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动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性被引量：4: 1; 作者毕津顺海潮和《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期475-478,500,共5页; 对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET,降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感程度。讨论了动态阈值nMOSFET优秀阈值电压温度特性的内在机... 展开更多; 关键词温度退化特性动态阈值 n型场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1: 2; 作者梁海莲董树荣 +2 位作者顾晓峰李明亮韩雁《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar... 展开更多; 关键词栅接地n型金属氧化物半导体场效应晶体管静电放电双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺叉指金属布线失效电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化被引量：2: 3; 作者王兵冰汪洋 +1 位作者黄如张兴《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期130-133,共4页; 通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。; 关键词 HALO 热载流子效应短沟效应漏感应势垒降低效应 n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法: 4; 作者刘城王爱记 +2 位作者刘自瑞刘建强毛海央《微纳电子技术》北大核心 2019年第1期13-19,25,共8页; 实现对器件阈值电压的有效调控是高k金属栅(HKMG)技术面临的一项重要挑战。TiAl薄膜作为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的功函数层被广泛地应用于HKMG结构中以实现对器件阈值电压的调控。实验采用射频(RF)-直流(DC)磁控溅射... 展开更多; 关键词高k金属栅(HKMG) 功函数层磁控溅射 Ti/Al原子比率阈值电压 n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET); 在线阅读下载PDF 职称材料

热电子应力下nMOSFET中复合电流的退化特性研究: 5; 作者陈海峰《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期312-315,338,共5页; 复合电流曲线面积S这一参数被引入来研究了热电子应力下n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)中复合电流的退化特性。电子注入应力中,复合电流随着热电子应力后峰值变小并且曲线展宽。基于对S变化的分析,发现这种变化归因于热电子... 展开更多; 关键词界面陷阱复合电流热电子应力 n型金属氧化物半导体场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性被引量：4: 1; 作者毕津顺海潮和; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期475-478,500,共5页; 文摘对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET,降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感程度。讨论了动态阈值nMOSFET优秀阈值电压温度特性的内在机理。动态阈值nMOSFET优秀的阈值电压随温度退化特性使之非常适合工作于高温恶劣环境。; 关键词温度退化特性动态阈值 n型场效应晶体管; Keywords temperature dependence dynamic threshold nMOSFETs; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1: 2; 作者梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁; 机构轻工过程先进控制教育部重点实验室浙江大学微电子与光电子研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11074280 61171038 +3 种基金 61150110485) JUDCF12032); 文摘栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。; 关键词栅接地n型金属氧化物半导体场效应晶体管静电放电双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺叉指金属布线失效电流; Keywords GGnMOS ESD BeD process finger metal routing failure current; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化被引量：2: 3; 作者王兵冰汪洋黄如张兴; 机构北京大学深圳研究生院北京大学微电子所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期130-133,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(90207004); 文摘通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。; 关键词 HALO 热载流子效应短沟效应漏感应势垒降低效应 n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管; Keywords Halo HCE SCE DIBL effect nMOSFET; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法: 4; 作者刘城王爱记刘自瑞刘建强毛海央; 机构中国科学院大学微电子学院中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中国科学院微电子研究所; 出处《微纳电子技术》北大核心 2019年第1期13-19,25,共8页; 文摘实现对器件阈值电压的有效调控是高k金属栅(HKMG)技术面临的一项重要挑战。TiAl薄膜作为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的功函数层被广泛地应用于HKMG结构中以实现对器件阈值电压的调控。实验采用射频(RF)-直流(DC)磁控溅射的方式沉积TiAl薄膜,通过优化直流功率、射频功率和反应压强工艺参数,实现了对薄膜Ti/Al原子比率的调节,提高了Ti/Al原子比率分布均匀度。基于实验结果,采用后栅工艺流程制造HKMG NMOSFET,讨论不同的Ti/Al原子比率和TiAl层厚度对NMOSFET阈值电压的影响。Ti/Al原子比率增大10%,NMOSFET的阈值电压增加12.6%;TiAl层厚度增加2 nm,NMOSFET的阈值电压下降19.5%。这种方法已经被成功应用于HKMG器件的生产。; 关键词高k金属栅(HKMG) 功函数层磁控溅射 Ti/Al原子比率阈值电压 n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET); Keywords high-k metal gate(HKMG) work function layer magnetron sputtering Ti/Al atomic ratio threshold voltage n-type metal oxide semiconductor field effect transistor(nMOS-FET); 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热电子应力下nMOSFET中复合电流的退化特性研究: 5; 作者陈海峰; 机构西安邮电大学电子工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期312-315,338,共5页; 基金国家自然科学研究基金资助项目(61306131); 文摘复合电流曲线面积S这一参数被引入来研究了热电子应力下n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)中复合电流的退化特性。电子注入应力中,复合电流随着热电子应力后峰值变小并且曲线展宽。基于对S变化的分析,发现这种变化归因于热电子应力过程中,部分热电子占据了部分界面陷阱使得有效的界面态浓度Nit变小,同时另一部分注入进栅漏交叠区的氧化层中而使得有效的漏端电压UD增加。进一步发现,S的变化量△S与应力时间在双对数坐标下成线性关系:△S∝t^a,其中a=0.6。; 关键词界面陷阱复合电流热电子应力 n型金属氧化物半导体场效应晶体管; Keywords Interface trap Recombination current Hot electron stress nMOSFET; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性	毕津顺海潮和	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响	梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化	王兵冰汪洋黄如张兴	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法	刘城王爱记刘自瑞刘建强毛海央	《微纳电子技术》北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	热电子应力下nMOSFET中复合电流的退化特性研究	陈海峰	《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料