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CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型
被引量：
4
1
作者
陈杰
杜正伟
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期1200-1204,共5页
从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性。该理论模...
从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性。该理论模型表明,引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值首先随着脉冲宽度增加逐渐降低,但是存在一个明显拐点区域,当脉冲宽度超过该区域之后,引起闩锁效应的功率阈值变化不甚明显。
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关键词
微波脉冲
cmos
反相器
闩锁效应
脉冲宽度
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职称材料
题名
CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型
被引量：
4
1
作者
陈杰
杜正伟
机构
清华大学电子工程系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期1200-1204,共5页
基金
国家高技术发展计划项目
文摘
从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性。该理论模型表明,引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值首先随着脉冲宽度增加逐渐降低,但是存在一个明显拐点区域,当脉冲宽度超过该区域之后,引起闩锁效应的功率阈值变化不甚明显。
关键词
微波脉冲
cmos
反相器
闩锁效应
脉冲宽度
Keywords
microwave pulse cmos inverter latch-up effect pulse width
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型
陈杰
杜正伟
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
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