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基于微区拉曼法的AlGaN/GaN HEMT沟道温度测试研究
1
作者
王瑞泽
郭怀新
+3 位作者
付志伟
尹志军
李忠辉
陈堂胜
《中国测试》
CAS
北大核心
2024年第3期13-18,44,共7页
针对现有温度测试技术难以满足GaN器件寿命、可靠性以及热管理控制对沟道温度精确评估的需求,开展基于微区拉曼法测定AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度的研究。使用拉曼系统测量GaN材料的E2声子频率特征峰来确定沟道温度。...
针对现有温度测试技术难以满足GaN器件寿命、可靠性以及热管理控制对沟道温度精确评估的需求,开展基于微区拉曼法测定AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度的研究。使用拉曼系统测量GaN材料的E2声子频率特征峰来确定沟道温度。通过使用洛伦兹拟合方法,提高拉曼测试结果精度。对微区拉曼法和红外热成像法测量器件结温进行量化研究,器件的直流输出功率密度分别为6、8、10 W/mm时基于微区拉曼法测得的GaN器件沟道温度分布为140.7、176.7、213.6℃;基于红外热成像法测得的温度分布为132.0、160.2、189.8℃。其测试精度相对红外法分别提升6.6%,10.3%和12.5%,同时尝试探索沟道深度方向的温度测量,实现沟道下3μm的温度测量,结果表明微区拉曼法有更高的测试精度,对器件结温的测量与评估以及热管理技术的提升都有重要意义。
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关键词
微区拉曼法
AlGaN/GaN
HEMT
沟道温度
红外热成像法
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职称材料
碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展
被引量：
3
2
作者
邓亚
张宇民
+1 位作者
周玉锋
王伟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第S02期206-209,共4页
SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为...
SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。
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关键词
碳化硅单晶材料
残余应力
光弹性法
X射线衍射法
微拉曼光谱法
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职称材料
Bi4B2O9晶体及其熔体结构的高温原位拉曼光谱研究
被引量：
1
3
作者
徐琰东
尤静林
+6 位作者
王建
龚晓晔
丁雅妮
曹培明
郑少波
吴永全
余仲达
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期2143-2148,共6页
利用密度泛函理论计算了Bi4B2O9晶体的常温拉曼光谱,并通过与实验拉曼光谱对比,对其振动模式进行了归属.利用高温原位拉曼光谱研究了Bi4B2O9从常温到750℃升温过程中微结构的变化.随着温度的升高,晶体的平均键长变长,键角分布变宽,熔化...
利用密度泛函理论计算了Bi4B2O9晶体的常温拉曼光谱,并通过与实验拉曼光谱对比,对其振动模式进行了归属.利用高温原位拉曼光谱研究了Bi4B2O9从常温到750℃升温过程中微结构的变化.随着温度的升高,晶体的平均键长变长,键角分布变宽,熔化后晶体中的BiO4和BiO5多面体解体,BO3构型则保持三配位不变.运用量子化学从头算法模拟了Bi4B2O9的熔体结构并与实验拉曼光谱进行了对比分析,发现在Bi4B2O9熔体中B原子团簇为孤立的BO3构型,Bi^3+游离于BO3之间,并结合未参与形成BO3的O原子起到平衡电荷的作用.
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关键词
Bi4B2O9晶体
高温原位拉曼光谱
熔体微结构
从头算法
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职称材料
题名
基于微区拉曼法的AlGaN/GaN HEMT沟道温度测试研究
1
作者
王瑞泽
郭怀新
付志伟
尹志军
李忠辉
陈堂胜
机构
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
出处
《中国测试》
CAS
北大核心
2024年第3期13-18,44,共7页
基金
国防科技重点实验室基金(61428060205)。
文摘
针对现有温度测试技术难以满足GaN器件寿命、可靠性以及热管理控制对沟道温度精确评估的需求,开展基于微区拉曼法测定AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度的研究。使用拉曼系统测量GaN材料的E2声子频率特征峰来确定沟道温度。通过使用洛伦兹拟合方法,提高拉曼测试结果精度。对微区拉曼法和红外热成像法测量器件结温进行量化研究,器件的直流输出功率密度分别为6、8、10 W/mm时基于微区拉曼法测得的GaN器件沟道温度分布为140.7、176.7、213.6℃;基于红外热成像法测得的温度分布为132.0、160.2、189.8℃。其测试精度相对红外法分别提升6.6%,10.3%和12.5%,同时尝试探索沟道深度方向的温度测量,实现沟道下3μm的温度测量,结果表明微区拉曼法有更高的测试精度,对器件结温的测量与评估以及热管理技术的提升都有重要意义。
关键词
微区拉曼法
AlGaN/GaN
HEMT
沟道温度
红外热成像法
Keywords
micro raman method
AlGaN/GaN HEMT
channel temperature
infrared thermal imaging
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TB9 [机械工程—测试计量技术及仪器]
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职称材料
题名
碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展
被引量：
3
2
作者
邓亚
张宇民
周玉锋
王伟
机构
哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第S02期206-209,共4页
文摘
SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。
关键词
碳化硅单晶材料
残余应力
光弹性法
X射线衍射法
微拉曼光谱法
Keywords
SiC single crystal materials
residual stress
photoelastic
method
X-ray diffraction
method
micro
-
raman
spectrometry
分类号
O765 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Bi4B2O9晶体及其熔体结构的高温原位拉曼光谱研究
被引量：
1
3
作者
徐琰东
尤静林
王建
龚晓晔
丁雅妮
曹培明
郑少波
吴永全
余仲达
机构
省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发与应用重点实验室上海大学材料科学与工程学院
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期2143-2148,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:21773152)
上海市科学技术委员会项目(批准号:12520709200)
+2 种基金
111引智项目(批准号:D17002)
省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室开放课题(批准号:SKLASS2015-01,SKLASS2017-02)
科技部中央引导上海市科学技术委员会专项基金(批准号:YDZX20173100001316)资助~~
文摘
利用密度泛函理论计算了Bi4B2O9晶体的常温拉曼光谱,并通过与实验拉曼光谱对比,对其振动模式进行了归属.利用高温原位拉曼光谱研究了Bi4B2O9从常温到750℃升温过程中微结构的变化.随着温度的升高,晶体的平均键长变长,键角分布变宽,熔化后晶体中的BiO4和BiO5多面体解体,BO3构型则保持三配位不变.运用量子化学从头算法模拟了Bi4B2O9的熔体结构并与实验拉曼光谱进行了对比分析,发现在Bi4B2O9熔体中B原子团簇为孤立的BO3构型,Bi^3+游离于BO3之间,并结合未参与形成BO3的O原子起到平衡电荷的作用.
关键词
Bi4B2O9晶体
高温原位拉曼光谱
熔体微结构
从头算法
Keywords
Bi4B2O9 crystal
High temperature in situ
raman
spectroscopy
Melt
micro
-structure
Ab initio calculation
method
分类号
O641 [理学—物理化学]
O657.37 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于微区拉曼法的AlGaN/GaN HEMT沟道温度测试研究
王瑞泽
郭怀新
付志伟
尹志军
李忠辉
陈堂胜
《中国测试》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展
邓亚
张宇民
周玉锋
王伟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Bi4B2O9晶体及其熔体结构的高温原位拉曼光谱研究
徐琰东
尤静林
王建
龚晓晔
丁雅妮
曹培明
郑少波
吴永全
余仲达
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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