期刊文献+
共找到574篇文章
< 1 2 29 >
每页显示 20 50 100
Multi-functional photonic spin Hall effect sensor controlled by phase transition
1
作者 程杰 李瑞昭 +3 位作者 程骋 张亚林 刘胜利 董鹏 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期336-342,共7页
Photonic spin Hall effect(PSHE), as a novel physical effect in light–matter interaction, provides an effective metrological method for characterizing the tiny variation in refractive index(RI). In this work, we propo... Photonic spin Hall effect(PSHE), as a novel physical effect in light–matter interaction, provides an effective metrological method for characterizing the tiny variation in refractive index(RI). In this work, we propose a multi-functional PSHE sensor based on VO_(2), a material that can reveal the phase transition behavior. By applying thermal control, the mutual transformation into different phase states of VO_(2) can be realized, which contributes to the flexible switching between multiple RI sensing tasks. When VO_(2) is insulating, the ultrasensitive detection of glucose concentrations in human blood is achieved. When VO_(2) is in a mixed phase, the structure can be designed to distinguish between the normal cells and cancer cells through no-label and real-time monitoring. When VO_(2) is metallic, the proposed PSHE sensor can act as an RI indicator for gas analytes. Compared with other multi-functional sensing devices with the complex structures, our design consists of only one analyte and two VO_(2) layers, which is very simple and elegant. Therefore, the proposed VO_(2)-based PSHE sensor has outstanding advantages such as small size, high sensitivity, no-label, and real-time detection, providing a new approach for investigating tunable multi-functional sensors. 展开更多
关键词 photonic spin Hall effect multi-functional sensors phase transition sensing performance
在线阅读 下载PDF
基于新型带宽拓展技术的Doherty功率放大器MMIC设计
2
作者 杨琳 付星源 +5 位作者 刘世华 郭彦辰 高瑞龙 王保柱 张明 侯卫民 《微电子学与计算机》 2025年第2期77-85,共9页
为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MM... 为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)在保持高效率输出的同时,实现宽频带内充分的负载调制。为了验证所提出的设计方法,设计了一款应用于5G大规模MIMO(Multiple Input Multiple Output,多输入多输出)应用的新型高效率宽带非对称氮化镓DPA MMIC。测试结果表明,所设计的DPA芯片在4.5~5.5 GHz范围内可达到39.2~40.6 dBm的饱和输出功率(Saturation Output Power,记为P_(sat))。饱和时的功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE,记为P_(AE))为45.2%~51.1%,在输出功率回退6 dB时可实现40.1%~45.0%的P_(AE),小信号增益为12.7~13.9 dB。所提出的DPA在已发表的C波段宽带氮化镓DPA中展示了较高的饱和及6 dB回退P_(AE)。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 氮化镓 单片微波集成电路 宽带
在线阅读 下载PDF
X波段GaAs MMIC低噪声放大器设计研究
3
作者 王国强 蒲颜 +2 位作者 万瑞捷 聂荣邹 朱海 《电声技术》 2024年第2期116-118,共3页
文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带... 文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带匹配等技术实现X波段的工作频率全覆盖,并实现较低的噪声系数。测试结果表明,在8~12 GHz频率范围内,低噪声放大器功率增益大于23 dB,噪声系数小于1.7 dB,输出1 dB压缩点功率大于13 dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 X波段 单片微波集成电路(mmic)
在线阅读 下载PDF
Design of Drilling and Riveting Multi-functional End Effector for CFRP and Aluminum Components in Robotic Aircraft Assembly 被引量:6
4
作者 Zhang Lin Tian Wei +4 位作者 Li Dawei Hong Peng Li Zhenyu Zhou Weixue Liao Wenhe 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2018年第3期529-538,共10页
