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Study on MCM Interconnect Test Generation Based on Ant Algorithm with Mutation Operator
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作者 陈雷 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期150-153,共4页
A novel multi-chip module(MCM) interconnect test generation scheme based on ant algorithm(AA) with mutation operator was presented.By combing the characteristics of MCM interconnect test generation,the pheromone updat... A novel multi-chip module(MCM) interconnect test generation scheme based on ant algorithm(AA) with mutation operator was presented.By combing the characteristics of MCM interconnect test generation,the pheromone updating rule and state transition rule of AA is designed.Using mutation operator,this scheme overcomes ordinary AA’s defects of slow convergence speed,easy to get stagnate,and low ability of full search.The international standard MCM benchmark circuit provided by the MCNC group was used to verify the approach.The results of simulation experiments,which compare to the results of standard ant algorithm,genetic algorithm(GA) and other deterministic interconnecting algorithms,show that the proposed scheme can achieve high fault coverage,compact test set and short CPU time,that it is a newer optimized method deserving research. 展开更多
关键词 multi-chip module(mcm) INTERCONNECT TEST ANT algorithm(AA) TEST generation MUTATION
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MEMS封装技术研究进展与趋势 被引量:9
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作者 田斌 胡明 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第5期58-60,共3页
介绍了MEMS(microelectromechanicalsystems)封装技术的研究现状和存在的问题,重点介绍了倒装芯片技术(flip chiptechnology简称FCT)、上下球栅阵列封装技术和多芯片模块封装技术三种很有前景的封装技术的特点及其在MEMS领域的应用实例... 介绍了MEMS(microelectromechanicalsystems)封装技术的研究现状和存在的问题,重点介绍了倒装芯片技术(flip chiptechnology简称FCT)、上下球栅阵列封装技术和多芯片模块封装技术三种很有前景的封装技术的特点及其在MEMS领域的应用实例,并且对MEMS封装有可能的发展趋势进行了分析。 展开更多
关键词 MEMS封装 研究现状 倒装芯片技术 上下球栅阵列 多芯片模块封装 微电子机械系统
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不同应力下集成电路金铝硅系统可靠性评估 被引量:4
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作者 龚瑜 黄彩清 吴凌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期564-570,共7页
采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(IMC)层特性及Al-Si界面行为。结果显示,高温应力促进IMC层... 采用高温存储(HTS)试验、高温高湿存储试验(UHAST)、高温高湿加电(THB)试验、微观组织分析和电路分析等方法,研究了Au-Al-Si系统在热应力、湿度、热电应力作用下的金属间化合物(IMC)层特性及Al-Si界面行为。结果显示,高温应力促进IMC层的增长,其增长厚度满足理论模型直至将键合区域Al层全部耗尽,且当Au-Al合金扩散至Si衬底时,在衬底中有一定的溶解度;湿度应力对IMC层厚度增长没有明显影响,但促进了Au4Al界面的电偶腐蚀,长期高温高湿环境会增加焊盘开路的风险;热电综合应力显著加速了IMC层的生长,且主要以焦耳热的形式影响IMC的生长。封装设计时除了考虑线承载电流通量和芯片散热问题外,还要注意引线承载的电流通量及通电时间作用下引起的焦耳热释放问题。 展开更多
关键词 多芯片组件(mcm)封装 金铝键合 热电效应 可靠性 界面行为
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