检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型被引量：1: 1; 作者赵青云于宝旗 +1 位作者朱兆旻顾晓峰《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期526-530,544,共6页; 通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚... 展开更多; 关键词二维泊松方程无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压亚阈值区电流亚阈值摆幅; 在线阅读下载PDF 职称材料

无结场效应晶体管生化传感器研究进展被引量：1: 2; 作者姜齐风张静 +5 位作者魏淑华张青竹王艳蓉李梦达胡佳威闫江《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期854-864,共11页; 基于无结场效应晶体管(JLFET)的生化传感器制备工艺简单,不存在传统场效应晶体管(FET)源漏结构引起的pn结杂质扩散等问题,因而备受重视。以工作机制可将其分为离子敏感型与介电调制型两大类,分别通过电解液向半导体转移电荷和调制栅介... 展开更多; 关键词无结场效应晶体管(jlfet) 生化传感器电解质传感层介电调制; 在线阅读下载PDF 职称材料

无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展: 3; 作者肖德元张汝京《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期87-98,共12页; 迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所... 展开更多; 关键词摩尔定律 CMOS器件无结场效应管量子阱场效应晶体管碳纳米管场效应晶体管石墨烯场效应晶体管二维半导体场效应晶体管真空沟道场效应管; 在线阅读下载PDF 职称材料

GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管: 4; 作者王素元《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期364-370,共7页; 提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET)。该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层感应出空穴(p型)或电子(n型),在无需掺杂的前提下,形成器件的源区、沟道... 展开更多; 关键词无结型隧穿场效应晶体管(JLTFET) GeSn Ge 带带隧穿(BTBT) 亚阈值摆幅; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性: 5; 作者刘先婷刘伟景李清华《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期570-576,共7页; 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性... 展开更多; 关键词无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET) 反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET) 模拟/射频(RF)特性环境温度传导模式; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型被引量：1: 1; 作者赵青云于宝旗朱兆旻顾晓峰; 机构轻工过程先进控制教育部重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期526-530,544,共6页; 基金专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUSRP211A37) +1 种基金江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053); 文摘通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的影响。最后,利用Atlas软件对器件进行了模拟研究。结果表明,根据解析模型得到的计算值与模拟值一致,验证了模型的准确性。这些模型可为设计和应用新型的短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管提供理论基础。; 关键词二维泊松方程无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压亚阈值区电流亚阈值摆幅; Keywords two-dimensional Possion＇s equation junctionless cylindrical surrounding-gate met-al-oxide-semiconductor field effect transistor （JLCSG MOSFET） threshold voltage subthresholdcurrent subthreshold swing; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无结场效应晶体管生化传感器研究进展被引量：1: 2; 作者姜齐风张静魏淑华张青竹王艳蓉李梦达胡佳威闫江; 机构北方工业大学信息学院中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期854-864,共11页; 文摘基于无结场效应晶体管(JLFET)的生化传感器制备工艺简单,不存在传统场效应晶体管(FET)源漏结构引起的pn结杂质扩散等问题,因而备受重视。以工作机制可将其分为离子敏感型与介电调制型两大类,分别通过电解液向半导体转移电荷和调制栅介质电容使传感器阈值电压及电流发生变化以达到探测生化物质的目的。综述了两类JLFET生化传感器的工作原理,列举该器件在不同材料、结构等方面的改进并介绍其性能,以供微纳电子学与生物化学交叉学科领域的研究者参考。; 关键词无结场效应晶体管(jlfet) 生化传感器电解质传感层介电调制; Keywords junctionless field effect transistor(jlfet) biochemical sensor electrolyte sensing layer dielectric modulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展: 3; 作者肖德元张汝京; 机构上海新昇半导体科技有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期87-98,共12页; 基金国家科技重大专项资助项目(2015ZX02401); 文摘迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。; 关键词摩尔定律 CMOS器件无结场效应管量子阱场效应晶体管碳纳米管场效应晶体管石墨烯场效应晶体管二维半导体场效应晶体管真空沟道场效应管; Keywords Moore′s law CMOS junctionless field effect transistor quantum well field effect transistor carbon nano-tube field effect transistor graphene field effect transistor 2D semiconductor material channel field effect transistor vacuum channel field effect transistor; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管: 4; 作者王素元; 机构中国民航大学理学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期364-370,共7页; 基金中央高校基本科研业务费项目中国民航大学专项资助项目(3122018L010) 中国民航大学科研启动基金资助项目(2017QD21X)。; 文摘提出了一种新型GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管(GeSn/Ge-hetero JLTFET)。该器件结合了直接窄带隙材料GeSn与传统JLTFET的优点,利用功函数工程诱导器件本征层感应出空穴(p型)或电子(n型),在无需掺杂的前提下,形成器件的源区、沟道区和漏区,从而避免了使用复杂的离子注入工艺和引入随机掺杂波动。该器件减小了隧穿路径宽度,提高了开态电流,获得了更陡峭的亚阈值摆幅。仿真结果表明GeSn/Ge-hetero JLTFET的开态电流为7.08×10^-6 A/μm,关态电流为3.62×10^-14 A/μm,亚阈值摆幅为37.77 mV/dec。同时,GeSn/Ge-hetero JLTFET的相关参数(跨导、跨导生成因子、截止频率和增益带宽积)的性能也优于传统器件。; 关键词无结型隧穿场效应晶体管(JLTFET) GeSn Ge 带带隧穿(BTBT) 亚阈值摆幅; Keywords junctionless tunnel field effect transistor(JLTFET) GeSn Ge band-to-band tunneling(BTBT) subthreshold swing; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性: 5; 作者刘先婷刘伟景李清华; 机构上海电力大学电子与信息工程学院深圳锐越微技术有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期570-576,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(52177185 62174055)。; 文摘无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性的影响,对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET由于掺杂浓度和传导方式不同导致的性能差异。结果表明,随着温度升高,载流子声子散射加剧,器件的寄生电容增加,导致器件的模拟/RF性能下降。体传导的JLNT-FET受到声子散射影响较小,所以其漏源电流受温度影响比表面传导的IMNT-FET小。另外,JLNT-FET的载流子迁移率受沟道重掺杂影响,导致其驱动能力和模拟/RF性能都比IMNT-FET差。研究结果对进一步优化这两类器件及其在电路中的应用具有一定的参考意义。; 关键词无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET) 反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET) 模拟/射频(RF)特性环境温度传导模式; Keywords junctionless nanotube field-effect transistor(JLNT-FET) inversion-mode nanotube field-effect transistor(IMNT-FET) analog/radio frequency(RF)characteristics ambient temperature conduction mode; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型	赵青云于宝旗朱兆旻顾晓峰	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	无结场效应晶体管生化传感器研究进展	姜齐风张静魏淑华张青竹王艳蓉李梦达胡佳威闫江	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展	肖德元张汝京	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GeSn/Ge异质无结型隧穿场效应晶体管	王素元	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性	刘先婷刘伟景李清华	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料