To fulfill the demands for higher quality,efficiency and flexibility in aviation industry,a multi-functional end effector is designed to automate the drilling and riveting processes in assembling carbon fiber reinforc... To fulfill the demands for higher quality,efficiency and flexibility in aviation industry,a multi-functional end effector is designed to automate the drilling and riveting processes in assembling carbon fiber reinforced polymer(CFRP)and aluminum components for a robotic aircraft assembly system.To meet the specific functional requirements for blind rivet installation on CFRP and aluminum materials,additional modules are incorporated on the end effector aside of the basic processing modules for drilling.And all of these processing modules allow for a onestep-drilling-countersinking process,hole inspection,automatic rivet feed,rivet geometry check,sealant application,rivet insertion and installation.Besides,to guarantee the better quality of the hole drilled and joints riveted,several online detection and adjustment measures are applied to this end effector,including the reference detection and perpendicular calibration,which could effectively ensure the positioning precision and perpendicular accuracy as demanded.Finally,the test result shows that this end effector is capable of producing each hole to a positioning precision within ±0.5 mm,aperpendicular accuracy within 0.3°,a diameter tolerance of H8,and a countersink depth tolerance of±0.01 mm.Moreover,it could drill and rivet up to three joints per minute,with acceptable shearing and tensile strength. 展开更多
关键词 robotic aircraft assembly CFRP and aluminum components automatic drilling and riveting multi-functional end effector online detection and adjustment
在线阅读 下载PDF
一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC
5
作者 杨卅男 李通 蔡道民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期642-647,共6页
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功... 基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功率分配/合成、阻抗变换和谐波调谐等功能,并通过多电容串联提高了击穿电压,增强了电路的鲁棒性;优化了版图布局,末级HEMT采用两两共地,并利用片上电感以缩短栅极偏置线,减小了芯片面积。最终,实现了饱和输出功率大于150 W、功率附加效率大于40%、功率增益大于22 dB的X波段功率放大器MMIC,其尺寸为3.8 mm×5.3 mm。该功率放大器MMIC可广泛应用于通信领域。 展开更多
关键词 紧凑型 X波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(mmic)
在线阅读 下载PDF
GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型
6
作者 郜佳佳 游恒果 +1 位作者 李静强 舒国富 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期380-387,共8页
GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,... GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,引入了位置矫正因子矩阵和耦合系数矩阵,并通过加栅窗的方式建立了芯片近结区的热阻解析模型。该模型考虑了GaN功率放大器MMIC的特点以及衬底的晶格热效应,可以更准确地表征芯片结温。采用红外热成像仪对6种GaN功率放大器MMIC在不同工作条件下进行了热测试,对比仿真和测试结果发现,解析模型的结温预测误差在10%以内,说明该模型可以准确地表征GaN功率放大器MMIC的热特性,进而用于优化和指导电路拓扑设计。 展开更多
关键词 GaN功率放大器 单片微波集成电路(mmic) 近结区 热阻解析模型 红外热成像 热特性
在线阅读 下载PDF
0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
7
作者 郝翔 王维波 +3 位作者 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期125-130,共6页
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提... 基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提高高频增益,扩展带宽,改善噪声。常温在片测试结果表明,在3.3 V单电源供电下,0.6~18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB,小信号增益约15 dB,增益平坦度小于±0.9 dB,输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm,功耗72.6 mW,芯片面积1.5 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓
在线阅读 下载PDF
Multi-functional optical fiber sensor system based on a dense wavelength division multiplexer
8
作者 Yue-Xin Yin Zhifa Wu +4 位作者 Siwen Sun Liang Tian Xibin Wang Yuanda Wu Daming Zhang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第7期222-224,共3页
