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Design of Novel and Low Cost Triple-node Upset Self-recoverable Latch
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作者 BAI Na MING Tianbo +3 位作者 XU Yaohua WANG Yi LI Yunfei LI Li 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2326-2336,共11页
With the development of semiconductor technology,the size of transistors continues to shrink.In complex radiation environments in aerospace and other fields,small-sized circuits are more prone to soft error(SE).Curren... With the development of semiconductor technology,the size of transistors continues to shrink.In complex radiation environments in aerospace and other fields,small-sized circuits are more prone to soft error(SE).Currently,single-node upset(SNU),double-node upset(DNU)and triple-node upset(TNU)caused by SE are relatively common.TNU’s solution is not yet fully mature.A novel and low-cost TNU self-recoverable latch(named NLCTNURL)was designed which is resistant to harsh radiation effects.When analyzing circuit resiliency,a double-exponential current source is used to simulate the flipping behavior of a node’s stored value when an error occurs.Simulation results show that the latch has full TNU self-recovery.A comparative analysis was conducted on seven latches related to TNU.Besides,a comprehensive index combining delay,power,area and self-recovery—DPAN index was proposed,and all eight types of latches from the perspectives of delay,power,area,and DPAN index were analyzed and compared.The simulation results show that compared with the latches LCTNURL and TNURL which can also achieve TNU self-recoverable,NLCTNURL is reduced by 68.23%and 57.46%respectively from the perspective of delay.From the perspective of power,NLCTNURL is reduced by 72.84%and 74.19%,respectively.From the area perspective,NLCTNURL is reduced by about 28.57%and 53.13%,respectively.From the DPAN index perspective,NLCTNURL is reduced by about 93.12%and 97.31%.The simulation results show that the delay and power stability of the circuit are very high no matter in different temperatures or operating voltages. 展开更多
关键词 circuit reliability latch design self-recoverability soft error radiation hardening triple-node upset
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不同镦粗工艺对钢锭内部孔洞缺陷闭合行为的影响
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作者 陈飞 焦永星 +2 位作者 李飞 张学忠 贾哲 《热加工工艺》 北大核心 2025年第3期114-119,共6页
钢锭内部的孔洞缺陷是一种典型的铸造缺陷。这种孔洞缺陷必须通过合理的锻造工艺予以消除,实现孔洞的闭合,以得到高质量的锻件产品。通过数值模拟以及理论分析,研究了不同镦粗工艺对孔洞缺陷闭合行为的影响规律。利用Deform-3D有限元软... 钢锭内部的孔洞缺陷是一种典型的铸造缺陷。这种孔洞缺陷必须通过合理的锻造工艺予以消除,实现孔洞的闭合,以得到高质量的锻件产品。通过数值模拟以及理论分析,研究了不同镦粗工艺对孔洞缺陷闭合行为的影响规律。利用Deform-3D有限元软件,使用数值模拟的方法,并基于一种孔洞演变模型分析了镦粗变形时摩擦系数和锭坯高径比对孔洞闭合的影响。研究发现,锭坯与砧子之间的摩擦系数越大、锭坯高径比越接近1.0,心部位置的孔洞越容易闭合,但是砧子与锭坯端面接触位置的孔洞越难以闭合。 展开更多
