检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究: 1; 作者李府唐郭刚 +4 位作者张峥孙浩瀚刘翠翠史慧琳欧阳晓平《半导体技术》北大核心 2025年第7期714-722,共9页; 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 展开更多; 关键词锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(SOI)工艺单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD); 在线阅读下载PDF 职称材料

UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料被引量：4: 2; 作者戴显英胡辉勇 +1 位作者张鹤鸣孙建诚《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期306-308,325,共4页; 介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件... 展开更多; 关键词紫外光化学气相沉积超高真空化学气相沉积 SIGE异质结双极晶体管 HBT UVCVD UHVCVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶硅材料研究进展: 3; 作者陈光华《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第4期1-4,共4页; 介绍了非晶硅薄膜的结构特点和在光电应用方面具有的独特性能,给出了非晶硅器件和材料制备的研究现状。; 关键词氢化非晶硅非晶硅基合金膜非晶硅材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量：1: 4; 作者陈仁芳张丽平 +3 位作者吴卓鹏李振飞孟凡英刘正新《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期103-108,共6页; 基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本... 展开更多; 关键词氢注入硅异质结太阳电池非晶硅薄膜钝化缺陷态; 在线阅读下载PDF 职称材料

α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制: 5; 作者刘光耀谢孟贤李宏德《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期664-667,共4页; 报导了采用平面工艺制作a-Si∶H/C-Si HBT的基本工艺和测试结果。在Si-HBT的研制中,取得了H_(FE)=60、∫_r=530MHz的良好结果。; 关键词平面工艺双极晶体管异质结; 在线阅读下载PDF 职称材料

a—Si：HFET特性理论新分析及验证: 6; 作者惠恒荣卢波《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期468-474,共7页; 本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φGS与表面电势φS 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并... 展开更多; 关键词 A-SI:H FET 电容分压原理验证; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能α-Si:H FET的电荷控制分析与研制: 7; 作者惠恒荣广国庆艾亚男《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期606-613,共8页; 为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达10~3的α-Si∶H MNS FET 样品,其输出电流达 mA 数量级。; 关键词 a-Si:HFET 电荷控制沟道输出电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究: 1; 作者李府唐郭刚张峥孙浩瀚刘翠翠史慧琳欧阳晓平; 机构中国原子能科学研究院西北核技术研究院; 出处《半导体技术》北大核心 2025年第7期714-722,共9页; 基金中国原子能科学研究院英才培育基金(11YC232505001201) 国家自然科学基金(U2167208,U2267210)。; 文摘锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。; 关键词锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) 绝缘体上硅(SOI)工艺单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD); Keywords silicon germanium heterojunction bipolar transistor(SiGe HBT) silicon-on-insulator(SOI)process single event transient(SET) single event effect(SEE) technology computer aided design(TCAD); 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料被引量：4: 2; 作者戴显英胡辉勇张鹤鸣孙建诚; 机构西安电子科技大学微电子所; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期306-308,325,共4页; 文摘介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在10-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件下,外延生长了器件级SiGeHBT材料.SIMS分析表明,材料层界面清晰,Ge组分和掺杂分布平坦.此外,还研制出了SiGeHBT器件.; 关键词紫外光化学气相沉积超高真空化学气相沉积 SIGE异质结双极晶体管 HBT UVCVD UHVCVD; Keywords Chemical vapor deposition heterojunction bipolar transistors Secondary ion mass spectrometry Semiconducting germanium compounds Semiconducting silicon compounds Ultrahigh vacuum Ultraviolet radiation; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅材料研究进展: 3; 作者陈光华; 机构兰州大学物理系; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 1994年第4期1-4,共4页; 文摘介绍了非晶硅薄膜的结构特点和在光电应用方面具有的独特性能,给出了非晶硅器件和材料制备的研究现状。; 关键词氢化非晶硅非晶硅基合金膜非晶硅材料; Keywords hydrogenated amorphous silicon (a-Si) , amorphous silicon-based alloy film, solar cell, thin film transistor (TFT); 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究被引量：1: 4; 作者陈仁芳张丽平吴卓鹏李振飞孟凡英刘正新; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心中国科学院大学; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期103-108,共6页; 基金中科院先导专项A(XDA17020403) 国家自然科学基金面上项目(62074153) 上海市科技创新行动计划项目(20dz1207103,19DZ1207602)。; 文摘基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征非晶硅(i-a-Si:H)及N型非晶硅(n-a-Si:H)薄膜钝化层,可显著提升晶体硅的表面钝化质量。通过使用AFORSHET软件模拟SHJ太阳电池入光面的界面缺陷及n-a-Si:H体缺陷对电池性能的影响,分析得到:将氢注入用于处理a-Si:H窗口层,SHJ太阳电池性能的提升源于电池入光侧界面及a-Si:H体材料的结构改善。电池的开路电压(Voc,728.4~736.1 mV)、短路电流密度(Jsc,37.99~38.20 mA/cm2)、填充因子(FF,79.67%~81.07%)及转换效率(Eff,22.04%~22.79%)均得到明显提升。; 关键词氢注入硅异质结太阳电池非晶硅薄膜钝化缺陷态; Keywords hydrogen injection silicon heterojunction solar cell amorphous silicon thin-film passivation defect; 分类号 TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制: 5; 作者刘光耀谢孟贤李宏德; 机构电子科技大学微电子科学与工程系; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期664-667,共4页; 文摘报导了采用平面工艺制作a-Si∶H/C-Si HBT的基本工艺和测试结果。在Si-HBT的研制中,取得了H_(FE)=60、∫_r=530MHz的良好结果。; 关键词平面工艺双极晶体管异质结; Keywords hydrogenation amorphous silicon heterojunction bipolar transistor wide bandgap emitter heterojunction interface Plasma etching planar process.; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a—Si：HFET特性理论新分析及验证: 6; 作者惠恒荣卢波; 机构电子科技大学微电子科学与工程系电子科技大学微电子科学与工程系; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期468-474,共7页; 文摘本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φGS与表面电势φS 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合.; 关键词 A-SI:H FET 电容分压原理验证; Keywords amorphous hydrogenated silicon energy band Lacalized state field effect transistor principle of capacitive divider; 分类号 TN432.07 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能α-Si:H FET的电荷控制分析与研制: 7; 作者惠恒荣广国庆艾亚男; 机构电子科技大学微电子科学与工程系; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期606-613,共8页; 文摘为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达10~3的α-Si∶H MNS FET 样品,其输出电流达 mA 数量级。; 关键词 a-Si:HFET 电荷控制沟道输出电流; Keywords amorphous hydrogen silicon field-effect transistor charge controlled principle channel output current; 分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究	李府唐郭刚张峥孙浩瀚刘翠翠史慧琳欧阳晓平	《半导体技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料	戴显英胡辉勇张鹤鸣孙建诚	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶硅材料研究进展	陈光华	《材料导报》 EI CAS CSCD	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究	陈仁芳张丽平吴卓鹏李振飞孟凡英刘正新	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制	刘光耀谢孟贤李宏德	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	a—Si：HFET特性理论新分析及验证	惠恒荣卢波	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	高性能α-Si:H FET的电荷控制分析与研制	惠恒荣广国庆艾亚男	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料