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面向UWB应用的多模可重构LNA设计
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作者 刘启航 雷倩倩 +1 位作者 熊剑辉 张旭东 《电子学报》 北大核心 2025年第2期431-439,共9页
为了解决接收机射频前端单片多频段兼容性问题,本文提出了一种新型的面向超宽带应用的带宽可重构低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)结构.该LNA基于开关切换式可重构设计方法,将开关可调设计嵌套在级联LNA电路的负载中,通过对并联... 为了解决接收机射频前端单片多频段兼容性问题,本文提出了一种新型的面向超宽带应用的带宽可重构低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)结构.该LNA基于开关切换式可重构设计方法,将开关可调设计嵌套在级联LNA电路的负载中,通过对并联电阻反馈结构的负载电感进行可重构设计,控制低频阻抗谐振点和对应增益极点的位置来实现不同UWB工作模式带内匹配和增益曲线的切换,相较于在输入/输出匹配通路引入开关的设计方法,将开关置于负载级,在不影响阻抗匹配的前提下优化增益和噪声;并对传统电感并联峰化技术中的电阻和电感进行可调设计兼顾不同工作带宽内的增益平坦度.基于SMIC 28 nm CMOS工艺,电磁建模提参后的仿真结果表明,LNA有3.1~10.6 GHz、6~10.6 GHz和3.1~5 GHz3种工作模式,可实现的带内电压增益(S_(21))均处于16.59 dB以上,最小噪声系数小于3 dB;在0.8 V的电源电压下,3种模式的输入输出匹配(S_(11)、S_(22))均小于-10 dB,静态功耗仅为9.03 mW;引入MOS开关后,3种带宽的LNA噪声系数恶化均小于0.2 dB. 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 带宽可调 可重构 开关切换 电感峰化
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一种CMOS超宽带LNA的优化设计方法 被引量:11
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作者 刘萌萌 张盛 +2 位作者 王硕 张建良 周润德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1082-1086,共5页
为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元... 为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元件参数的方法,实现了较好的输入阻抗匹配,达到了较高的增益、较好的增益平坦度以及优秀的噪声系数,并具有较低的功耗;本设计方法所用无源元件不但适宜CMOS集成,而且对工艺偏差具有一定的忍耐力.仿真结果说明用上述方法设计的超宽带LNA在工作频带内能够达到预期的各项性能要求. 展开更多
关键词 射频前端低噪声放大器 超宽带 优化设计方法 CMOS
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一种低功耗CMOS LNA优化设计方法 被引量:3
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作者 周洪敏 张瑛 +1 位作者 于映 丁可柯 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2015年第1期114-118,共5页
基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22.... 基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22.47 d B,噪声系数为1.167 d B,输入反射系数(S11)、输出反射系数(S22)、反向隔离度(S12)分别为-24.74 d B、-17.37 d B、-31.52 d B。在1.5 V电源电压下,功耗为17.3 m W。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 输入匹配 低功耗
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基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器研制
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作者 王民川 朱志甫 +4 位作者 黄河 邹继军 邢宗强 方波 陈少佳 《核电子学与探测技术》 北大核心 2025年第3期388-396,共9页
金刚石探测器在核辐射探测中具有广阔的应用。本文基于电荷灵敏放大器的基本原理,采用共源极放大器和差分放大器的组合方式,设计了一种基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器。实验结果显示,本底等效噪声电荷为168 e^(-),能谱... 金刚石探测器在核辐射探测中具有广阔的应用。本文基于电荷灵敏放大器的基本原理,采用共源极放大器和差分放大器的组合方式,设计了一种基于金刚石探测器的低噪声高增益电荷灵敏放大器。实验结果显示,本底等效噪声电荷为168 e^(-),能谱分辨率和电荷收集效率分别为2.63%和86%。所有指标均达到了设计要求。该放大器有望在金刚石探测器的能谱分析、位置分辨和束流监测等领域得到应用。 展开更多