关键词 孔洞闭合 镦粗 钢锭 数值模拟
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应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
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作者 柏娜 李钢 +1 位作者 许耀华 王翊 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第3期850-858,共9页
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个... 随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个敏感节点,使用金属氧化物半导体(MOS)管堆叠结构,较大提高了单元的稳定性。在65 nm CMOS工艺下仿真证明该单元可以解决SEU和SEMNU问题。相比于SARP12T,LWS14T,SAR14T,RSP14T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的保持静态噪声容限(HSNM)分别提升了1.4%,54.9%,58.9%,0.7%,59.1%和107.4%。相比于SARP12T,RH12T,SAR14T,RSP14T,S8N8P16T,EDP12T和SIS10T,MNRS16T的读取静态噪声容限(RSNM)分别提升了94.3%,31.4%,90.3%,8.9%,71.5%,90.4%和90.3%。相较于SAR14T,RSP14T和EDP12T,MNRS16T的保持功率(Hpwr)降低了24.7%,33.9%和25.7%。 展开更多
关键词 单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器
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基于忆阻器存算一体架构的BCH多位纠错方法
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作者 蔡固顺 刘锦辉 +2 位作者 谭雯丹 黄钊 王泉 《西安电子科技大学学报》 北大核心 2025年第2期167-178,共12页
忆阻器存算一体(Compute-In-Memory,CIM)架构作为一种融合存储和计算功能新技术,可以有效解决传统冯诺伊曼架构数据纠错因存储和计算分离而导致的数据传输速率受限、搬移频繁、传输功耗和延迟增加等问题,提高星载电子系统可靠性与稳定... 忆阻器存算一体(Compute-In-Memory,CIM)架构作为一种融合存储和计算功能新技术,可以有效解决传统冯诺伊曼架构数据纠错因存储和计算分离而导致的数据传输速率受限、搬移频繁、传输功耗和延迟增加等问题,提高星载电子系统可靠性与稳定性。然而,现有CIM纠错技术仅能实现单比特数据纠错,无法处理连续多位错误检错与纠错。为此,提出一种基于忆阻器CIM架构的BCH多位纠错方法。首先,将传统编码和译码中的取模、乘加、前搜索等运算转换为矩阵形式,以简化计算过程,减少资源开销;其次,分别构建了有限域乘累加及乘法单元,根据BCH算法各阶段的运算需求及计算数据特点,采用并行处理方式自适应选择相应计算单元,以进一步提高运算效率。最后,在Cadence的Calculator和MNSIM仿真平台上对所提方法进行验证。实验结果表明,该方法在实现高效稳定多位纠错同时,数据吞吐率为8.8 MHz、运行功耗小于40 mW、65 nm工艺下面积开销为3×10^(5)μm^(2)。特别地,相比FPGA与IMPLY架构,计算效率分别提升了7和400倍。 展开更多
关键词 忆阻器阵列 存算一体架构 单粒子翻转 BCH码 多比特纠错
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基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
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作者 罗尹虹 张凤祁 +2 位作者 王坦 丁李利 江新帅 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第8期1734-1741,共8页
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面... 为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面峰上下限能量的提取,通过对应的硅中射程以及到达器件灵敏体积内质子能量、质子LET值和有效质子数占比的计算,在无需对器件进行纵切和开展重离子单粒子效应实验的情况下,即可准确获取器件灵敏体积上方等效硅层厚度、单粒子翻转LET阈值以及低LET值时器件单粒子翻转截面,基于实际的器件金属布线层信息和重离子单粒子效应实验数据验证了预测结果的准确性,在此基础上,进一步给出了基于余下射程的简化预测方法。 展开更多
关键词 低能质子 重离子 等效硅层厚度 单粒子翻转截面峰 LET阈值
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一种新型低开销抗三节点翻转的锁存器设计
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作者 徐辉 唐琳 +2 位作者 马瑞君 梁华国 黄正峰 《计算机工程与科学》 北大核心 2025年第5期811-822,共12页
