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Low-energy electronic states of carbon nanocones in an electric field
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作者 Jun-Liang Chen Ming-Horng Su +2 位作者 Chi-Chuan Hwang Jian-Ming Lu Chia-Chang Tsai 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2010年第2期121-125,共5页
The low-energy electronic states and energy gaps of carbon nanocones in an electric field are studied using a single-?-band tight-binding model. The analysis considers five perfect carbon nanocones with disclination a... The low-energy electronic states and energy gaps of carbon nanocones in an electric field are studied using a single-?-band tight-binding model. The analysis considers five perfect carbon nanocones with disclination angles of 60°, 120°, 180°, 240° and 300°, respectively. The numerical results reveal that the low-energy electronic states and energy gaps of a carbon nanocones are highly sensitive to its geometric shape(i.e. the disclination angle and height), and to the direction and magnitude of an electric field. The electric field causes a strong modulation of the state energies and energy gaps of the nanocones, changes their Fermi levels, and induces zero-gap transitions. The energy-gap modulation effect becomes particularly pronounced at higher strength of the applied electric field, and is strongly related to the geometric structure of the nanocone. 展开更多
关键词 Low-energy electronic states Carbon Nanocones electric field
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Optical pumping and population transfer of nuclear-spin states of caesium atoms in high magnetic fields
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作者 罗军 孙献平 +1 位作者 曾锡之 詹明星 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期998-1007,共10页
Nuclear-spin states of gaseous-state Cs atoms in the ground state are optically manipulated using a Ti:sapphire laser in a magnetic field of 1.516 T, in which optical coupling of the nuclear-spin states is achieved t... Nuclear-spin states of gaseous-state Cs atoms in the ground state are optically manipulated using a Ti:sapphire laser in a magnetic field of 1.516 T, in which optical coupling of the nuclear-spin states is achieved through hyperfine interactions between electrons and nuclei. The steady-state population distribution in the hyperfine Zeeman sublevels of the ground state is detected by using a tunable diode laser. Furthermore, the state population transfer among the hyperfine Zeeman sublevels, which results from the collision-induced modification δa(S·I) of the hyperfine interaction of Cs in the ground state due to stochastic collisions between Cs atoms and buffer-gas molecules, is studied at different buffer-gas pressures. The experimental results show that high-field optical pumping and the small change δa(S · I) of the hyperfine interaction can strongly cause the state population transfer and spin-state interchange among the hyperfine Zeeman sublevels. The calculated results maybe explain the steady-state population in hyperfine Zeeman sublevels in terms of rates of optical-pumping, electron-spin flip, nuclear spin flip, and electron-nuclear spin flip-flop transitions among the hyperfine Zeeman sublevels of the ground state of Cs atoms. This method may be applied to the nuclear-spin-based solid-state quantum computation. 展开更多
关键词 high magnetic field optical pumping hyperfine interaction changing nuclear-spin and electron spin state
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Experimental Study on Electrical Breakdown for Devices with Micrometer Gaps 被引量:2
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作者 孟国栋 成永红 +1 位作者 董承业 吴锴 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第12期1083-1089,共7页
