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CF_(4)等离子体背沟道表面处理对IZO TFT电学性能及负栅偏压应力稳定性的影响
1
作者
王聪
丁有坤
刘玉荣
《表面技术》
北大核心
2025年第16期231-239,共9页
目的提高IZO TFT电特性及负栅偏压应力稳定性。方法以ITO玻璃为基底,采用射频磁控溅射法沉积的掺铟氧化锌(IZO)薄膜作为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al_(2)O_(3)薄膜作为栅介质层,直流溅射法溅射Al靶材制备源、漏电极,制备了底栅顶...
目的提高IZO TFT电特性及负栅偏压应力稳定性。方法以ITO玻璃为基底,采用射频磁控溅射法沉积的掺铟氧化锌(IZO)薄膜作为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al_(2)O_(3)薄膜作为栅介质层,直流溅射法溅射Al靶材制备源、漏电极,制备了底栅顶接触型结构的掺铟氧化锌薄膜晶体管(IZO TFT)。采用CF_(4)等离子体对IZO TFT背沟道表面的IZO有源层薄膜进行表面处理,并对IZO TFT进行后退火处理。详细研究了CF_(4)等离子体射频功率和处理时间对IZO有源层及TFT器件电学特性和偏压应力稳定性的影响。结果选择合适的射频功率和处理时间,由于F原子取代了弱M—O结合键中的氧,形成了更稳定的In—F、Zn—F强结合键,从而有效地降低了IZO薄膜中的氧空位,因此可以明显改善IZO TFT的电学性能和负栅偏压应力稳定性。结论当射频功率为15 W,处理时间为100 s时,IZO TFT器件的电特性和负栅偏压稳定性较佳,器件的迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅和开关电流比分别为35 cm^(2)/V·s、0.4 V、64 mV/dec和4×10^(9),当−10 V的栅偏压应力作用1 h后,阈值电压漂移为−1.8 V。
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关键词
掺铟氧化锌(
izo
)
CF_(4)等离子体处理
薄膜晶体管
负栅偏压应力
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职称材料
In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)复合催化剂的制备及其可见光催化性能的研究
被引量：
2
2
作者
张小伏
吴兆才
郭卓
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第7期202-210,共9页
制备了氮掺杂石墨氮化碳(N-g-C_(3)N_(4))负载Cd_(0.5)Zn_(0.5)S固溶体复合材料,并以此为基础复合另一种优秀的半导体催化剂In_(2)O_(3)制得In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)催化剂,通过三者的复合界面加速电子的传输和阻...
制备了氮掺杂石墨氮化碳(N-g-C_(3)N_(4))负载Cd_(0.5)Zn_(0.5)S固溶体复合材料,并以此为基础复合另一种优秀的半导体催化剂In_(2)O_(3)制得In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)催化剂,通过三者的复合界面加速电子的传输和阻碍电子-空穴对的复合以提升光催化性能。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和X射线衍射对所制备的催化剂微观形貌和结构进行表征,利用电化学工作站进行瞬态光电流测试和气相色谱仪对产氢性能进行测试。结果表明,采用两步水热法制备得到较好分散的In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)复合催化剂;在In_(2)O_(3)和Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)质量比为4∶10时具有最好的催化效果,产氢量为100.22μmol,产氢速率为21.760μmol/h,说明In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)复合光催化剂有较好电荷载体的快速迁移能力及稳定性。
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关键词
镉锌硫
氮掺杂氮化碳
光催化
氧化铟
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职称材料
题名
CF_(4)等离子体背沟道表面处理对IZO TFT电学性能及负栅偏压应力稳定性的影响
1
作者
王聪
丁有坤
刘玉荣
机构
汕尾市海洋产业研究院博士后科研工作站
汕尾职业技术学院科研处
华南理工大学微电子学院
出处
《表面技术》
北大核心
2025年第16期231-239,共9页
基金
广东省普通高校重点领域专项(新一代信息技术)(2020ZDZX3125)
广东省基础与应用基础研究基金(2024A1515011719)
国家自然科学基金(61871195)。
文摘
目的提高IZO TFT电特性及负栅偏压应力稳定性。方法以ITO玻璃为基底,采用射频磁控溅射法沉积的掺铟氧化锌(IZO)薄膜作为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al_(2)O_(3)薄膜作为栅介质层,直流溅射法溅射Al靶材制备源、漏电极,制备了底栅顶接触型结构的掺铟氧化锌薄膜晶体管(IZO TFT)。采用CF_(4)等离子体对IZO TFT背沟道表面的IZO有源层薄膜进行表面处理,并对IZO TFT进行后退火处理。详细研究了CF_(4)等离子体射频功率和处理时间对IZO有源层及TFT器件电学特性和偏压应力稳定性的影响。结果选择合适的射频功率和处理时间,由于F原子取代了弱M—O结合键中的氧,形成了更稳定的In—F、Zn—F强结合键,从而有效地降低了IZO薄膜中的氧空位,因此可以明显改善IZO TFT的电学性能和负栅偏压应力稳定性。结论当射频功率为15 W,处理时间为100 s时,IZO TFT器件的电特性和负栅偏压稳定性较佳,器件的迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅和开关电流比分别为35 cm^(2)/V·s、0.4 V、64 mV/dec和4×10^(9),当−10 V的栅偏压应力作用1 h后,阈值电压漂移为−1.8 V。
关键词
掺铟氧化锌(
izo
)
CF_(4)等离子体处理
薄膜晶体管
负栅偏压应力
Keywords
indium
doped
zinc
oxide
(
izo
)
CF_(4)plasma treatment
thin-film transistor
negative gate bias stress
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)复合催化剂的制备及其可见光催化性能的研究
被引量：
2
2
作者
张小伏
吴兆才
郭卓
机构
沈阳化工大学
出处
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第7期202-210,共9页
文摘
制备了氮掺杂石墨氮化碳(N-g-C_(3)N_(4))负载Cd_(0.5)Zn_(0.5)S固溶体复合材料,并以此为基础复合另一种优秀的半导体催化剂In_(2)O_(3)制得In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)催化剂,通过三者的复合界面加速电子的传输和阻碍电子-空穴对的复合以提升光催化性能。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱和X射线衍射对所制备的催化剂微观形貌和结构进行表征,利用电化学工作站进行瞬态光电流测试和气相色谱仪对产氢性能进行测试。结果表明,采用两步水热法制备得到较好分散的In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)复合催化剂;在In_(2)O_(3)和Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)质量比为4∶10时具有最好的催化效果,产氢量为100.22μmol,产氢速率为21.760μmol/h,说明In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)复合光催化剂有较好电荷载体的快速迁移能力及稳定性。
关键词
镉锌硫
氮掺杂氮化碳
光催化
氧化铟
Keywords
cadmium
zinc
sulfur
nitrogen
doped
carbon nitride
photocatalysis
indium
oxide
分类号
TB33 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CF_(4)等离子体背沟道表面处理对IZO TFT电学性能及负栅偏压应力稳定性的影响
王聪
丁有坤
刘玉荣
《表面技术》
北大核心
2025
0
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职称材料
2
In_(2)O_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S/N-g-C_(3)N_(4)复合催化剂的制备及其可见光催化性能的研究
张小伏
吴兆才
郭卓
《现代化工》
CAS
CSCD
北大核心
2023
2
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职称材料
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