在先进纳米级半导体工艺下,晶体管特征尺寸的持续缩小以及集成度的提高导致辐射诱发的三节点翻转愈发显著。为降低辐射粒子对电路可靠性的影响,基于双模冗余技术,采用瞬态脉冲的翻转极性原理和输入分离反相器相结合的互锁设计方式,提出... 在先进纳米级半导体工艺下,晶体管特征尺寸的持续缩小以及集成度的提高导致辐射诱发的三节点翻转愈发显著。为降低辐射粒子对电路可靠性的影响,基于双模冗余技术,采用瞬态脉冲的翻转极性原理和输入分离反相器相结合的互锁设计方式,提出了一种新型低开销抗三节点翻转的NLC-TNUTL锁存器。通过HSPICE仿真和PVT波动分析证明,与具有同等容错能力的最新加固锁存器相比,所提出的锁存器具有较低的功耗、延迟和更小的面积开销;同时,该锁存器对阈值电压、电源电压和温度变化的敏感度适中,具有良好的成本效益。 展开更多
关键词 锁存器 电荷共享效应 辐射粒子 三节点翻转
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亚20 nm FinFET SRAM工艺涨落对单粒子翻转特性的影响
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作者 孙乾 郭阳 +9 位作者 梁斌 池雅庆 陶明 罗登 陈建军 孙晗晗 胡春媚 方亚豪 高宇林 肖靖 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第6期264-273,共10页
为了探究工艺涨落对亚20纳米鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor,FinFET)工艺静态随机存储器(static random-access memory,SRAM)单粒子翻转特性的影响,通过建立与商用工艺接近的高精度三维计算机辅助工艺设计模型,对不同工... 为了探究工艺涨落对亚20纳米鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor,FinFET)工艺静态随机存储器(static random-access memory,SRAM)单粒子翻转特性的影响,通过建立与商用工艺接近的高精度三维计算机辅助工艺设计模型,对不同工艺角下FinFET SRAM的单粒子翻转特性进行仿真。仿真结果显示,FinFET工艺SRAM的单粒子翻转阈值在不同的工艺角变化下产生微小波动,且敏感位置都在N型金属氧化物半导体上。为了明确具体的工艺参数涨落对单粒子翻转阈值的影响,对鳍的厚度、鳍的高度、栅氧厚度、功函数波动造成的单粒子翻转特性的影响进行研究。仿真结果表明,前两种因素对翻转阈值未产生影响,后两种因素对翻转阈值造成了微小的波动。首次发现工艺涨落对FinFET SRAM单粒子翻转阈值的影响大幅降低,该发现对研制高一致性的抗辐射宇航用集成电路具有重要意义。 展开更多
关键词 FINFET 单粒子翻转 静态随机存储器 工艺涨落 工艺角
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多重散射对40nm SRAM和3D-SRAM单粒子翻转的影响
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作者 罗云龙 李刚 张宇 《安徽大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期53-60,共8页
基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(... 基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(-2)).基于3D-IC技术设计了一种新的3D-SRAM器件,通过Geant4进行了建模和单粒子翻转模拟,结果表明,在同一3D-SRAM器件中上层单元对下层单元有防护作用.通过改变覆盖层中的高Z材料,发现高Z材料可以有效地减少Fe离子在射程末端的多重散射,且Ta的效果优于W.在同一3D-SRAM器件中,下层单元(die3)的多重散射截面峰值更低. 展开更多
关键词 GEANT4 单粒子翻转 多重散射 3D-SRAM
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大气中子在系统级封装器件中引起的单粒子效应特性及机理研究
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作者 叶结锋 梁朝辉 +5 位作者 张战刚 郑顺顺 雷志锋 刘志利 耿高营 韩慧 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第5期1154-1164,共11页
基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SR... 基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SRAM)模块以及现场可编程门阵列(FPGA)内部的块随机存取存储器(BRAM)模块。SEFI的错误类型主要是上位机程序闪退以及DSP状态机卡死。基于加速辐照实验结果计算了中子导致的SEU截面,探讨了工艺节点、中子束流能谱对SEU截面的影响。当工艺节点从40 nm减小到28 nm时,U型SEU截面减少了73%。热中子对SRAM模块的SEU截面有较大影响,滤除中子束流中的热中子成分后,SRAM的SEU截面下降了28.8%。基于GEANT4仿真软件对实验结果进行了分析,解释了实验组SEU截面较低的原因。最后,通过计算纽约海平面的软错误率发现,SEU最敏感模块为FPGA内部的BRAM,能量大于1 MeV高能中子引起的软错误率为766.8 FIT/Mbit,未在第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)、FPGA内部的可配置逻辑块(CLB)和只读存储器(ROM)中发现SEU;SEFI最敏感模块为DSP。实验数据对SiP的抗中子辐照设计有重要意义。 展开更多
关键词 单粒子效应 中子辐照 系统级封装 单粒子翻转截面 热中子 软错误率