The understanding of electrical breakdown in atmospheric air across micrometer gaps is critically important for the insulation design of micro & nano electronic devices. In this paper, planar aluminum electrodes with... The understanding of electrical breakdown in atmospheric air across micrometer gaps is critically important for the insulation design of micro & nano electronic devices. In this paper, planar aluminum electrodes with gaps ranging from 2μm to 40 #m were fabricated by microelectromechanical system technology. The influence factors including gap width and surface dielectric states were experimentally investigated using the home-built test and measurement system. Results showed that for SiO2 layers the current sustained at 2-3 nA during most of the pre-breakdown period, and then rose rapidly to 10-30 nA just before breakdown due to field electron emission, followed by the breakdown. The breakdown voltage curves demonstrated three stages: (1) a constantly decreasing region (the gap width d 〈5 μm), where the field emission effect played an important role just near breakdown, supplying enough initial electrons for the breakdown process; (2) a plateau region with a near constant breakdown potential (5 μm〈 d 〈10 μm); (3) a region for large gaps that adhered to Paschen's curve (d 〉10μm). And the surface dielectric states including the surface resistivity and secondary electron yield were verified to be related to the propagation of discharge due to the interaction between initial electrons and dielectrics. 展开更多
关键词 electrical breakdown micrometer gaps field emission surface dielectric states surface resistivity secondary electron yield
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GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带 被引量:6
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作者 薛舫时 孔月婵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期157-167,177,共12页
引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰... 引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰中的电场峰、能带谷、能带峰和局域电子气势垒随栅、漏电压的变化曲线。研究了高漏压下场效应管射频工作性能的退化和沟道开关时电场梯度与沟道电子状态间的相互作用。由此证明漏压决定了沟道中的电场梯度,栅压控制了沟道电子的状态,两者之间的相互作用描绘出一幅复杂的场效应管能带图像。通过EL谱和可靠性测试中的退化率直接观察强场峰内的局域电子气。最后讨论了这一场效应管能带理论在优化设计器件结构中的重要作用。 展开更多
关键词 场效应管能带 局域电子气势垒 电场梯度与电子状态的相互作用 漂移电子气 局域电子气
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外电场下AgBr分子的结构及性质 被引量:8
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作者 尹跃洪 王莉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2017年第1期9-15,共7页
采用密度泛函理论B3P86方法研究了AgBr基态分子在不同场强条件下的稳定结构及激发态性质.分析了外电场对AgBr基态分子键长、总能量、能级、谐振频率和红外光谱强度以及对前10个激发态的吸收谱、激发能、振子强度等的影响.结果表明随着... 采用密度泛函理论B3P86方法研究了AgBr基态分子在不同场强条件下的稳定结构及激发态性质.分析了外电场对AgBr基态分子键长、总能量、能级、谐振频率和红外光谱强度以及对前10个激发态的吸收谱、激发能、振子强度等的影响.结果表明随着正向电场F的逐渐增大,AgBr分子键长逐渐减小;总能量则逐渐升高;分子电偶极矩μ单调减小;HOMO能级升高,而LUMO能级、费米能级和能隙减小.谐振频率随正向电场增加而增大,随反向电场增加而减小,红外谱强度均随电场的增大而逐渐减小.由基态到第1-10激发态的波长增大,激发能减小. 展开更多
关键词 电场 AGBR 几何结构 电子结构 激发态
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电场调控范德华异质薄膜能隙的第一性原理研究:单层SiC沉积在表面氢化的BN薄膜上 被引量:1
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作者 肖美霞 冷浩 +2 位作者 姚婷珍 王磊 何成 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期60-65,共6页
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,是目前应用最理想的宽禁带半导体材料之一,在半导体照明、电子设备等领域具有广阔的应用前景。本工作通过基于密度泛函理论并考虑原子间范德华力相互作用的第一性原理,系统地研究了SiC沉积... 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,是目前应用最理想的宽禁带半导体材料之一,在半导体照明、电子设备等领域具有广阔的应用前景。本工作通过基于密度泛函理论并考虑原子间范德华力相互作用的第一性原理,系统地研究了SiC沉积在表面完全氢化的BN衬底上形成的SiC/HBNH异质薄膜的原子结构和电学性质,并探索电场对其能隙的调控效果。研究结果表明,Si和C原子相对HBNH薄膜的位置将决定其结构稳定性及异质薄膜间相互作用的强弱程度,因此堆垛类型可有效调节SiC/HBNH异质薄膜的能隙,并且异质薄膜的导带底和价带顶分别由SiC、HBNH纳米薄膜来决定,可实现电子和空穴输运轨道的分离。当施加外电场时,SiC/HBNH异质薄膜能隙伴随电场强度的增加呈现出近似线性下降分布,会由直接能隙转变为间接能隙,甚至转变为导体,这主要是由电场增强异质薄膜间的相互作用引起的。该研究结果证实了堆垛类型和电场可有效调节SiC/HBNH异质薄膜的电学性质,降低电子和空穴的结合概率,为其应用于新型电子纳米器件提供重要的理论指导。 展开更多
关键词 碳化硅异质薄膜 第一性原理 范德华力相互作用 电场 电学性质
