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Advantages of QWIP technology in infrared thermal cameras 被引量:1
1
作者 Eric Belhaire Regis Pichon 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期298-303,共6页
Standard GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors(QWIP)have been seriously considered as atechnological choice for the 3^(rd) generation of thermal imagers in the long wave infrared band(LWIR)for some time.Alt... Standard GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors(QWIP)have been seriously considered as atechnological choice for the 3^(rd) generation of thermal imagers in the long wave infrared band(LWIR)for some time.Alternative technology like MCT(HgCdTe)was the technology choice of the 2^(nd) generation because of its high quantum efficiency.In the paper,measurements on the QWIP technology will be presented and a comparison with alternative technology will be done. 展开更多
关键词 infrared detectors image sensors quantum well infrared photodetectors(QWIP)
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64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制 被引量:15
2
作者 李宁 李娜 +8 位作者 陆卫 沈学础 陈伯良 梁平治 丁瑞军 黄绮 周钧铭 金莉 李宏伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期427-430,共4页
报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% 。
关键词 多量子阱 凝视型 红外焦平面 长波 红外探测器
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基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器 被引量:10
3
作者 李献杰 刘英斌 +6 位作者 冯震 过帆 赵永林 赵润 周瑞 娄辰 张世祖 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期435-438,共4页
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流... 采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109 cm.Hz1/2.W-1。将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。 展开更多
关键词 MOCVD ALGAAS/GAAS 量子阱红外探测器 红外热成像
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GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究 被引量:3
4
作者 黄醒良 方晓明 +4 位作者 陆卫 沈学础 李言谨 袁诗鑫 周小川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期301-308,共8页
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)... 测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。 展开更多
关键词 多量子阱 红外探测器 拟合
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GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨 被引量:1
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作者 陆卫 欧海江 +8 位作者 陈敏辉 马朝晖 刘兴权 黄醒良 茅惠兴 蒋伟 沈学础 顾勇华 叶礼斌 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期9-13,共5页
通过长波GaAs/GaAlAS量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统HgCdTe探测器的比较,直接地显示了GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竟争力.
关键词 多量子阱 红外探测器 红外成象
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7μmGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器 被引量:1
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作者 方晓明 黄醒良 +12 位作者 陆卫 李言谨 沈学础 周小川 钟战天 蒋健 徐贵昌 杜全钢 牟善明 李承芳 周鼎新 于美云 余晓中 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期43-46,共4页
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz^(1/2)·W^(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W^(-1).
关键词 多量子阱 子带间跃迁 红外探测器
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GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱
7
作者 黄醒良 沈文忠 +2 位作者 陆卫 穆耀明 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期15-20,共6页
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱,并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。
关键词 多量子阱 红外探测器 光电流谱
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GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究
8
作者 黄醒良 方晓明 +1 位作者 沈学础 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期379-384,共6页
从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。
关键词 超声压焊 熔焊 损伤 红外探测器
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128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面的红外成像 被引量:10
9
作者 万明芳 欧海疆 +8 位作者 陆卫 刘兴权 陈效双 李宁 李娜 沈学础 王文新 黄绮 周钧铭 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期76-79,共4页
研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×106V/W,截止波长为λc=8.6μm.根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db... 研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×106V/W,截止波长为λc=8.6μm.根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db*=2.37×109cm·Hz1/2/W,并最终获得了清晰的室温物体残留热像图. 展开更多
关键词 多量子阱 扫描型 红外焦平面 红外探测器 成像
全文增补中
长波长多量子阱红外焦平面成像技术及其应用
10
作者 陈筱倩 《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期30-32,共3页
介绍了长波长多量子阱焦平面红外热成像的发展概况。论述了多量子阱焦平面阵列的主要结构 :超晶格多量子阱红外探测器及读出电路。分析了它们的结构特点及工作原理。文中就QWIPFPA的主要性能进行了讨论。最后概括了近年来QWIPFPA技术的... 介绍了长波长多量子阱焦平面红外热成像的发展概况。论述了多量子阱焦平面阵列的主要结构 :超晶格多量子阱红外探测器及读出电路。分析了它们的结构特点及工作原理。文中就QWIPFPA的主要性能进行了讨论。最后概括了近年来QWIPFPA技术的研究进展与应用。 展开更多
关键词 红外成像系统 长波长红外探测器 多量子阱 焦平面
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