针对2.0~25.0μm波段传输的限制损耗问题,文章采用数值模拟方法研究影响碲基硫系光子晶体光纤(photonic crystal fiber,PCF)限制损耗的主要因素。光纤纤芯和包层材料采用Ge 20 As 20 Se 15 Te 45玻璃,通过改变纤芯直径、空气孔直径和空...针对2.0~25.0μm波段传输的限制损耗问题,文章采用数值模拟方法研究影响碲基硫系光子晶体光纤(photonic crystal fiber,PCF)限制损耗的主要因素。光纤纤芯和包层材料采用Ge 20 As 20 Se 15 Te 45玻璃,通过改变纤芯直径、空气孔直径和空气孔层数等参数进行2.0~25.0μm波段限制损耗的计算,结果表明,影响限制损耗的最大因素是纤芯直径,限制损耗随着纤芯直径和空气孔直径的增大而显著降低,随着空气孔层数的增加而降低;优化设计出一种低限制损耗的PCF,结果表明,当纤芯直径和节距为8.0μm、空气孔直径为7.2μm、包层空气孔层数为4时,该PCF在2.0~25.0μm波长范围的限制损耗低于1.4×10^(-6) dB/m,满足低损耗传输要求。文章研究结果对2.0~25.0μm波段光信号的传输具有一定的意义。展开更多
综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材料,在三温区立式炉中用坩埚旋转下降法生长出AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2等系列单晶体,X射线单晶衍射...综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材料,在三温区立式炉中用坩埚旋转下降法生长出AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2等系列单晶体,X射线单晶衍射谱和回摆谱表明晶体的结晶性好,结构完整;红外透过率接近理论值,吸收系数低于0.017 cm-1,表明生长的晶体光学质量高。研究出一种新的能对AgGa1-xInxSe2晶体(112)晶面进行择优腐蚀的腐蚀剂:(30 g CrO3+10 mL H2O)∶H4PO4(85%)∶HNO3(65～68%)∶HF(40%)=10∶10∶10∶2(体积比),在60℃下腐蚀40 min,能够清晰地显示出AgGa1-xInxSe2晶体(112)面取向一致的三角形腐蚀坑,边界清晰,蚀坑密度大约为105/cm2数量级。采用自行研制的晶体定向切割新方法,加工出AgGa1-xInxSe2-OPO器件,获得了3～5μm的激光输出,光-光转换效率达21%。展开更多
文摘针对2.0~25.0μm波段传输的限制损耗问题,文章采用数值模拟方法研究影响碲基硫系光子晶体光纤(photonic crystal fiber,PCF)限制损耗的主要因素。光纤纤芯和包层材料采用Ge 20 As 20 Se 15 Te 45玻璃,通过改变纤芯直径、空气孔直径和空气孔层数等参数进行2.0~25.0μm波段限制损耗的计算,结果表明,影响限制损耗的最大因素是纤芯直径,限制损耗随着纤芯直径和空气孔直径的增大而显著降低,随着空气孔层数的增加而降低;优化设计出一种低限制损耗的PCF,结果表明,当纤芯直径和节距为8.0μm、空气孔直径为7.2μm、包层空气孔层数为4时,该PCF在2.0~25.0μm波长范围的限制损耗低于1.4×10^(-6) dB/m,满足低损耗传输要求。文章研究结果对2.0~25.0μm波段光信号的传输具有一定的意义。
文摘综合报道了本实验室关于黄铜矿类I-III-VI2型系列晶体的研究进展。采用两温区气相输运温度振荡法合成出高纯、单相、致密的多晶材料,在三温区立式炉中用坩埚旋转下降法生长出AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2等系列单晶体,X射线单晶衍射谱和回摆谱表明晶体的结晶性好,结构完整;红外透过率接近理论值,吸收系数低于0.017 cm-1,表明生长的晶体光学质量高。研究出一种新的能对AgGa1-xInxSe2晶体(112)晶面进行择优腐蚀的腐蚀剂:(30 g CrO3+10 mL H2O)∶H4PO4(85%)∶HNO3(65～68%)∶HF(40%)=10∶10∶10∶2(体积比),在60℃下腐蚀40 min,能够清晰地显示出AgGa1-xInxSe2晶体(112)面取向一致的三角形腐蚀坑,边界清晰,蚀坑密度大约为105/cm2数量级。采用自行研制的晶体定向切割新方法,加工出AgGa1-xInxSe2-OPO器件,获得了3～5μm的激光输出,光-光转换效率达21%。