关键词 金刚石 低噪声 高增益 电荷灵敏放大器
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一种具有0.5dB噪声系数的450~470MHz单片集成LNA 被引量:1
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作者 曾健平 戴志伟 +2 位作者 杨浩 张海英 郑新年 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期91-94,共4页
基于0.5μm赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器(LNA),该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配,减小了无源元件占有的芯片面积,达到了单片集成的目的,同时降低... 基于0.5μm赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器(LNA),该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配,减小了无源元件占有的芯片面积,达到了单片集成的目的,同时降低了使用成本,测试结果表明,该单片集成LNA具有40dB左右的增益和约0.5dB的噪声系数,其低噪声性能十分优秀,这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性. 展开更多
关键词 低噪声放大器 阻容负反馈 单片集成 低频段 PHEMT
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UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术 被引量:1
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作者 张东晖 张万荣 +3 位作者 金冬月 谢红云 丁春宝 赵昕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期218-222,共5页
从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式。通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性以及对超宽带低噪声放大器(UWB LNA)增益平... 从异质结晶体管(HBT)的小信号模型着手,得到了几种不同反馈形式下HBT的S参数解析表达式。通过对比不同反馈形式的仿真结果,分析了各种反馈形式对S参数的影响,并着重研究了反馈技术对电路稳定性以及对超宽带低噪声放大器(UWB LNA)增益平坦度的影响。结果表明,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性负反馈,可以使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿了晶体管本身高频增益的下降,同时,也提高了整个电路的稳定性。采用这种反馈结构,设计了一款3~10 GHz超宽带低噪声放大器。仿真结果表明,该放大器在整个频带范围内无条件稳定,传输增益较高,增益平坦度较好,噪声系数较低,是一款无条件稳定并有着较好增益平坦度的超宽带低噪声放大器。 展开更多
关键词 电抗反馈 增益平坦化 稳定性 低噪声放大器 锗硅异质结晶体管
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基于同轴型高纯锗探测器的CMOS电荷灵敏前置放大器设计
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作者 刘崭 何高魁 刘海峰 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第3期717-724,共8页
本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影... 本文设计了一款多通道低噪声的电荷灵敏前置放大器,专用于输入电容较大的同轴型高纯锗探测器。大电容探测器会带来更大的输入噪声,为保证高能量分辨率,对前端电子学的噪声性能提出了较高的标准。在多级放大器中,总噪声受第一级噪声的影响最显著。因此,输入管必须具有优异的噪声性能,通过采用优化后的噪声模型、多次仿真迭代和特殊的版图结构得到低噪声输入管。当输入管尺寸较大时,会产生栅极漏电流,漏电流会改变前置放大器输出的基准位置。本文采用了一种带漏电流补偿的反馈电阻模块,该模块消除了反馈电阻对电源、温度和工艺变化的敏感性,同时可补偿几μA的泄漏电流,且电路为自偏置,无需外部偏压设定反馈电阻阻值。此前置放大器在10 pF的探测器电容下,上升时间不超过50 ns,且无任何震荡现象。在低温下前置放大器展示出仅5.6个电子的低噪声性能,具有5 mV/fC的输出转换增益和0.15%的线性度及12.5 mW的较低静态功耗。在特定的低能量辐射检测应用中,电路性能良好。 展开更多
关键词 高纯锗探测器 电荷灵敏前置放大器 低噪声 集成电路设计
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一种用于火灾检测的X波段辐射计系统
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作者 邹艺杯 丰励 +2 位作者 赵阳 郑文超 鲁栋 《现代电子技术》 北大核心 2025年第5期175-180,共6页
