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Low Temperature Sintering of ZnAl_(2)O_(4) Ceramics with CuO-TiO_(2)-Nb_(2)O_(5) Composite Oxide Sintering Aid
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作者 YANG Yan ZHANG Faqiang +3 位作者 MA Mingsheng WANG Yongzhe OUYANG Qi LIU Zhifu 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期711-718,I0009-I0011,共11页
ZnAl_(2)O_(4) and ZnAl_(2)O_(4)-based ceramics have attracted much attention from researchers due to their good microwave dielectric,thermal and mechanical properties.In this work,the influence of 5%(in mass)CuO-TiO_(... ZnAl_(2)O_(4) and ZnAl_(2)O_(4)-based ceramics have attracted much attention from researchers due to their good microwave dielectric,thermal and mechanical properties.In this work,the influence of 5%(in mass)CuO-TiO_(2)-Nb_(2)O_(5)(CTN)ternary composite oxide additives with different composition ratios on sintering behavior and properties of ZnAl_(2)O_(4) microwave dielectric ceramics was investigated.When the molar fraction ranges of Cu,Ti and Nb elements in 5%CTN additives are 0.625-0.875,0-0.250 and 0.125-0.625,respectively,sintering temperature of ZnAl_(2)O_(4) ceramics can be reduced from above 1400℃to below 1000℃.The sintering additives CN(Cu:Nb=1:1,molar ratio)and CTN(Cu:Ti:Nb=4:1:3,molar ratio)can reduce sintering temperature of ZnAl_(2)O_(4) ceramics to 975 and 1000℃,respectively,while maintaining good dielectric properties(dielectric constantε_(r)=11.36,quality factor Q׃=8245 GHz andε_(r)=9.52,Q׃=22249 GHz)and flexural strengths(200 and 161 MPa),which are expected to be applied in preparation of low temperature co-fired ceramic(LTCC)materials with copper electrodes.Low-temperature sintering of the ZnAl_(2)O_(4)+CTN system is characterized as activated sintering.Nanometer-level amorphous interfacial films containing Cu,Ti,and Nb elements are observed at the grain boundaries,which may provide fast diffusion pathways for mass transportation during the sintering process.Valence changes of Ti and Cu ions,along with changes of oxygen vacancies,are confirmed,which provides a potential mechanism for reduced sintering temperature of ZnAl_(2)O_(4) ceramics.In addition,a series of reactions occurring at the grain boundaries can activate these boundaries and further promote the sintering densification process.These results suggest a promising way to design a novel LTCC material with excellent properties based on the low temperature sintering of ceramics with the sintering aid of CuO-TiO_(2)-Nb_(2)O_(5) composite oxide. 展开更多