We propose a novel and efficient multi-functional optical fiber sensor system based on a dense wavelength division multiplexer(DWDM).This system consists of an optical fiber temperature sensor, an optical fiber strain... We propose a novel and efficient multi-functional optical fiber sensor system based on a dense wavelength division multiplexer(DWDM).This system consists of an optical fiber temperature sensor, an optical fiber strain sensor, and a 48-channel DWDM.This system can monitor temperature and strain changes at the same time.The ranges of these two sensors are from-20℃ to 100℃ and from-1000 με to 2000 με, respectively.The sensitivities of the temperature sensor and strain sensor are 0.03572 nm/℃ and 0.03808 nm/N, respectively.With the aid of a broadband source and spectrometer,different kinds and ranges of parameters in the environment can be monitored by using suitable sensors. 展开更多
关键词 DENSE wavelength DIVISION multiplexer(DWDM) planar LIGHTWAVE circuit multi-functional SENSOR optical fiber SENSOR system
在线阅读 下载PDF
A design and application of compound multi-functional sensor in wood-based panel processing
9
作者 XU Kai-hong ZHOU Ding-guo 《Journal of Forestry Research》 SCIE CAS CSCD 2006年第4期319-322,共4页
A compound multi-functional sensor was designed by the study on the on-line testing technology of wood-based panels, and its properties of shape, functions, size, resistance to special environment were studied in deta... A compound multi-functional sensor was designed by the study on the on-line testing technology of wood-based panels, and its properties of shape, functions, size, resistance to special environment were studied in details. The operational principles of different sensors, technical flow of manufacturing, development of software systems of special functions, and the assessments of technical specification were also be introduced. This sensor adopted many new technologies, such as the applications of piezoresistant effect and heat sensitive effect can effectively measure the pressure and temperature, digital signal processing technology was used to extract and treat signals, and resist interference, encapsulation technology was used to keep the normal run of sensor under a harsh environment. Thus, the on-line compound multi-functional temperature/pressure sensor can be applied better to supervise the production of wood-based panels. All technical specifications of the compound multi-functional sensor were tested and the results met the requirements of the equipments. 展开更多
关键词 Wood-based panel processing multi-functional sensor Piezoresistant effect Heat sensitive effect
在线阅读 下载PDF
一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
10
作者 高哲 范一萌 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期360-364,共5页
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。 展开更多
关键词 V波段 功率放大器 单片微波集成电路(mmic) 高效率 功率合成
在线阅读 下载PDF
MULTI-FUNCTIONAL EQUIPMENT MAINTENANCE AGENT
11
《China Oil & Gas》 CAS 1997年第4期227-227,共1页
关键词 multi-functional EQUIPMENT MAINTENANCE AGENT
在线阅读 下载PDF
V波段2W高效率GaN功率放大器MMIC的研制 被引量:1
12
作者 高茂原 《通讯世界》 2024年第6期10-12,共3页
由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功... 由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功率放大器设计和制作进行研究,包括功率放大器的架构、电路实现以及功率合成和版图实现,并对功率放大器进行测试和结果分析,包括小信号特性和大信号特性。该功率放大器在40 GHz~75 GHz频段内,其饱和输出功率大于2 W,附加效率大于15%,功率增益大于18 dB,可广泛应用于毫米波雷达和通信领域。 展开更多
关键词 V波段 高功率 高效率 功率放大器 mmic
在线阅读 下载PDF
微波大功率SiC MESFET及MMIC 被引量:5
13
作者 柏松 陈刚 +3 位作者 吴鹏 李哲洋 郑惟彬 钱峰 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期137-139,共3页