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基于14nm FinFET工艺的改进型保护门锁存器设计
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作者 赵雁鹏 高利军 +4 位作者 王斌 李海松 杨博 蒋轶虎 岳红菊 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1136-1143,共8页
随着集成电路工艺持续演进至纳米尺度,其在空间辐射环境中受到高能粒子轰击引发的单粒子瞬态(SET)脉冲效应已成为影响可靠性的关键问题。对传统D型锁存器(D-Latch)和保护门锁存器(GG-Latch)的单粒子效应进行研究和分析,基于14nm鳍型场... 随着集成电路工艺持续演进至纳米尺度,其在空间辐射环境中受到高能粒子轰击引发的单粒子瞬态(SET)脉冲效应已成为影响可靠性的关键问题。对传统D型锁存器(D-Latch)和保护门锁存器(GG-Latch)的单粒子效应进行研究和分析,基于14nm鳍型场效应晶体管(FinFET)工艺提出了一种改进型GG-Latch(I-GG-Latch)电路,相比GG-Latch只增加了2个晶体管,显著提升了抗SET性能。TCAD混合仿真结果表明,与D-Latch相比,在采样阶段I-GG-Latch的抗输入SET脉冲宽度增大了332%,抗线性能量传输(LET)值提高了731%;在保持阶段,I-GG-Latch在输出节点的抗SET脉冲宽度比GG-Latch增大了约87%(比D-Latch增大了约155%),抗LET值比GG-Latch提高了约114%(比D-Latch提高了约394%)。测试结果表明,由I-GG-Latch组成的触发器比由GG-Latch组成的触发器延迟时间缩短了约1.6%,功耗仅增加了约3.5%。 展开更多
关键词 14nm鳍型场效应晶体管(FinFET) 保护门锁存器(GG-Latch) 单粒子瞬态(SET) 单粒子翻转(SEU) 抗辐射加固
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新型整体式曲轴弯曲镦锻成形工艺数值模拟及优化
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作者 黄晨帆 纪宏超 +4 位作者 唐学峰 李景生 宋昌哲 黄晓敏 刘胜强 《塑性工程学报》 北大核心 2025年第7期11-25,共15页
基于DEFORM-3D对曲轴的弯曲镦锻成形过程进行数值模拟研究,发现成形过程中存在锻件损伤和镦锻模具载荷较大的问题,影响锻件质量及模具使用寿命。通过热压缩试验建立曲轴材料真应力-真应变曲线,并计算得到本构方程,利用响应面法以锻造力... 基于DEFORM-3D对曲轴的弯曲镦锻成形过程进行数值模拟研究,发现成形过程中存在锻件损伤和镦锻模具载荷较大的问题,影响锻件质量及模具使用寿命。通过热压缩试验建立曲轴材料真应力-真应变曲线,并计算得到本构方程,利用响应面法以锻造力和锻件损伤值作为评价指标,对成形过程主要影响因素锻造温度、锻造速度和摩擦因数进行优化。研究结果表明,采用优化后工艺参数进行锻造生产,锻件损伤值下降了25%,锻造力下降了33.9%。对优化后参数进行生产试验验证,在优化工艺参数下,锻件成形完整,无明显缺陷。 展开更多
关键词 大型曲轴 弯曲镦锻 数值模拟 响应面法
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纳米级SRAM多位翻转检纠错方法实现
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作者 薛国凤 安军社 周昌义 《哈尔滨工业大学学报》 北大核心 2025年第9期39-45,共7页
为解决纳米级SRAM(100 nm以内工艺)在航天工程应用中出现的多位翻转问题,依据纳米级SRAM的翻转特性,在传统串行编译码的基础上优化改进,采用并行编译码的方式,实现了基于RS(12,8,4)码的纳米级SRAM的加固方法,在单时钟节拍内实现编译码... 为解决纳米级SRAM(100 nm以内工艺)在航天工程应用中出现的多位翻转问题,依据纳米级SRAM的翻转特性,在传统串行编译码的基础上优化改进,采用并行编译码的方式,实现了基于RS(12,8,4)码的纳米级SRAM的加固方法,在单时钟节拍内实现编译码输出。以FPGA为平台,验证该加固方法的延时和纠错能力。测试结果表明:与Xilinx自带的可检二纠一汉明码的块RAM相比,本文提出的方法访问延时相近,但纠错能力是汉明码的5~8倍;与FUEC-QUAEC、CLC等编译码方法相比,将连续5 bit翻转错误的纠正率提高到100%。采用并行编译码实现的基于RS(12,8,4)码加固方法可用于纳米级SRAM抗多位翻转加固,以较小的延时代价实现纠正一个码字(48 bit)内任意两个符号(最多8 bit)内的错误,可完全纠正空间单粒子环境中出现的单个字内连续5 bit翻转的错误。该加固方法可扩展应用到CPU外部存储器的访问控制以及CPU内部cache的加固,以解决现有航天处理器采用检二纠一码无法纠正其cache多位翻转错误的问题。 展开更多
关键词 单粒子效应 多位翻转 RS编码 纳米级SRAM
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Effect of pre-heat treatment and subsequent ECAP-CU on microstructure and corrosion behavior of 7075 Al alloy fasteners
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作者 ZHANG Jun-jie HE Tao +4 位作者 DU Xiang-yang ALEXER Vereschaka SONG Miao CHEN Xi-lin LI Jian 《Journal of Central South University》 2025年第7期2383-2403,共21页