关键词 ZnAl_(2)O_(4) CuO-TiO_(2)-Nb_(2)O_(5) low-temperature sintering microwave dielectric ceramic low temperature co-fired ceramic
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MCM低温共烧多层陶瓷布线基板热应力的模拟与分析 被引量:5
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作者 杨邦朝 熊流锋 +1 位作者 杜晓松 蒋明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期93-95,共3页
对MCM低温共烧多层布线陶瓷基板的两种典型布线模式在温度急剧变化条件下的应力场进行了计算机模拟,并分析了两种模型下的应力分布特点及差异。
关键词 mcm低温共烧多层布线陶瓷基板 应力场 计算机模拟 有限元
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含钡玻璃粉体的表面修饰及其表征 被引量:1
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作者 崔学民 张鹤 +2 位作者 华伟刚 韩要丛 黄桂明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期318-320,共3页
为了降低BaO-B2O3-SiO2玻璃中钡离子在水中的析出,通过硫酸处理法对玻璃粉体进行了表面修饰,在玻璃粉体的表面形成一层不溶于水的BaSO4,从而阻断了钡离子与水的接触途径,使玻璃粉体更容易制备稳定的水基流延浆料,操作简便,且无毒... 为了降低BaO-B2O3-SiO2玻璃中钡离子在水中的析出,通过硫酸处理法对玻璃粉体进行了表面修饰,在玻璃粉体的表面形成一层不溶于水的BaSO4,从而阻断了钡离子与水的接触途径,使玻璃粉体更容易制备稳定的水基流延浆料,操作简便,且无毒副作用。研究发现生成的BaSO4层的厚度与硫酸的浓度和处理时间相关;硫酸钡层明显提高了玻璃粉的烧结温度。 展开更多
关键词 LTCC(low temperature co-fired ceramics) BaO-B2O3-SiO2玻璃 表面修饰 硫酸
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60GHz贴片天线用低温共烧陶瓷基板的微机械加工 被引量:4
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作者 缪旻 张小青 +2 位作者 姚雅婷 沐方清 胡独巍 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1447-1455,1453-1455,共9页
为有效提升60GHz贴片天线及阵列的辐射带宽,提出利用微机械手段加工天线的低温共烧陶瓷(LTCC)基板。通过微切削方法在特定生瓷层上制作贯通结构,充填可挥发牺牲材料,完成基板叠压、烧结,待牺牲层升华排净后最终构成三维微结构。设计、... 为有效提升60GHz贴片天线及阵列的辐射带宽,提出利用微机械手段加工天线的低温共烧陶瓷(LTCC)基板。通过微切削方法在特定生瓷层上制作贯通结构,充填可挥发牺牲材料,完成基板叠压、烧结,待牺牲层升华排净后最终构成三维微结构。设计、制备了悬臂梁、围框结构和微管道等工艺样品。对天线设计电性能进行全波分析,并测试了微流道散热特性。实验结果表明:提出的方法成功解决了不同轴系各方向收缩率不一致、空腔塌陷等工艺问题,制作出的悬臂梁与围框尺寸高宽比达4∶1,总长为12mm,总层厚为1.4mm;内嵌微流道横截面为200μm×200μm,长度达25cm以上;内部光滑,基板表面贴装发热功率密度达2W/cm2的功率器件时提供40K以上的冷却能力;基板经过微机械加工后,天线的辐射带宽可从2.7GHz增加到5.3GHz,而增益的损失甚微。这些结果显示,用简单、低成本的微机械加工方法可在不显著增加制造成本的情况下有效扩增毫米波贴片天线的辐射带宽,为贴片天线阵中有源发射功率器件的设计和贴片天线的三维高密度集成提供了有效的技术支持。 展开更多
关键词 陶瓷微机械加工 低温共烧陶瓷基板 毫米波 贴片天线
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LTCC工艺技术研究 被引量:10
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作者 张丽华 张金利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期810-812,共3页
叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势。介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷精度、导体表面粗糙度、LTCC基板翘曲度和陶... 叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势。介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷精度、导体表面粗糙度、LTCC基板翘曲度和陶瓷强度的工艺因素。并分析了如何根据产品布线特点来设计和优化印刷工艺参数、如何根据基板结构特点来设计和优化排胶曲线。通过大量的工艺试验和数据测试,结果表明,印刷压力影响金属化导体精度和表面粗糙度、烧结曲线排胶段升温速率影响LTCC基板翘曲度和陶瓷强度。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 基板 印刷 烧结
