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托卡马克中ICRH天线的优化设计 被引量:3
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作者 杜丹 龚学余 +3 位作者 刘文艳 李伟军 尹岚 陈铀 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期53-56,共4页
采用等离子体平板模型和三维天线模型数值模拟了托卡马克中ICRH天线与等离子体的耦合过程,模拟结果表明在其它实验条件相同的条件下,与反对称电流和馈线端长度短的天线相比,对称电流分布和馈线端长度长的发射天线可获得更有效的功率耦合。
关键词 平板模型 三维天线模型 离子回旋共振加热 功率谱 天线馈线端长度
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ICRH天线发射谱n_(‖)对快波少数离子加热效果的影响
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作者 任玉虎 龚学余 +3 位作者 杜丹 李圣 陈双粮 任静 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期121-126,共6页
采用等离子体分层模型,利用WKB近似研究了离子回旋共振加热(ICRH)天线发射谱n‖对离子回旋波在托卡马克等离子体的表面功率反射系数、吸收衰减的影响,数值模拟了不同天线发射谱n‖条件下快波少数离子加热的效果。模拟结果表明,当其它实... 采用等离子体分层模型,利用WKB近似研究了离子回旋共振加热(ICRH)天线发射谱n‖对离子回旋波在托卡马克等离子体的表面功率反射系数、吸收衰减的影响,数值模拟了不同天线发射谱n‖条件下快波少数离子加热的效果。模拟结果表明,当其它实验参数一定时,ICRH天线发射合适的n‖能提高天线与等离子体的耦合效率,增强少数离子加热的效果。 展开更多
关键词 等离子体分层模型 离子回旋共振加热 吸收衰减系数 等离子体表面功率反射系数
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CRAFT-ICRF低电平控制系统的设计和实现
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作者 张杨 毛玉周 朱光辉 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第1期28-35,共8页
在聚变堆主机关键系统综合研究设施(CRAFT)的实验中,为了稳定控制射频功率和满足复杂的物理实验需求,设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)芯片的低电平控制系统。通过上位机输入射频信号功率参数,采用对数检波器AD8307、直接数字频率合成... 在聚变堆主机关键系统综合研究设施(CRAFT)的实验中,为了稳定控制射频功率和满足复杂的物理实验需求,设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)芯片的低电平控制系统。通过上位机输入射频信号功率参数,采用对数检波器AD8307、直接数字频率合成器(DDS)、高精度的模数转换器(ADC)以及模拟衰减器等芯片,完成了射频功率测量与稳定输出、射频功率的反馈控制以及多阶功率调制等功能设计与实现。搭建了一套能够高效开展低电平控制系统的测试平台,通过实验验证该系统的功率反馈控制与多阶调制的有效性的同时,实现±0.3%的幅度稳定度和±0.3°的相位稳定度,且达到长时间稳定运行的要求。 展开更多
关键词 离子回旋加热 FPGA DDS 反馈控制 多阶调制
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高功率离子回旋波加热监测系统的设计
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作者 刘大明 唐忠 +1 位作者 杜海舟 赵燕平 《数据采集与处理》 CSCD 北大核心 2009年第B10期294-297,共4页
本系统的开发主要是为HT-7和EAST装置下监测发射机运行状态并提供声光报警,并为高功率离子回旋波加热物理机制研究提供准确的实时数据。采用模块化设计和图形化编程语言实现了高功率离子回旋波加热监测系统的网络通讯、人机对话、数据... 本系统的开发主要是为HT-7和EAST装置下监测发射机运行状态并提供声光报警,并为高功率离子回旋波加热物理机制研究提供准确的实时数据。采用模块化设计和图形化编程语言实现了高功率离子回旋波加热监测系统的网络通讯、人机对话、数据处理、数据显示、数据库服务及网页发布功能,通过模块划分,采用层次递进,实现了系统巡检模式及系统触发模式监控。在现场测试结果中,发射机工作状态波形监测准确,发射机故障位置判断正确,实时性符合设计要求。 展开更多
关键词 离子回旋波加热 监测系统 LABVIEW
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数值模拟天线与等离子体的耦合过程
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作者 杜丹 龚学余 +2 位作者 王振华 尹岚 杨文超 《科学技术与工程》 2010年第26期6508-6510,共3页
采用等离子体平板模型和三维天线模型研究JET装置中离子回旋频段的天线与等离子体的耦合过程,在离子回旋波被等离子体全部吸收的假设条件下,通过数值求解等离子体中的快磁声波方程,得到天线耦合到等离子体的总功率随天线到外金属壁的距... 采用等离子体平板模型和三维天线模型研究JET装置中离子回旋频段的天线与等离子体的耦合过程,在离子回旋波被等离子体全部吸收的假设条件下,通过数值求解等离子体中的快磁声波方程,得到天线耦合到等离子体的总功率随天线到外金属壁的距离的增加而增加。 展开更多
关键词 平板模型 三维天线模型 离子回旋共振加热 耦合功率
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EAST装置中TZM材料基底表面硅化镀膜特性研究
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作者 管艳红 左桂忠 +3 位作者 孟献才 徐伟 黄明 胡建生 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期745-753,共9页
文章研究了EAST聚变装置中,在离子回旋(ICRF)和直流辉光(GD)两种放电辅助下氘化硅烷与氦的混合气体(10%SiD4+90%He)在第一壁钛锆钼合金(Titanium-zirconium-molybdenum,TZM)表面硅化镀膜的特性。实验结果表明,相同工作功率的ICRF辅助硅... 文章研究了EAST聚变装置中,在离子回旋(ICRF)和直流辉光(GD)两种放电辅助下氘化硅烷与氦的混合气体(10%SiD4+90%He)在第一壁钛锆钼合金(Titanium-zirconium-molybdenum,TZM)表面硅化镀膜的特性。实验结果表明,相同工作功率的ICRF辅助硅化,烘烤温度更高比烘烤温度低的样件表面沉积的硅膜均匀光滑。这可能是由于样件表面烘烤温度越高,越有利于表面物理吸附的杂质气体的释放,从而获得致密平整的硅膜。相同烘烤温度(60℃)的ICRF辅助硅化,工作功率由20 kW提升至40 kW,样件表面沉积的硅膜Si含量增加,且硅膜的膜层厚约1.5 nm。这是因为提高ICRF工作功率,有助于清除TZM样件表面的氧化物和其他化合物,可增加SiD4电离和沉积,显著提高Si/O和薄膜厚度。相同烘烤温度(160℃)下,GD辅助硅化比ICRF辅助硅化沉积的硅膜厚约3.0 nm。这可能是由于GD相比于ICRF工作气压更高,工作时间更连续均匀。以上研究为EAST中评估钼基壁材料表面硅化镀膜效果对等离子体性能的影响及其在未来和聚变装置中的应用提供了有力的数据支持及实验积累。 展开更多
关键词 硅化镀膜壁处理 辉光放电 离子回旋放电 EAST 装置
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