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基于市场进入博弈的高速铁路与航空竞争分析
被引量：
8
1
作者
卞骞
宋丽英
+1 位作者
毛保华
姜秀山
《交通运输系统工程与信息》
EI
CSCD
北大核心
2019年第5期20-27,共8页
提出了一个市场进入博弈模型来研究高铁和航空在中等运输距离上的竞争,重点考虑了票价、服务频率和乘客在不同交通方式之间因价格变动产生的转移等因素.作为市场在位者,航空有允许和阻止两种策略,而高铁可以选择进入或者不进入市场,运...
提出了一个市场进入博弈模型来研究高铁和航空在中等运输距离上的竞争,重点考虑了票价、服务频率和乘客在不同交通方式之间因价格变动产生的转移等因素.作为市场在位者,航空有允许和阻止两种策略,而高铁可以选择进入或者不进入市场,运用逆向归纳法求解出各种策略组合下航空和高铁的最佳策略,通过京沪高铁的实例展示了航空和高铁博弈的结果,给出了博弈双方的利润、票价、服务频率,以及在市场需求变动、机型变动和沉没成本变动条件下三者的变动情况.结果表明,如果高铁的沉没成本不高并且市场需求充足,其最佳策略是进入市场,而航空的最佳策略是允许.
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关键词
铁路运输
航空
竞争
市场进入博弈
出行方式转移
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职称材料
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响
被引量：
1
2
作者
彭子和
秦海鸿
+2 位作者
修强
张英
荀倩
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期257-264,共8页
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN...
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。
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关键词
增强型氮化镓(GaN)HEMT
开关行为
寄生电感
双脉冲测试
优化布局
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职称材料
题名
基于市场进入博弈的高速铁路与航空竞争分析
被引量：
8
1
作者
卞骞
宋丽英
毛保华
姜秀山
机构
北京交通大学交通运输学院
出处
《交通运输系统工程与信息》
EI
CSCD
北大核心
2019年第5期20-27,共8页
基金
国家自然科学基金(T14A100051,T12A200050)~~
文摘
提出了一个市场进入博弈模型来研究高铁和航空在中等运输距离上的竞争,重点考虑了票价、服务频率和乘客在不同交通方式之间因价格变动产生的转移等因素.作为市场在位者,航空有允许和阻止两种策略,而高铁可以选择进入或者不进入市场,运用逆向归纳法求解出各种策略组合下航空和高铁的最佳策略,通过京沪高铁的实例展示了航空和高铁博弈的结果,给出了博弈双方的利润、票价、服务频率,以及在市场需求变动、机型变动和沉没成本变动条件下三者的变动情况.结果表明,如果高铁的沉没成本不高并且市场需求充足,其最佳策略是进入市场,而航空的最佳策略是允许.
关键词
铁路运输
航空
竞争
市场进入博弈
出行方式转移
Keywords
railway transportation
airline
competition
market-entry game
mode switch behavior
分类号
U125 [交通运输工程]
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职称材料
题名
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响
被引量：
1
2
作者
彭子和
秦海鸿
修强
张英
荀倩
机构
南京航空航天大学自动化学院
查尔姆斯理工大学电力工程系
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期257-264,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(51677089)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NJ20160047)
+2 种基金
江苏高校优势学科建设工程资助项目
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287)
南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助项目(kfjj20170308)
文摘
寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。
关键词
增强型氮化镓(GaN)HEMT
开关行为
寄生电感
双脉冲测试
优化布局
Keywords
E-
mode
gallium nitride high electron mobility transistor(GaN HEMT)
switch
ing
behavior
parasitic inductance
double-pulse test
optimized layout
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于市场进入博弈的高速铁路与航空竞争分析
卞骞
宋丽英
毛保华
姜秀山
《交通运输系统工程与信息》
EI
CSCD
北大核心
2019
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响
彭子和
秦海鸿
修强
张英
荀倩
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
1
在线阅读
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职称材料
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