为了解决传统火灾检测系统在森林、复杂的山区地形等场景下可能会出现误报或漏报的问题,文中设计了一种用于火灾检测的X波段辐射计系统,其主要包括两部分,分别是前端高定向阵列天线以及直检型辐射计通道。阵列天线经实测,增益达到21.44 ... 为了解决传统火灾检测系统在森林、复杂的山区地形等场景下可能会出现误报或漏报的问题,文中设计了一种用于火灾检测的X波段辐射计系统,其主要包括两部分,分别是前端高定向阵列天线以及直检型辐射计通道。阵列天线经实测,增益达到21.44 dB,3 dB波束宽度小于15°,辐射计通道包括低噪声放大器模块、带通滤波器模块和对数检波模块,该通道具有体积小、高集成度、低功耗等特点。实验结果表明,系统能够探测不同环境下温度的辐射能量,并最终以电压的方式呈现。 展开更多
关键词 微波辐射计 微带阵列天线 火灾检测 辐射计通道 X波段 低噪声放大器
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低功耗高增益CMOS LNA的设计
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作者 伊廷荣 成立 +2 位作者 王玲 范汉华 植万江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期726-729,共4页
设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表... 设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18μm,当中心频率f0为2.4GHz、电源电压VDD为1.8V时其功率增益S21为16.5dB,但功耗Pd只有2.9mW,噪声系数NF为2.4dB,反向隔离度S12为-58dB。由此验证了所设计的CMOSRF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100nm级的研发方向发展。 展开更多
关键词 低噪声放大器 CMOS射频电路 低功耗 高增益
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兼顾群延时与宽带匹配的SiGe HBT LNA设计
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作者 黄璐 张万荣 +3 位作者 谢红云 沈珮 黄毅文 胡宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1118-1121,1126,共5页
选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的... 选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感LB与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影响进行了讨论,优化LB以满足兼容群延时与宽带匹配的要求。该放大器在3.1-10.6 GHz的带宽内增益达到12.7 dB,增益变化小于等于1.8 dB,噪声小于3.85 dB,群延时小于24 ps,静态功耗仅为6.3 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 宽带匹配 群延时
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基于ADS的滤波低噪声放大器功能融合电路仿真设计教学案例
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作者 蔡奇 谢清林 《实验室研究与探索》 北大核心 2025年第6期82-86,共5页
以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声... 以低噪声放大器为切入点,基于先进设计系统,设计了融合滤波器功能的低噪声放大器。设计基于高增益、高线性度和低噪声E-pHEMT芯片,结合改良的切比雪夫带通架构,将抽象的射频理论融入具体电路设计实例。设计的低噪声放大器性能优越,噪声系数≤1 dB,带内增益高,在3~4 GHz范围内无条件稳定等特性,并兼具良好的带通滤波功能。这种基于实例的教学方式,有效解决传统教学中理论抽象、难以理解的问题,提升课堂互动性,促进学生实践应用与创新思维能力的培养。研究对完善课程教学体系具有理论支持和实践指导意义,为同类课程提供了从理论讲授到实践操作的完整教学路径,有力提升课程教学质量。 展开更多
关键词 功能融合电路 低噪声放大器 滤波器 教学方法
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0.9μA 0.039 mm^(2)的神经信号采集前端IC
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作者 顾文菁 张轩 姚镭 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第2期119-122,共4页
随着神经科学的发展,降低单位通道所消耗的功耗和硅面积成为设计多通道植入式神经接口电路的关键。提出了一种在通道内使用低功耗比较器将模拟信号转化为带有神经动作电位(AP)特征的数字信号的方式来降低单位通道的功耗和面积,所提出的... 随着神经科学的发展,降低单位通道所消耗的功耗和硅面积成为设计多通道植入式神经接口电路的关键。提出了一种在通道内使用低功耗比较器将模拟信号转化为带有神经动作电位(AP)特征的数字信号的方式来降低单位通道的功耗和面积,所提出的原型电路包括低噪声放大器、带通滤波器和比较器,在中芯国际(SMIC)0.18μm CMOS标准工艺下设计和制造,核心电路面积为0.039 mm^(2)。在实验室测试环境中,电路的中频增益为63.2 dB,在0.3~10 kHz带宽范围内的总等效输入噪声为6.1μVrms,噪声效率因子(NEF)为2.2,该电路能够识别18μVPP的信号,在1.8 V电源电压下的功耗仅为1.66μW。 展开更多
