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精密低噪声前置放大电路的设计 被引量:4
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作者 齐学红 李思政 裴立云 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1509-1511,共3页
介绍了一种中、低频低噪声前置放大电路的设计方案。理论分析影响低噪声前置放大电路的因素;采用抑制噪声和直流漂移电路减小噪声干扰;并对设计电路进行测试和分析。测试表明其等效输入噪声失真率≤0.04%(输出9.5 rms时);在1~100 kHz... 介绍了一种中、低频低噪声前置放大电路的设计方案。理论分析影响低噪声前置放大电路的因素;采用抑制噪声和直流漂移电路减小噪声干扰;并对设计电路进行测试和分析。测试表明其等效输入噪声失真率≤0.04%(输出9.5 rms时);在1~100 kHz范围内,频率稳定度≤0.01%。 展开更多
关键词 前置放大电路 低噪声 抑制直流漂移
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精密放大器和低噪声失调电路技术 被引量:4
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作者 张涛 陈连康 《现代电子技术》 2008年第9期153-155,共3页
介绍了精密放大器的现状和实现精密放大器的低噪声失调电路技术,着重讨论了自稳零和斩波稳零电路技术,定量分析了这两类电路技术对电路噪声的影响,给出了各自的仿真结果。理论分析和仿真结果均表明,该两类电路技术能很好地抑制电路的失... 介绍了精密放大器的现状和实现精密放大器的低噪声失调电路技术,着重讨论了自稳零和斩波稳零电路技术,定量分析了这两类电路技术对电路噪声的影响,给出了各自的仿真结果。理论分析和仿真结果均表明,该两类电路技术能很好地抑制电路的失调和噪声,实现微弱传感器信号的精确放大。最后对精密放大器的未来发展空间作了展望。 展开更多
关键词 精密放大器 低噪声失调电路技术 自稳零 斩波稳零 发展空间
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二极管非制冷红外探测器及其读出电路设计 被引量:3
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作者 祖秋艳 王玮冰 +2 位作者 黄卓磊 何鑫 陈大鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第7期1680-1684,共5页
针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自... 针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自稳零电路结构实现探测器输出信号的低噪声低失调放大,采用级联滤波器以减弱开关非理想因素的影响,并采用片内电容采样保持,使得I/O引脚数较少,从而减小版图面积。采用spectre工具进行仿真,在CSMC 0.5μm 2P3M CMOS工艺下实现。结果表明:读出电路性能良好,闭环增益为65.8 dB,等效输入噪声谱密度为450 nV/Hz,等效输入失调电压100μV以内,功耗为5 mW,能实现探测器信号的准确读出。 展开更多
关键词 二极管非制冷红外探测器 自稳零技术 低噪声 低失调 读出电路
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一种低噪声电荷灵敏前置放大器的研制 被引量:8
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作者 苏杭 封常青 +4 位作者 郑其斌 朱丹阳 金西 刘树彬 安琪 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2015年第9期857-860,866,共5页
介绍了一款新型低噪声电荷灵敏前置放大器的研制。该电荷灵敏前置放大器采用新的自主设计方案,可利用计算机的USB接口直接供电,其电子学等效输入噪声约为0.08 f C,积分非线性为1.8%。该电荷灵敏前置放大器可用于小型半导体核探测谱仪的... 介绍了一款新型低噪声电荷灵敏前置放大器的研制。该电荷灵敏前置放大器采用新的自主设计方案,可利用计算机的USB接口直接供电,其电子学等效输入噪声约为0.08 f C,积分非线性为1.8%。该电荷灵敏前置放大器可用于小型半导体核探测谱仪的信号读出放大。集探测器偏置高压、低压电源、电荷灵敏前放、成形电路于一体,体积小、使用方便、噪声低。 展开更多
关键词 低噪声 电荷灵敏前置放大器 读出电路
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具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计 被引量:2
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作者 余巨臣 彭龙新 +4 位作者 刘昊 凌志健 贾晨阳 闫俊达 刘飞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期493-497,共5页
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比。未单独设计滤波器,而是在LNA的匹配网络中加入滤波支路,且分散置于各级匹配网络中,以减小噪声损耗。LNA为三级级联结构,采用单电源和电流复用结构,以实现较小的电流和功耗。测试结果表明,该MMIC在27.5~31 GHz内增益大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB,1 dB压缩点输出功率大于5.5 dBm,在17.6~20.6 GHz内带外抑制比小于-50 dBc,可以承受20 W的脉冲输入功率。 展开更多
关键词 滤波器 限幅器 低噪声放大器(LNA) 电流复用技术 单片微波集成电路(MMIC)
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具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器 被引量:4
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作者 曾志 李远鹏 陈长友 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期36-40,共5页
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和... 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和较好的带外抑制特性;LNA采用单电源和电流复用结构,实现较高的增益和较低的功耗。测试结果表明,该MMIC芯片在30~34 GHz频带内,增益大于28 dB,噪声系数小于2.8 dB,功耗小于60 mW,在17~19 GHz频带内带外抑制比小于-35 dBc。芯片尺寸为2.40 mm×1.00 mm。该LNA MMIC可应用于毫米波T/R系统中。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制 电流复用技术
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低压中和化CMOS差分低噪声放大器设计
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作者 宋睿丰 廖怀林 +1 位作者 黄如 王阳元 《电子器件》 CAS 2007年第2期465-468,共4页
以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下... 以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB. 展开更多
关键词 射频集成电路 中和化技术 低功耗 低噪声放大器
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用于传感器信号获取的恒定带宽PGA设计 被引量:1
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作者 许小蕾 白春风 +1 位作者 华鑫玮 王耀攀 《集成电路应用》 2023年第10期30-32,共3页
阐述基于180nm CMOS工艺的一种用于传感器AFE(Analog Front End, AFE)的低噪声恒定带宽PGA电路设计,其1~4级为可选接入级,采用基于全差分放大器的低噪声开环结构。最后一级为推挽输出的增益精调级,采用基于跨导-跨阻闭环反馈型结构。芯... 阐述基于180nm CMOS工艺的一种用于传感器AFE(Analog Front End, AFE)的低噪声恒定带宽PGA电路设计,其1~4级为可选接入级,采用基于全差分放大器的低噪声开环结构。最后一级为推挽输出的增益精调级,采用基于跨导-跨阻闭环反馈型结构。芯片测试结果表明,该PGA的增益范围为0~66.7dB,步进为1dB;在1.8V供电电压下,功耗为1.01mW;等效输入噪声为3.9μ VRMS(1~100kHz积分)。此外,由于最后一级采用跨导-跨阻结构,该PGA的增益曲线还具有恒定带宽的显著优势。 展开更多
关键词 电路设计 恒定带宽 低噪声 跨导跨阻结构 直流失调消除
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