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GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌 被引量:5
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期205-210,共6页
从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为... 从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为。沟道中的慢电子是产生射频电流崩塌的真正缘由。运用这一慢电子电流崩塌模型解释了目前用耗尽模型不能解释的大量实验结果。最后提出了通过异质结构优化设计来消除慢电子,解决电流崩塌难题的新途径。 展开更多
关键词 氮化镓异质结场效应管中的电流崩塌 沟道中的慢输运电子 电子输运过程中的状态转换 沟道强场峰的由来 射频电流崩塌
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直流梯度磁场对Al合金热电势的影响
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作者 张建锋 乐启炽 +1 位作者 巴启先 崔建忠 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1109-1112,1117,共5页
研究了Al合金的热电势在直流梯度磁场中的行为.结果发现:在直流梯度磁场作用下,Al-2.89%Fe合金熔体的热电势降低;关闭磁场,降低的热电势没有立刻回升,而是在保持一段时间不变后,才缓慢恢复到施加磁场前的初始值.温度越高,热电势增速越快... 研究了Al合金的热电势在直流梯度磁场中的行为.结果发现:在直流梯度磁场作用下,Al-2.89%Fe合金熔体的热电势降低;关闭磁场,降低的热电势没有立刻回升,而是在保持一段时间不变后,才缓慢恢复到施加磁场前的初始值.温度越高,热电势增速越快,增量越多,回归速度也越快.这种磁效应,在不同温度、不同成分的Al合金熔体(包括纯Al)中被普遍观察到;而在固态纯Al和Al合金中尚未观察到这种效应.在均匀磁场作用下,液态Al合金的热电势也没有发生变化.根据局域理论,定性地解释了磁场对合金熔体热电势的影响. 展开更多
关键词 直流梯度磁场 热电势 AL合金 局域理论 电子态分布
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GaN HFET研究的最新进展
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作者 薛舫时 《微纳电子技术》 CAS 2004年第9期1-13,共13页
综述了GaNHFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属介质层、应变能带工程及介质势垒等重要课题。
关键词 GAN HFET 二维场结构和电子态 纳米金属介质层 应变能带工程 介质势垒
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外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态 被引量:2
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作者 郭海峰 哈斯花 朱俊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期870-876,共7页
考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊松方程以获得基态能级。以典型的GaN/A lxGa1-xN纤锌矿氮化物应变量子阱为例,通过数值求解,得到电子与空... 考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊松方程以获得基态能级。以典型的GaN/A lxGa1-xN纤锌矿氮化物应变量子阱为例,通过数值求解,得到电子与空穴的本征基态能和相应本征波函数。计算结果表明:沿量子阱生长方向所施加的外加电场将抵消阱中内建电场的作用,阱结构的弯曲程度略显平缓,使电子(空穴)本征波函数逆(顺)着外电场方向移动,且均向阱中心移动,波峰峰值增加,隧穿几率减小;在固定外电场情况下,电子与空穴基态能级随阱宽的增加而减小,随掺杂组分的增加而增加,表明外加电场对内建电场有所削弱以及量子限制作用对电子(空穴)基态能有显著的影响。 展开更多
关键词 定态薛定谔方程 电子-空穴气的屏蔽 内建电场 本征态
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飞秒激光-固体靶相互作用中超热电子输运的实验研究 被引量:1
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作者 马春生 王光昶 +2 位作者 陈涛 张婷 郑志坚 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期809-813,共5页
报道了在100TW超短脉冲掺钛宝石激光装置上,完成的飞秒激光-固体靶相互作用中超热电子在靶内输运的实验研究结果.获得了超热电子的产额、注量和总能量.结果表明,超热电子的注量和总能量随靶厚的增加而减少,超热电子约80%的能量主要沉积... 报道了在100TW超短脉冲掺钛宝石激光装置上,完成的飞秒激光-固体靶相互作用中超热电子在靶内输运的实验研究结果.获得了超热电子的产额、注量和总能量.结果表明,超热电子的注量和总能量随靶厚的增加而减少,超热电子约80%的能量主要沉积在靶内的前10μm,对以上形成的原因进行了分析指出,是由于静电场对超热电子输运影响所致. 展开更多
关键词 飞秒激光 超热电子 输运 能量沉积 静电场
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泰安分子结构与^(14)N核四极共振参数的关系
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作者 宋华付 徐更光 +1 位作者 王廷增 刘德润 《含能材料》 EI CAS CSCD 2005年第1期36-39,共4页
利用从头算法和TOWNES-DAILEY理论研究了泰安(PETN)分子中氮原子的核四极耦合常数、氮原子近场电场梯度和价键结构的关系。结果表明在RHF水平采用3.21G,6-31G和6-311G高斯基组计算出氮原子的核四极耦合常数与实验值的误差在13.7%以内... 利用从头算法和TOWNES-DAILEY理论研究了泰安(PETN)分子中氮原子的核四极耦合常数、氮原子近场电场梯度和价键结构的关系。结果表明在RHF水平采用3.21G,6-31G和6-311G高斯基组计算出氮原子的核四极耦合常数与实验值的误差在13.7%以内。泰安分子中氮原子电场梯度Z主轴方向在硝酸酯基平面上并与N-O单键垂直、氮原子分子轨道集居数与结构化学的结论相符合。两种处理方法相互补充,定量地描述了泰安分子结构和14N原子的核四极共振参数的关系。 展开更多
关键词 氮原子 耦合常数 基组 价键结构 分子轨道 梯度 结构化学 分子结构 酯基 硝酸酯
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多晶在非轴对称梯度下的电四极相互作用(I=4)计算
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作者 蓝可 施义晋 慎伟琦 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期162-166,共5页
中间态自旋I=4的放射性核探针,在多晶样品中的非轴对称电四极相互作用,其相互作用频率和扰动函数,与惯常使用的I=5/2核探针的情况不同,为了了解和分析I=4的核探针的扰动角关联(PAC)实验,计算了相互作用哈密顿量的本征值、本征函数,从而... 中间态自旋I=4的放射性核探针,在多晶样品中的非轴对称电四极相互作用,其相互作用频率和扰动函数,与惯常使用的I=5/2核探针的情况不同,为了了解和分析I=4的核探针的扰动角关联(PAC)实验,计算了相互作用哈密顿量的本征值、本征函数,从而得出了电场梯度非轴对称系数η≥0下的扰动衰减系数G_(KA)(t)。 展开更多
关键词 电四极 相互作用 扰动函数 多晶
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