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一种基于低温共烧陶瓷的新型多层交叉耦合基片集成波导滤波器 被引量:3
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作者 魏启甫 李征帆 李霖 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期214-217,共4页
提出了一种4级交叉耦合的拓扑结构,并用其设计了一个多层基片集成波导滤波器.非相邻谐振腔间的交叉耦合使滤波器产生了2个有限传输零点,改善了滤波器的性能.用高频电磁仿真软件HFSS对滤波器进行设计和仿真,并用8层低温共烧陶瓷(LTCC)工... 提出了一种4级交叉耦合的拓扑结构,并用其设计了一个多层基片集成波导滤波器.非相邻谐振腔间的交叉耦合使滤波器产生了2个有限传输零点,改善了滤波器的性能.用高频电磁仿真软件HFSS对滤波器进行设计和仿真,并用8层低温共烧陶瓷(LTCC)工艺对其进行加工.测量结果与仿真结果吻合较好,从而证明了所给滤波器结构的有效性. 展开更多
关键词 交叉耦合 传输零点 基片集成波导 低温共烧陶瓷
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LTCC基板与高硅铝合金大面积焊接工艺参数优化 被引量:7
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作者 张怡 唐勇刚 +1 位作者 王天石 马晓琳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第4期619-624,共6页
基于低温共烧陶瓷(LTCC)电路基板和高硅铝合金封装载体互联的多通道T/R组件对互联界面质量要求高。为了优化大尺寸LTCC基板与高硅铝合金载体钎焊后的互联强度,该文采用试验设计方法设计了大面积LTCC基板与CE11高硅铝合金载体,并进行了... 基于低温共烧陶瓷(LTCC)电路基板和高硅铝合金封装载体互联的多通道T/R组件对互联界面质量要求高。为了优化大尺寸LTCC基板与高硅铝合金载体钎焊后的互联强度,该文采用试验设计方法设计了大面积LTCC基板与CE11高硅铝合金载体,并进行了焊接试验,利用主效应法识别出影响焊接强度的关键工艺因素是183~140℃内降温速率及焊接峰值温度,并采用回归分析法得到以上两类参数与界面焊接强度的关系模型。通过基于随机梯度下降的Adam算法得到最优的焊接工艺参数:降温速率为0.967℃/s,峰值温度为230℃。基于优化后的工艺参数可得验证样件界面焊接强度为23.6 MPa,与优化后模型预测值的相对误差为2.1%,这证明该文的研究对大尺寸基板与高硅铝合金载体钎焊后界面强度有显著的预测和提升作用。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷电路基板 大面积焊接 试验设计 回归分析 工艺参数优化
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叶蜡石在低温制备钙长石质陶瓷基片中的应用研究 被引量:1
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作者 顾幸勇 姜文炜 史继霞 《陶瓷学报》 CAS 2000年第3期141-146,共6页
研究了用叶蜡石、碳酸钙与适量的氧化铝 ,在加入添加剂的条件下 ,用原位反应烧结法制备出低温烧结 ( 12 0 0℃ )的新型钙长石质陶瓷基片材料。在满足使用强度条件下 ,与目前常用的氧化铝质陶瓷基片相比 ,叶蜡石制备出的低温烧结钙长石... 研究了用叶蜡石、碳酸钙与适量的氧化铝 ,在加入添加剂的条件下 ,用原位反应烧结法制备出低温烧结 ( 12 0 0℃ )的新型钙长石质陶瓷基片材料。在满足使用强度条件下 ,与目前常用的氧化铝质陶瓷基片相比 ,叶蜡石制备出的低温烧结钙长石质陶瓷基片的介电常数小 ,电绝缘性能好 ;体积密度轻 ,对减轻电器设备的质量有利 ;特别是烧成温度低 ,对于采用高导电率导体 ,像铜、银、金等引线的要求十分有利 ,且原料价格低 ,有很好的经济效益。并讨论了CaCO3 原料适当的引入粒度和Al2 O3 的加入量的影响。 展开更多
关键词 叶蜡石 低温烧结 钙长石 陶瓷基片 氧化铝
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陶瓷基板研究现状及新进展 被引量:31
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作者 陆琪 刘英坤 +2 位作者 乔志壮 刘林杰 高岭 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期257-268,共12页
近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点。为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密... 近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点。为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的结构和较高的机械强度等特性得到广泛的应用。首先综述了不同陶瓷基板材料的性能、发展历史和新进展,分析了各自的优缺点;然后综述了陶瓷基板的制备工艺,对多层共烧陶瓷技术进行了详细介绍,并简述了陶瓷基板的应用;最后指出了陶瓷基板的研究方向和面临的挑战。 展开更多
关键词 电子封装 陶瓷材料 陶瓷基板 低温共烧陶瓷(LTCC) 高温共烧陶瓷(HTCC)
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