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拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响研究被引量：1: 1; 作者柴晨张军 +2 位作者王玉龙韩庆辉李怀铭《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期792-802,共11页; TOPCon电池基板是以N型硅片为主,N型硅片的氧含量在一定程度上影响着TOPCon电池的转换效率。本文采用直拉法进行单晶硅的拉制,通过调整埚转、氩气流量和炉压来研究拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响。数值模拟分析和实验结果表明:坩... 展开更多; 关键词 n型单晶硅降氧坩埚转速氩气流量炉压同心圆; 在线阅读下载PDF 职称材料

Pt_4(OCOCH_3)_4(OCOCHCH_2)_4的合成及其在n型单晶硅表面的嫁接与组装: 2; 作者徐庆红魏亚波赵钰雪《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1821-1825,共5页; 利用羧基取代法,通过化合物Pt4(OCOCH3)8与过量的丙烯酸作用合成了配合物Pt4(OCOCH3)4.(OCOCHCH2)4.晶体结构研究结果表明,化合物Pt4(OCOCH3)8中的4个乙羧基能够被烯丙羧基有规律地选择性替换,从而形成一个含双键的对称铂配合物.利用Si... 展开更多; 关键词铂配合物单晶 n型单晶硅嫁接岛状粒子; 在线阅读下载PDF 职称材料

n型单晶硅衬底少子寿命对n-PERC电池性能的影响被引量：2: 3; 作者刘金颖李宁 +1 位作者任丙彦刘彩池《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2958-2963,共6页; 采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子寿命和硅片径向不均匀度的研究,得出n-PERC电池使用硅片的最... 展开更多; 关键词 n型单晶硅 PC1D模拟 n-PERC电池模型少子寿命; 在线阅读下载PDF 职称材料

电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究: 4; 作者贾琰王振交 +2 位作者严慧敏张光春李果华《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2128-2132,共5页; 近年来，P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定，N型太阳电池逐渐走向产业化。基于N^NP＋型铝背结单晶硅太阳电池，研究了电阻率为1～5．5Ωcm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别，可以有效的节省成本。通过选用不同电阻率的... 展开更多; 关键词电阻率 n型单晶硅太阳电池少子寿命方块电阻电池性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

