针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA单粒子翻转引起软错误的问题,该文分析了单粒子单位翻转和多位翻转对布线资源的影响,提出了可以减缓软错误的物理设计方法。通过引入布线资源错误发生概率评价布线资源的软错误,并与故障传...针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA单粒子翻转引起软错误的问题,该文分析了单粒子单位翻转和多位翻转对布线资源的影响,提出了可以减缓软错误的物理设计方法。通过引入布线资源错误发生概率评价布线资源的软错误,并与故障传播概率结合计算系统失效率,驱动布局布线过程。实验结果表明,该方法在不增加额外资源的情况下,可以降低系统软错误率约18%,还可以有效减缓多位翻转对系统的影响。展开更多
为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提出一种能同时纠正多比特位翻转的技术,称为数据交错技术。参照版图交错法的原理,在FPGA的软件设计等级实...为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提出一种能同时纠正多比特位翻转的技术,称为数据交错技术。参照版图交错法的原理,在FPGA的软件设计等级实现数据的交错存储,将单粒子的多位翻转分离后,分别通过EDAC模块纠正。仿真结果表明,该数据交错技术与(12,8)汉明码及(21,16)汉明码结合后,可将传统EDAC模块对单粒子引起的两位及三位翻转的纠错率从53.69%及28.91%提升至99.82%,以较低代价,实现了MBU大部分翻转形式的纠正。展开更多
文摘针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA单粒子翻转引起软错误的问题,该文分析了单粒子单位翻转和多位翻转对布线资源的影响,提出了可以减缓软错误的物理设计方法。通过引入布线资源错误发生概率评价布线资源的软错误,并与故障传播概率结合计算系统失效率,驱动布局布线过程。实验结果表明,该方法在不增加额外资源的情况下,可以降低系统软错误率约18%,还可以有效减缓多位翻转对系统的影响。
文摘为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提出一种能同时纠正多比特位翻转的技术,称为数据交错技术。参照版图交错法的原理,在FPGA的软件设计等级实现数据的交错存储,将单粒子的多位翻转分离后,分别通过EDAC模块纠正。仿真结果表明,该数据交错技术与(12,8)汉明码及(21,16)汉明码结合后,可将传统EDAC模块对单粒子引起的两位及三位翻转的纠错率从53.69%及28.91%提升至99.82%,以较低代价,实现了MBU大部分翻转形式的纠正。
