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氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展 被引量:12
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作者 廖乃镘 李伟 +3 位作者 蒋亚东 匡跃军 李世彬 吴志明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期21-24,共4页
氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,... 氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 稳定性 光致衰退效应 物理模型 稳定化处理
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a-Si:Hp-i-n型太阳能电池中的载流子俘获效应──a-Si:H太阳能电池稳定性研究 被引量:1
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作者 林鸿生 《中国科学技术大学学报》 CSCD 北大核心 1996年第2期137-142,共6页
本文基于我们的实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-Si:HP-i-n型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明,随着光辐照发生的载流子俘获所造成的a... 本文基于我们的实验结果,应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-Si:HP-i-n型太阳能电池进行计算机数值分析。结果表明,随着光辐照发生的载流子俘获所造成的a-Si:H中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布产生变化和准中性区(低场“死层”)的出现。这是a-Si:Hp-i-n型太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是,一条提高a-Si:H太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出。 展开更多
关键词 载流子俘获效应 太阳能电池 稳定性
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a-Si∶H Schottky势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应
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作者 林鸿生 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期193-198,共6页
本文应用计算机数值模拟方法研究了a-Si:HSchottky势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应.结果表明,无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布,导致准中性区(低场“死层”)出现或扩大,从而减小了... 本文应用计算机数值模拟方法研究了a-Si:HSchottky势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应.结果表明,无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布,导致准中性区(低场“死层”)出现或扩大,从而减小了电池的载流子收集长度,这是引起a-Si:HSchottky势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因. 展开更多
关键词 载流子俘获 太阳能电池 电场 调制效应
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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析 被引量:2
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作者 林鸿生 马雷 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期33-36,共4页
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效... 基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多
关键词 光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法 稳定性 a-si:h太阳能电池 硅太阳能电池
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a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究 被引量:1
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作者 林鸿生 林罡 段开敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期50-52,56,共4页
通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜... 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场“死层”),因而没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退。a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 展开更多
关键词 太阳能电池 稳定性 叠层
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a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析
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作者 林鸿生 段开敏 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期245-248,共4页
通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H... 通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。 展开更多
关键词 a-si:h光诱导性能衰退 a-si:h隙态密度分布 Newton-Raphson解法
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热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究 被引量:1
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作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页
为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应
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