It is of great significance to study the corrosion process of aluminum(Al)alloys fasteners in order to mitigate corrosion for their widespread applications.In this paper,a method for enhancing the corrosion resistance... It is of great significance to study the corrosion process of aluminum(Al)alloys fasteners in order to mitigate corrosion for their widespread applications.In this paper,a method for enhancing the corrosion resistance of Al alloy fasteners is proposed.7075 Al alloy parts with a fine-grained microstructure were prepared by pre-heat treatment(PHT),combined subsequent equal channel angular pressing(ECAP)and cold upsetting(CU).The corrosion behavior of the specimens was investigated by intergranular corrosion and electrochemical test.Microstructure investigations were carried out by field emission scanning electron microscopy,energy dispersive spectrometer and transmission electron microscopy.The relationship between microstructural evolution and corrosion resistance changes was also explored.The results show that both PHT and ECAP-CU significantly improved the corrosion resistance of the samples and modified the corrosion process.The open circuit potential,corrosion current density and corrosion rate of the alloy on electrochemical test were(-0.812±8.854)×10^(-5) V(vs.SCE),(6.379±0.025)×10^(-6) A/cm^(2) and 0.066 mm/year,respectively,and the intergranular corrosion depth was(557±8)μm.The main factor controlling the corrosion behavior was the microstructure evolution.After PHT,the disappearance of the dendritic structure and the dissolution of the nonequilibrium second phase eliminated the potential difference between the phases,reducing the free energy in the as cast state.When ECAP-CU was used after PHT,the grain refinement was accompanied by a high density of grain boundaries and dislocations,which led to the formation of a denser passivation film on the alloy surface,improving the corrosion resistance in an aggressive environment. 展开更多
关键词 aluminum alloy fasteners heat treatment equal channel angular pressing cold upsetting MICROSTRUCTURE corrosion resistance
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等径角挤压-冷镦6A02铝合金铆钉头部偏心分析
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作者 郑沁莹 何涛 +4 位作者 姚婷婷 杜向阳 邓善萍 朱家赟 满文 《塑性工程学报》 北大核心 2025年第11期43-50,共8页
通过室温压缩实验建立了6A02铝合金材料屈服流变应力模型,利用DEFORM-3D软件分析了等径角挤压-冷镦(ECAP-CU)成形过程及铆钉成形效果,重点阐明了ECAP路径、内角等工艺参数对铆钉头部偏心量的影响规律,并通过实验验证了模拟的可靠性。结... 通过室温压缩实验建立了6A02铝合金材料屈服流变应力模型,利用DEFORM-3D软件分析了等径角挤压-冷镦(ECAP-CU)成形过程及铆钉成形效果,重点阐明了ECAP路径、内角等工艺参数对铆钉头部偏心量的影响规律,并通过实验验证了模拟的可靠性。结果表明:在105°~135°ECAP内角范围内,120°为最优选择,有效避免了105°内角的变形集中问题,克服了135°内角的应变积累不足缺陷;经B路径和C路径处理后,材料的等效应变分布均匀性提升,其中C路径优化效果最突出,CU后铆钉头部最大偏心量降至0.072 mm,较A路径降低83.18%,因此头部偏心现象大幅改善;ECAP铝合金冷镦成形的铆钉模拟外形与实验结果吻合,模拟头部偏心量与实验实测值偏差≤3%。 展开更多