利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率... 利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320W,增益8.6dB。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2~4GHz频带内小信号增益大于10dB,脉冲输出功率最大超过10W。 展开更多
关键词 SIC MESFET 微波功率 宽带 mmic
在线阅读 下载PDF
W波段InP HEMT MMIC功率放大器 被引量:6
14
作者 冯威 刘如青 +1 位作者 胡志富 魏碧华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期267-270,275,共5页
基于InGaAs/InAlAs/InPHEMT设计制作了一款W波段功率放大器芯片。采用分子束外延技术生长了材料结构经过优化设计的InPHEMT外延材料,采用电子束光刻和三层胶工艺制作有源器件的超深亚微米T型栅,并采用神经网络模型对器件进行精确建模。... 基于InGaAs/InAlAs/InPHEMT设计制作了一款W波段功率放大器芯片。采用分子束外延技术生长了材料结构经过优化设计的InPHEMT外延材料,采用电子束光刻和三层胶工艺制作有源器件的超深亚微米T型栅,并采用神经网络模型对器件进行精确建模。电路采用4级级联提高电路的增益,末级采用4胞并联器件有效地分散热源。采用全波电磁场仿真技术设计电路版图有效降低芯片内部的电磁耦合。芯片采用在片脉冲测试,测试结果显示,在脉宽为10μs、占空比为10%、栅压为-0.15V和漏极电压为2V条件下,92~97GHz频率内功率放大器的小信号增益大于15dB,频率为94GHz时的输出功率达到300mW。 展开更多
关键词 W波段 功率放大器 INP HEMT 微波单片集成电路(mmic) 神经网络
在线阅读 下载PDF
一种新颖的DC~50GHz低插入相移MMIC可变衰减器 被引量:5
15
作者 戴永胜 陈堂胜 +5 位作者 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期186-188,共3页
介绍了一种新颖的 DC~ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC~ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波... 介绍了一种新颖的 DC~ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC~ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 。 展开更多
关键词 砷化镓微波单片集成电路 超宽带 低相移 可变衰减器 GAAS mmic
在线阅读 下载PDF
基于负阻MMIC的新型VCO研制 被引量:9
16
作者 郭文胜 陈君涛 邓海丽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期909-912,933,共5页
提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小... 提出了一种基于负阻单片微波集成电路的新型压控振荡器(VCO)的设计方法,即负阻电路采用GaAs HBT工艺设计流片,调谐选频电路采用薄膜混合集成工艺制作。利用微封装技术将二者结合构成完整的VCO。这种新型VCO既具有单片微波集成电路的小型化、低成本的优势,又保持了薄膜混合集成电路可灵活调试的特性。通过设计流片数款在不同频段的负阻单片微波集成电路,可完成频率1~18 GHz、小型化、系列化VCO的研制。X波段宽带VCO的实测结果显示,当电调电压在2~13 V变化时输出频率覆盖8~12.5 GHz,调谐线性度为2∶1,电调电压5 V时相位噪声为-96 dBc/Hz@100 kHz。 展开更多
关键词 负阻单片微波集成电路(mmic) 压控振荡器 砷化镓异质结三极管 相位噪声 小型化
在线阅读 下载PDF
基于故障树分析法的GaAs MMIC烧毁失效分析 被引量:4
17
作者 杨洋 贾东铭 +1 位作者 林罡 钱峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期148-151,共4页
用故障树分析法对一款高温工作寿命试验过程中烧毁的Ga As功率单片集成电路(MMIC)进行失效分析。故障样品呈现为有源区烧毁,判定由电流过大或过热引起。故障树的顶事件为Ga As功放芯片烧毁,次级因素分为设计缺陷、内部因素及外围因素三... 用故障树分析法对一款高温工作寿命试验过程中烧毁的Ga As功率单片集成电路(MMIC)进行失效分析。故障样品呈现为有源区烧毁,判定由电流过大或过热引起。故障树的顶事件为Ga As功放芯片烧毁,次级因素分为设计缺陷、内部因素及外围因素三个方面。然后列举导致过热或电流过大的情况并建立故障树,通过对故障树中的末级故障逐一排查后,最终定位其烧毁是由栅金属下沉引起。这种故障模式主要出现在长期高温情况下,一般在正常使用过程中不会出现。 展开更多
关键词 故障树 砷化镓 微波单片集成电路(mmic) 失效分析 烧毁
在线阅读 下载PDF
2~4 GHz MMIC低噪声放大器 被引量:7
18
作者 孙艳玲 许春良 +1 位作者 樊渝 魏碧华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期733-736,共4页
采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联... 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为:工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(mmic) 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 负反馈 宽带
在线阅读 下载PDF
GaAs MMIC抗静电能力研究 被引量:4
19
作者 叶禹康 孙伟东 +1 位作者 俞土法 金毓铨 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期433-437,共5页
用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到50... 用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到500~800 V。 展开更多
关键词 砷化镓 mmic 抗静电 微波集成电路
在线阅读 下载PDF
5 W ISM波段InGaP/GaAs HBT功率放大器MMIC(英文) 被引量:2
20
作者 冯威 戚伟 +1 位作者 柳现发 王绍东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期286-290,共5页
通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路。该... 通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路。该三级放大器的各级器件单元的发射极面积分别为320μm2,1280μm2,5760μm2,芯片内部包括了输入、输出50Ω匹配电路,面积仅为1.9mm×2.1mm。放大器采用5V单电源供电,在2.4~2.5GHz频率范围内线性增益为27dB,2dB增益压缩点输出饱和功率达到37dBm,功率附加效率为46%。 展开更多
关键词 功率放大器 ISM波段 InGaP/GsAs HBT 无线通信 mmic
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 29 下一页 到第
使用帮助 返回顶部