的电阻率分别为２．４３×１０－４Ω·ｃｍ、１．９８×１０－４Ω·ｃｍ和１．２９７×１０－４Ω·ｃｍ,载流子浓度分别为５．９×１０２１ｃｍ－１、６．３７×１０２１ｃｍ－１和９．９×１０２ｌｃｍ-１．
关键词
激光分子束外延
氧化物薄膜
Ba
n
b0.3Ti07O3
超晶格
n型导电
薄膜.
Keywords
laser molecular beam epitaxy, oxide thi
n
film, Ba
n
b0.3Ti0.7O3, superlattice,
n
-type co
n
ductive thi
n
film.
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化锌n型导电机理研究进展
郭保智
刘永生
房文健
徐娟
武新芳
彭麟
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Mist-CVD法生长LiGa_(5)O_(8)单晶薄膜及其导电机理研究
赵昊
余博文
李琪
李光清
刘医源
林娜
李阳
穆文祥
贾志泰
《人工晶体学报》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Nb掺杂BaTiO_3薄膜的激光分子束外延及其特性
颜 雷
吕惠宾
戴守愚
陈正豪
陈 凡
赵 彤
杨国桢
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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