关键词 神经信号采集IC 低功耗 小面积 低噪声放大器 带通滤波器 比较器
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一种提升超高增益脉冲电流放大电路性能的新方法
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作者 兰江 李明勇 +2 位作者 喻洁 郑舟 买向前 《传感技术学报》 北大核心 2025年第2期249-255,共7页
针对质谱、离子迁移谱、核探测等高端精密分析仪器中pA~nA微弱脉冲电流的放大问题,在传统的电阻反馈型和电容积分型前置放大电路基础上,提出了一种提升超高增益脉冲电流放大电路性能的新方法。该方法利用JFET型晶体管高输入阻抗和超低... 针对质谱、离子迁移谱、核探测等高端精密分析仪器中pA~nA微弱脉冲电流的放大问题,在传统的电阻反馈型和电容积分型前置放大电路基础上,提出了一种提升超高增益脉冲电流放大电路性能的新方法。该方法利用JFET型晶体管高输入阻抗和超低噪声运放优点,设计了提升脉冲电流放大增益和抑制电容偏差的双通道T型反馈网络,解决了pA级脉冲电流放大中高增益、低噪声、宽带宽相互制约的难题。通过仿真计算并与德国FEMTO公司的DLPCA-200、日本NF公司的CA5351溯源级前置放大器等进行性能对比测试,表明在增益、带宽和噪声方面,新型前置放大电路性能优于DLPCA-200和CA5351,其跨阻增益可达10^(10),带宽≥5 kHz,等效输入电流噪声≤5 fA/Hz^(0.5),可有效提升高增益脉冲电流放大电路的输入阻抗、带宽、带宽一致性、脉冲动态放大等性能。 展开更多
关键词 微弱信号检测 高增益脉冲电流放大电路 T型反馈网络 全差分JFET型拓扑结构 超低噪声
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一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 被引量:5
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作者 谌斐华 多新中 孙晓玮 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期2772-2775,共4页
高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6... 高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8GHz,最大增益为21.8dB、最小增益8.2dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7dB,典型的IIP3为-7dBm。 展开更多
关键词 RFCMOS 低噪声放大器(lna) 噪声消除 宽带 可变增益
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L波段0.9mW CMOS LNA的分析与设计 被引量:2
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作者 康成斌 杜占坤 阎跃鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1003-1006,共4页
给出了一种采用Г型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L波段的低功耗低噪声放大器。采用CMOS 0.18μm工艺,... 给出了一种采用Г型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L波段的低功耗低噪声放大器。采用CMOS 0.18μm工艺,设计了完整的ESD保护电路,并进行了QFN封装。测试结果表明,在1.57 GHz工作频率下,该低噪声放大器的输入回波损耗小于-30 dB,输出回波损耗小于-14 dB,增益为15.5 dB,噪声系数(NF)为2.4 dB,输入三阶交调点(IIP3)约为-8 dBm。当工作电压为1.5 V时,功耗仅为0.9 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 低功耗 阻抗匹配 互补型金属氧化物半导体 寄生效应
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基于ATF54143的LNA设计 被引量:7
16
作者 张小兵 陈德智 《现代电子技术》 2007年第20期165-167,共3页
主要通过对低噪声放大器(LNA)的一些主要指标:增益、噪声系数、稳定性等的研究,同时讨论了低噪声放大器具体匹配电路和偏置电路的设计,基于ATF54143进行了低噪声放大电路设计,通过ADS对电路的仿真研究,并通过对仿真结果反复分析及对电... 主要通过对低噪声放大器(LNA)的一些主要指标:增益、噪声系数、稳定性等的研究,同时讨论了低噪声放大器具体匹配电路和偏置电路的设计,基于ATF54143进行了低噪声放大电路设计,通过ADS对电路的仿真研究,并通过对仿真结果反复分析及对电路的不断改进,最后测得实验结果,电路各项指标均达到要求,并有一定裕量。 展开更多
关键词 低噪声放大器(lna) 稳定性 匹配电路 偏置电路
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基于0.13μm CMOS工艺的毫米波宽带LNA设计 被引量:2
