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光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺
被引量：
3
1
作者
朱赤
王溯源
+2 位作者
章军云
林罡
黄念宁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期305-309,共5页
基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影...
基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影响。采用热流淌工艺形成的胶剖面在HEMT器件双层胶工艺中有重要应用,可实现极限分辨率的突破及栅剖面形貌的优化,有利于提升器件成品率和可靠性。
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关键词
分辨率
光刻胶流淌
特征尺寸
线宽收缩
表面状态
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职称材料
题名
光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺
被引量：
3
1
作者
朱赤
王溯源
章军云
林罡
黄念宁
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期305-309,共5页
文摘
基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影响。采用热流淌工艺形成的胶剖面在HEMT器件双层胶工艺中有重要应用,可实现极限分辨率的突破及栅剖面形貌的优化,有利于提升器件成品率和可靠性。
关键词
分辨率
光刻胶流淌
特征尺寸
线宽收缩
表面状态
Keywords
resolution
resist reflow
critical dimension
line width shrink
surface state
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺
朱赤
王溯源
章军云
林罡
黄念宁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
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