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低温双极晶体管的低温1／f噪声
1
作者
李树荣
郭维蒹
+1 位作者
郑云光
严隽达
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期507-511,共5页
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大．根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ～ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器...
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大．根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ～ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件１／ｆ噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因．
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关键词
1/
f
噪声
冻析效应
双极晶体管
低温
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职称材料
功率场效应晶体管的低频噪声检测方法
被引量：
5
2
作者
陈晓娟
杜娜
《河南科技大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014年第1期41-44,4-5,共4页
针对目前国内功率VDMOS器件成品率低、可靠性差等问题,采用低频噪声无损检测方法,通过分析功率VDMOS器件低频噪声的产生机理及特性,设计了低频噪声测试的偏置电路并建立了一套低频噪声测试系统。提出了一种基于小波熵的低频噪声检测方法...
针对目前国内功率VDMOS器件成品率低、可靠性差等问题,采用低频噪声无损检测方法,通过分析功率VDMOS器件低频噪声的产生机理及特性,设计了低频噪声测试的偏置电路并建立了一套低频噪声测试系统。提出了一种基于小波熵的低频噪声检测方法,解决了所测低频噪声容易被测试系统白噪声淹没而造成低频噪声检测准确性低的弊端。通过仿真,验证了小波熵检测方法可以有效检测低频噪声。
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关键词
VDMOS器件
1
f
噪声
低频噪声
LABVIEW
小波熵
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职称材料
题名
低温双极晶体管的低温1／f噪声
1
作者
李树荣
郭维蒹
郑云光
严隽达
机构
北京华北光电技术研究所
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期507-511,共5页
文摘
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大．根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ～ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件１／ｆ噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因．
关键词
1/
f
噪声
冻析效应
双极晶体管
低温
Keywords
low-temperature transistor
,
1/f noise
,
freezeout effect
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
功率场效应晶体管的低频噪声检测方法
被引量：
5
2
作者
陈晓娟
杜娜
机构
东北电力大学信息工程学院
出处
《河南科技大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014年第1期41-44,4-5,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61271115)
文摘
针对目前国内功率VDMOS器件成品率低、可靠性差等问题,采用低频噪声无损检测方法,通过分析功率VDMOS器件低频噪声的产生机理及特性,设计了低频噪声测试的偏置电路并建立了一套低频噪声测试系统。提出了一种基于小波熵的低频噪声检测方法,解决了所测低频噪声容易被测试系统白噪声淹没而造成低频噪声检测准确性低的弊端。通过仿真,验证了小波熵检测方法可以有效检测低频噪声。
关键词
VDMOS器件
1
f
噪声
低频噪声
LABVIEW
小波熵
Keywords
VDMOS(vertical conduction double scattering metal oxide
f
ield
effect
transistor
) device
1
/f
noise
low-
f
requency
noise
LabView
wavelet entropy
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温双极晶体管的低温1／f噪声
李树荣
郭维蒹
郑云光
严隽达
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
功率场效应晶体管的低频噪声检测方法
陈晓娟
杜娜
《河南科技大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2014
5
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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