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GaAs/InP材料的外延技术研究: 1; 作者李玉东王本忠 +2 位作者王如峰刘式墉苏士昌《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1993年第5期29-32,共4页; 关键词砷化镓衬底材料外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量: 2; 作者卢革宇王贤仁 +2 位作者苗忠礼程强关一民《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期61-63,共3页; 本文利用X射线双晶衍射测量LPE生长的InGaAsP/InP异质结的R-C曲线,得到了异质结的垂直失配和水平失配.在考虑存在失配位错的情况下,计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度.指出了影响外延层R-C曲线半峰宽的因素.; 关键词界面双晶衍射 X射线异质结; 在线阅读下载PDF 职称材料

（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍: 3; 作者朱南昌李润身 +2 位作者陈京一彭中灵袁诗鑫《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期167-174,共8页; 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与... 展开更多; 关键词 X射线双晶衍射多量子阱硒化镉; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	GaAs/InP材料的外延技术研究	李玉东王本忠王如峰刘式墉苏士昌	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	1993	在线阅读下载PDF 职称材料
2	InGaAsP/InP异质界面的X射线双晶衍射测量	卢革宇王贤仁苗忠礼程强关一民	《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD	1993	在线阅读下载PDF 职称材料
3	（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍	朱南昌李润身陈京一彭中灵袁诗鑫	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1995	在线阅读下载PDF 职称材料