17
作者 陶路 王军 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第5期110-112,121,共4页
针对5G通信技术在毫米波频段的应用,设计了一种25~30 GHz的低噪声放大器(LNA)。为了在毫米波频段实现高增益,采用了三级电路级联结构,第一级采用共源结构,第二、三级采用共源共栅(cascode)结构,在共源管和共栅管之间加入级间电感,消除... 针对5G通信技术在毫米波频段的应用,设计了一种25~30 GHz的低噪声放大器(LNA)。为了在毫米波频段实现高增益,采用了三级电路级联结构,第一级采用共源结构,第二、三级采用共源共栅(cascode)结构,在共源管和共栅管之间加入级间电感,消除级间寄生电容和抑制共栅管的输出噪声。添加反馈网络来优化电路,利用En-In噪声模型对反馈网络进行噪声分析,优化LNA噪声性能。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,采用ADS软件平台对LNA进行仿真。实验结果表明:在25~30 GHz频段内性能良好,S11小于-12.6 dB,S22小于-13.4 dB,S 21为(25.6±0.3)dB,NF为(2.27~2.77)dB。 展开更多
关键词 毫米波 低噪声放大器 En-In噪声模型 反馈
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两路合成式LNA的噪声系数分析与设计 被引量:1
18
作者 汪玉平 《电讯技术》 北大核心 2010年第1期103-106,共4页
两路合成式接收系统的噪声系数对各路增益的一致性要求很高。为保证测试和实际使用中噪声系数误差控制在合理范围内,结合理论计算和ADS软件仿真,得出两路增益差控制在±5%左右,噪声系数误差在±0.1dB左右。将此结论应用于工程... 两路合成式接收系统的噪声系数对各路增益的一致性要求很高。为保证测试和实际使用中噪声系数误差控制在合理范围内,结合理论计算和ADS软件仿真,得出两路增益差控制在±5%左右,噪声系数误差在±0.1dB左右。将此结论应用于工程设计中,取得了较好的效果。 展开更多
关键词 接收机前端 低噪声放大器 两路合成 噪声系数 ADS仿真
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基于多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz CMOS宽带LNA设计
19
作者 万求真 吴潇婷 +1 位作者 徐蒙 徐丹丹 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期124-130,共7页
在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入... 在传统共栅放大器结构基础上,基于0.18μm CMOS工艺,提出一种带多重反馈环路技术的0.8~5.2GHz宽带低噪声放大器(LNA).该电路采用的负反馈结构在改善噪声系数和输入阻抗匹配的同时并不需要消耗额外的功耗;采用的双重正反馈结构增加了输入级MOS管跨导设计的灵活性,并可通过输出负载阻抗反过来控制输入阻抗匹配,使得提出的LNA在宽频率范围内实现功率增益、输入阻抗与噪声系数的同时优化.后版图仿真结果显示,在0.8~5.2GHz频段内,该宽带LNA的功率增益范围为12.0~14.5dB,输入反射系数S_(11)为-8.0^-17.6dB,输出反射系数S_(22)为-10.0^-32.4dB,反向传输系数S12小于-45.6dB,噪声系数NF为3.7~4.1dB.在3GHz时的输入三阶交调点IIP3为-4.0dBm.芯片在1.5V电源电压下,消耗的功率仅为9.0mW,芯片总面积为0.7mm×0.8mm. 展开更多
关键词 CMOS 射频集成电路 低噪声放大器 宽带 多重反馈环路技术
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硅基毫米波高增益LNA技术研究 被引量:1
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作者 卢启军 陈野 +1 位作者 张涛 朱樟明 《雷达科学与技术》 北大核心 2022年第4期397-402,414,共7页
针对W波段硅基工艺电路面临的功率增益低、效率低以及噪声差等挑战,本文研究硅基毫米波高增益低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)技术。该LNA采用带有射极电感反馈的共射放大器,并通过五级共射放大器级联构成。第一级电路通过提供... 针对W波段硅基工艺电路面临的功率增益低、效率低以及噪声差等挑战,本文研究硅基毫米波高增益低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)技术。该LNA采用带有射极电感反馈的共射放大器,并通过五级共射放大器级联构成。第一级电路通过提供最小噪声偏置电流,并利用最小噪声匹配实现低噪声性能,后级电路通过提供高增益偏置电流实现高增益性能。另外,为了减小射频信号到衬底的损耗以及信号与旁路元件的耦合,有效提高低噪声放大器的性能,用于匹配电路的电感全部采用传输线形式—接地共面波导。低噪声放大器在中心频率94 GHz处的增益S_(21)达到25.2 dB,噪声系数NF小至5.1 dB。在90~100 GHz频段内,输入反射系数S_(11)小于-10 dB,输出反射系数S_(22)稳定在-20 dB左右,芯片面积为500μm×960μm。 展开更多
关键词 W波段 硅基 低噪声放大器 接地共面波导
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