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题名深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术
被引量：1
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作者
裴国旭
邓玉良
樊利慧
李晓辉
彭锦军
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机构
深圳市国微电子股份有限公司
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出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第4期587-590,共4页
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文摘
从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。
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关键词
静电放电(ESD)
可编程只读存储器(prom)
全芯片
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Keywords
electro-static discharge （ ESD ）
programmable read-only memory （ prom ）
whole-chip
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分类号
O472.8
[理学—半导体物理]
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题名反熔丝的研究与应用
被引量：20
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作者
王刚
李平
李威
张国俊
谢小东
姜晶
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期30-33,共4页
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基金
电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金项目(CXJJ200905)
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文摘
综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。
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关键词
反熔丝
氧化物-氮化物-氧化物
非晶硅
栅氧化层
反熔丝prom
反熔丝FPGA
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Keywords
antifuse, ONO, amorphous silicon, gate oxide, antifuse prom, antifuse FPGA
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分类号
TN403
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名用XCF32P实现FPGA的高速动态配置
被引量：6
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作者
李燕斌
李燕春
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机构
中国西南电子技术研究所
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出处
《电讯技术》
2006年第6期199-202,共4页
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文摘
分析了X ilinx的VertexⅡPro系列FPGA的配置流程和时序要求,以及X ilinx的在系统可编程PROM芯片XCF32P的内部结构和功能特点,介绍了在同一硬件平台下用XCF32P对FPGA不同的软件版本实现动态加载的设计方法及应用。
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关键词
软件无线电
FPGA
在系统可编程prom
动态配置
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Keywords
software defined radio （SDR）
FPGA
in - system ,programmable prom
dynamic r econfiguration
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分类号
TN709
[电子电信—电路与系统]
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题名WBQ_2—003型数控系统用户程序的固化及修改
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作者
张洪香
刘丽娟
谷金凤
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机构
佳木斯煤机厂
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出处
《煤矿机械》
北大核心
2001年第3期49-50,共2页
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文摘
通过对EPROM2 716芯片的固化 ,实现用户程序的输入与修改。
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关键词
ROM
prom
EPRON
RAM
固化
WBQ2-003型数控系统
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Keywords
ROM
prom
Eprom
RAM
solidify
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分类号
TP271.82
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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