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题名一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器
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作者
冯仕豪
余德水
马奎
杨发顺
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机构
贵州大学大数据与信息工程学院
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
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出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第3期273-281,312,共10页
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基金
贵州省科技计划项目(黔科合支撑【2023】一般283)。
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文摘
基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管因过热而损坏,设计了过温指示及热关断模块,在139~164℃的温度区间内具有迟滞型热关断与过温指示功能。芯片测试结果显示,该电路的输入偏置电流为16.804 pA,输入失调电流为2.49 pA,开环电压增益为128.2 dB,转换速率为19.57 V/μs,增益带宽积为3.5 MHz。
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关键词
结型场效应晶体管(jfet)输入
功率运放
高转换速率
低失调
过温保护
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Keywords
junction field-effect transistor(jfet)input
power operational amplifier
high slew rate
low offset
thermal protection
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分类号
TN722.7
[电子电信—电路与系统]
TN431.1
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一款高性能JFET输入运算放大器
被引量：9
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作者
张明敏
王成鹤
杨阳
吴昊
何峥嵘
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机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期115-119,135,共6页
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文摘
基于结型场效应晶体管（JFET）和双极型晶体管（BJT）兼容工艺设计了一种高性能运算放大器。电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速率和高的可靠性。基于运算放大器工作原理的分析,对运算放大器的特性参数进行了仿真和优化,采用Bi-JFET工艺进行了工艺流片。测试结果表明,运算放大器在±15 V电源电压下输入失调电压为0.57 mV,输入偏置电流为0.021 nA,输入失调电流为0.003 nA,单位增益带宽为4.8 MHz,静态功耗为48 m W。运算放大器芯片版图尺寸为1.2 mm×1.0 mm。
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关键词
结型场效应晶体管(jfet)
双极型晶体管(BJT)
运算放大器
兼容工艺
高输入阻抗
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Keywords
junction field effect transistor （jfet）
bipolar junction transistor （BJT）
operational amplifier
compatible process
high input impedance
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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