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全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）被引量：3: 1; 作者李欢杨成奥 +5 位作者谢圣文黄书山柴小力张宇王金良牛智川《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期140-143,153,共5页; 成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到... 展开更多; 关键词镓锑基侧向耦合分布反馈 lc-dfb 全息光刻二阶布拉格光栅; 在线阅读下载PDF 职称材料

锑化物中红外单模半导体激光器研究进展被引量：3: 2; 作者杨成奥谢圣文 +6 位作者黄书山袁野张一尚金铭张宇徐应强牛智川《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期6-13,共8页; 锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现了大功率单管、阵列激光器的室温工作。然而,由于锑化物材料与... 展开更多; 关键词侧向耦合分布反馈激光器 lc-dfb 量子阱 GASB 二阶布拉格光栅; 在线阅读下载PDF 职称材料

1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器: 3; 作者李齐柱伏霞 +6 位作者张子旸王旭陈红梅侯春彩黄源清郭春扬闵嘉华《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期472-483,共12页; 为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深... 展开更多; 关键词分布反馈激光器侧向耦合浅刻蚀光栅边模抑制比; 在线阅读下载PDF 职称材料

侧向耦合分布反馈半导体激光器光栅结构及耦合特性被引量：2: 4; 作者李瑞冬邹永刚 +3 位作者田锟王睿范杰兰云萍《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1921-1927,共7页; 耦合系数是评价分布反馈(DFB)半导体激光器光栅性能的重要参数。本文基于耦合波理论,结合数值模拟,研究了侧向耦合表面光栅结构参数对其耦合特性的影响。与矩形光栅侧向耦合脊波导结构对比,研究了对称梯形、错位梯形、对称结形、错位结... 展开更多; 关键词布拉格光栅耦合系数侧向耦合分布反馈; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）被引量：3: 1; 作者李欢杨成奥谢圣文黄书山柴小力张宇王金良牛智川; 机构北京航空航天大学物理科学与核能工程学院中国科学院半导体研究所超晶格实验室中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期140-143,153,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61435012,61290303) the National 973 program(2014CB643903,2013CB932904); 文摘成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到24 d B.; 关键词镓锑基侧向耦合分布反馈 lc-dfb 全息光刻二阶布拉格光栅; Keywords GaSb-based laterally coupled distributed feedback laterally coupled distributed feedback(lc-dfb) holographic lithography second order Bragg grating; 分类号 O43 [机械工程—光学工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锑化物中红外单模半导体激光器研究进展被引量：3: 2; 作者杨成奥谢圣文黄书山袁野张一尚金铭张宇徐应强牛智川; 机构中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期6-13,共8页; 基金国家自然科学基金(61790581 61790582 +1 种基金 61435012) 国家重点基础研究发展计划(2014CB643903); 文摘锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现了大功率单管、阵列激光器的室温工作。然而,由于锑化物材料与常见的半导体单模激光器制备工艺的不兼容性,只有少数几个研究单位和公司掌握了锑化物单模激光器的制备技术。文中介绍了锑化物单模激光器常用的侧向耦合分布反馈激光器的基本原理,分析了其设计的关键技术,回顾了锑化物单模激光器的设计方案和制备技术,并针对国内外锑化物单模激光器主要研究内容进行了总结。; 关键词侧向耦合分布反馈激光器 lc-dfb 量子阱 GASB 二阶布拉格光栅; Keywords laterally-coupled distributed feedback laser lc-dfb quantum well GaSb second-order Bragg grating; 分类号 TN24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器: 3; 作者李齐柱伏霞张子旸王旭陈红梅侯春彩黄源清郭春扬闵嘉华; 机构上海大学材料科学与工程学院国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室; 出处《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期472-483,共12页; 基金国家自然科学基金资助项目(61575215) 科技部重点研究与发展计划资助项目(2016YFB0402303); 文摘为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深刻蚀.采用非掺杂和p掺杂两种InAs/GaAs量子点(quantum dot,QD)样品来制备LC-DFB激光器.与采用传统方法制备的DFB激光器相比,非掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了低的阈值电流,其值为1.12mA/量子点层;p掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了较大的特征温度和斜率效率.在室温下,这种浅刻蚀的LC-DFB激光器实现了单纵模连续输出,边模抑制比(side mode suppression ratio,SMSR)高达51dB.同时,在不同的测试温度和注入电流下,这种激光器表现出了优良的波长稳定性.1.3μm浅刻蚀量子点LC-DFB激光器有望在远距离光纤通信领域实现巨大应用价值.; 关键词分布反馈激光器侧向耦合浅刻蚀光栅边模抑制比; Keywords distributed feedback(DFB)laser laterally coupled(LC) shallow-etched grating side mode suppression ratio(SMSR); 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名侧向耦合分布反馈半导体激光器光栅结构及耦合特性被引量：2: 4; 作者李瑞冬邹永刚田锟王睿范杰兰云萍; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1921-1927,共7页; 基金吉林省科技发展计划(20190302052GX,20210201030GX)资助项目。; 文摘耦合系数是评价分布反馈(DFB)半导体激光器光栅性能的重要参数。本文基于耦合波理论,结合数值模拟,研究了侧向耦合表面光栅结构参数对其耦合特性的影响。与矩形光栅侧向耦合脊波导结构对比,研究了对称梯形、错位梯形、对称结形、错位结形、双对称梯形和双对称结形六种特殊侧向微结构光栅,通过改变光栅侧壁纵向倾角、调整光栅的光学限制因子等途径,有效地实现了光栅的耦合系数调控。模拟分析了脊波导特殊侧向微结构光栅的占空比、脊宽、光栅侧向宽度等结构参数对耦合系数的影响,发现合理的结构参数能够有效地缓解耦合系数的波动,有助于减少工艺误差对耦合系数的影响。本工作为后续光栅结构设计与制备提供了理论依据。; 关键词布拉格光栅耦合系数侧向耦合分布反馈; Keywords Bragg grating coupling coefficient laterally-coupled distributed feedback; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）	李欢杨成奥谢圣文黄书山柴小力张宇王金良牛智川	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	锑化物中红外单模半导体激光器研究进展	杨成奥谢圣文黄书山袁野张一尚金铭张宇徐应强牛智川	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器	李齐柱伏霞张子旸王旭陈红梅侯春彩黄源清郭春扬闵嘉华	《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	侧向耦合分布反馈半导体激光器光栅结构及耦合特性	李瑞冬邹永刚田锟王睿范杰兰云萍	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料