背面结构对铝背发射极n型单晶硅太阳电池的影响研究被引量：5: 5; 作者张勤杰李秀青 +3 位作者华永云姚雁林武建强傅建奇《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1148-1152,共5页; 研究背面结构对铝背发射极n型单晶硅太阳电池的影响,提出背面抛光结构铝背发射极n型单晶硅太阳电池的制备方法。使用少子寿命测试仪、扫描电镜(SEM)、量子效率测试仪及太阳电池测试仪对电池的表面复合速率、微观结构、量子效率和电性能... 展开更多; 关键词太阳电池 n型单晶硅铝背发射极抛光; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响研究被引量：1: 1; 作者柴晨张军王玉龙韩庆辉李怀铭; 机构晶澳太阳能科技股份有限公司晶澳太阳能有限公司; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期792-802,共11页; 文摘 TOPCon电池基板是以N型硅片为主,N型硅片的氧含量在一定程度上影响着TOPCon电池的转换效率。本文采用直拉法进行单晶硅的拉制,通过调整埚转、氩气流量和炉压来研究拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响。数值模拟分析和实验结果表明:坩埚转速的增加会抑制浮力-热毛细漩涡,减少熔体界面处SiO的挥发,提高硅熔体内部和单晶硅棒氧含量;增大氩气流量和降低炉压可增大熔体界面处SiO的质量流量,有效促进SiO挥发,减少固液界面处氧含量,从而降低单晶硅棒氧含量。根据单晶硅氧含量测试和EL检测结果可知,坩埚转速5 r/min、氩气流量100 L/min和炉压1 200 Pa时拉制的N型单晶硅氧含量最低,电池端同心圆比例也是最低的。本文研究结果可为N型单晶硅棒降氧提供一定思路。; 关键词 n型单晶硅降氧坩埚转速氩气流量炉压同心圆; Keywords n-type monocrystalline silicon reduction of oxygen content crucible rotation rate argon flow rate furnace pressure concentric circle; 分类号 O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pt_4(OCOCH_3)_4(OCOCHCH_2)_4的合成及其在n型单晶硅表面的嫁接与组装: 2; 作者徐庆红魏亚波赵钰雪; 机构北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室; 出处《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1821-1825,共5页; 基金国家自然科学基金(批准号:50602004) 教育部留学回国人员基金北京化工大学青年教师基金(批准号:QN0512)资助.; 文摘利用羧基取代法,通过化合物Pt4(OCOCH3)8与过量的丙烯酸作用合成了配合物Pt4(OCOCH3)4.(OCOCHCH2)4.晶体结构研究结果表明,化合物Pt4(OCOCH3)8中的4个乙羧基能够被烯丙羧基有规律地选择性替换,从而形成一个含双键的对称铂配合物.利用Si—H与不饱和键的加成性质将该配合物嫁接到氢化n型单晶硅(111)表面,发现配合物Pt4(OCOCH3)4(OCOCHCH2)4除了能嫁接到单晶硅表面外,还能在n型单晶硅表面进行自组装而形成许多岛状纳米粒子,这种组装体系具有良好的热稳定性和一定的抗酸性.; 关键词铂配合物单晶 n型单晶硅嫁接岛状粒子; Keywords Platinum complex Single crystal n-Si （ 111 ） crystalline Grafting Island-like particle; 分类号 O614 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名n型单晶硅衬底少子寿命对n-PERC电池性能的影响被引量：2: 3; 作者刘金颖李宁任丙彦刘彩池; 机构河北工业大学信息功能材料研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2958-2963,共6页; 基金工信部电子信息产业发展基金(工信部财[2014]425号); 文摘采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子寿命和硅片径向不均匀度的研究,得出n-PERC电池使用硅片的最佳少子寿命值。; 关键词 n型单晶硅 PC1D模拟 n-PERC电池模型少子寿命; Keywords n-type monocrystalline silicon PC 1 D simulation n-PERC cell model minority carrier lifetime; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究: 4; 作者贾琰王振交严慧敏张光春李果华; 机构江南大学理学院无锡尚德电力控股有限公司江苏省(尚德)光伏技术研究院; 出处《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2128-2132,共5页; 文摘近年来，P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定，N型太阳电池逐渐走向产业化。基于N^NP＋型铝背结单晶硅太阳电池，研究了电阻率为1～5．5Ωcm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别，可以有效的节省成本。通过选用不同电阻率的N型硅片，经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池，采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源I-V测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量。实验结果表明：虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高，但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异。; 关键词电阻率 n型单晶硅太阳电池少子寿命方块电阻电池性能; Keywords resistivity n-type monocrystalline silicon solar cell minority carrier lifetime sheet resistance cell performance; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名背面结构对铝背发射极n型单晶硅太阳电池的影响研究被引量：5: 5; 作者张勤杰李秀青华永云姚雁林武建强傅建奇; 机构北京飞行博达电子有限公司; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1148-1152,共5页; 文摘研究背面结构对铝背发射极n型单晶硅太阳电池的影响,提出背面抛光结构铝背发射极n型单晶硅太阳电池的制备方法。使用少子寿命测试仪、扫描电镜(SEM)、量子效率测试仪及太阳电池测试仪对电池的表面复合速率、微观结构、量子效率和电性能进行测定。结果表明:对铝背发射极n型单晶硅太阳电池,背面抛光结构优于背面金字塔绒面结构,背面抛光结构可降低电池背面的复合速率、改善p-n结质量、提高量子效率,使电池转换效率提高0.34%。; 关键词太阳电池 n型单晶硅铝背发射极抛光; Keywords solar cell n-type mono-erystalline silicon Al-alloyed rear emitter polished; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	拉晶工艺参数对N型单晶硅氧含量的影响研究	柴晨张军王玉龙韩庆辉李怀铭	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Pt_4(OCOCH_3)_4(OCOCHCH_2)_4的合成及其在n型单晶硅表面的嫁接与组装	徐庆红魏亚波赵钰雪	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	n型单晶硅衬底少子寿命对n-PERC电池性能的影响	刘金颖李宁任丙彦刘彩池	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究	贾琰王振交严慧敏张光春李果华	《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	背面结构对铝背发射极n型单晶硅太阳电池的影响研究	张勤杰李秀青华永云姚雁林武建强傅建奇	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	5	在线阅读下载PDF 职称材料