关键词 6A02铝合金 等径角挤压 冷镦 铆钉 有限元模拟
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大规格TC4钛合金丝材直径对固溶时效显微组织和力学性能的影响 被引量:20
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作者 张志强 董利民 +2 位作者 关少轩 刘羽寅 杨锐 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B10期107-112,共6页
对2种直径的大规格TC4钛合金丝材进行相同制度的固溶时效热处理,并对热处理后的试样进行显微组织和力学性能的对比研究。对显微组织变化细节进行观察分析,并对提高大规格TC4钛合金丝材力学性能的工艺措施进行探讨。结果表明:直径对大规... 对2种直径的大规格TC4钛合金丝材进行相同制度的固溶时效热处理,并对热处理后的试样进行显微组织和力学性能的对比研究。对显微组织变化细节进行观察分析,并对提高大规格TC4钛合金丝材力学性能的工艺措施进行探讨。结果表明:直径对大规格TC4钛合金丝材的显微组织有明显的影响,进而对室温力学性能产生影响。 展开更多
关键词 TC16钛合金 冷镦 热镦:显微组织 性能
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0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究 被引量:10
16
作者 王桂珍 林东生 +6 位作者 齐超 白小燕 杨善潮 李瑞宾 马强 金晓明 刘岩 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2165-2169,共5页
利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量... 利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。 展开更多
关键词 CM OS电路 脉冲激光 剂量率翻转 翻转阈值 特征尺寸
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圆柱体平板间镦粗的热力分析 被引量:13
17
作者 罗文波 胡云贵 +2 位作者 胡自化 郭燕伶 彭炎荣 《塑性工程学报》 CAS CSCD 2000年第1期64-69,共6页
金属塑性成形是一种典型的热力耦合过程 ,本文在推导塑性成形过程中温度场控制方程的基础上 ,探讨了成形过程中的势力耦合效应。运用有限元方法 ,对弹塑性圆柱体平板间镦粗过程中温度场和等效应变场的变化规律进行了数值模拟 ,讨论了成... 金属塑性成形是一种典型的热力耦合过程 ,本文在推导塑性成形过程中温度场控制方程的基础上 ,探讨了成形过程中的势力耦合效应。运用有限元方法 ,对弹塑性圆柱体平板间镦粗过程中温度场和等效应变场的变化规律进行了数值模拟 ,讨论了成形速度和坯料初始温度对成形过程的影响。 展开更多
关键词 塑性成形 镦粗 热力耦合 圆柱体 金属平板
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空心抽油杆镦锻成形技术的研究 被引量:15
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作者 程俊伟 俞彦勤 +1 位作者 李思忠 刘长红 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2008年第17期65-68,共4页
采用大镦锻比对管坯端部镦粗时容易发生轴向失稳,在管坯的内壁形成环形内凹,最终可形成折叠。分析了空心抽油杆锻件的形状和尺寸,镦粗时易在法兰部位产生内凹和折叠,方部不易成形。根据管坯镦粗成形规则,合理制定了平锻工步图,并根据工... 采用大镦锻比对管坯端部镦粗时容易发生轴向失稳,在管坯的内壁形成环形内凹,最终可形成折叠。分析了空心抽油杆锻件的形状和尺寸,镦粗时易在法兰部位产生内凹和折叠,方部不易成形。根据管坯镦粗成形规则,合理制定了平锻工步图,并根据工步图设计平锻模具,进行了工艺试验,最终得到了合格的锻件。 展开更多
关键词 空心抽油杆 镦锻 法兰 成形
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方柱体镦粗的两个新力学模型 被引量:15
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作者 刘助柏 王连东 +2 位作者 官英平 刘国晖 梁辰 《塑性工程学报》 CAS CSCD 1995年第2期27-32,共6页
在对平板间镦粗圆柱体的研究[1,2,3]基础上,进一步对普通平板间的方柱体镦粗,进行了工程力学的分析,提出了二个新力学模型,并进行了实验验证。这为形成新的拔长理论[4,6]奠定了力学基础。
关键词 方柱体 镦粗 力学模型
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气门电热镦粗工艺的数值模拟 被引量:13
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作者 汪国顺 夏巨谌 +3 位作者 胡国安 王新云 李乾方 徐光 《塑性工程学报》 EI CAS CSCD 2004年第1期57-60,共4页
综合运用ANSYS和DEFORM软件对气门电热镦粗工艺的电镦加热过程和电镦变形过程进行了模拟 ,获得了整个电热镦粗过程的加热与变形的详细信息及分布规律 ,提出了消除缺陷的措施 ,为优化工艺参数提供了较为严密的理论依据。
关键词 气门 电热镦粗 数值模拟
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