设计了一种线性补偿低温漂高电源抑制比带隙基准电压源电路。带隙基准核心电路采用三支路共源共栅电流镜结构,提高电路电源抑制比。补偿电路采用分段补偿原理,在低温阶段,加入一段负温度系数电流,在高温阶段,加入一段正温度系数电流,通...设计了一种线性补偿低温漂高电源抑制比带隙基准电压源电路。带隙基准核心电路采用三支路共源共栅电流镜结构,提高电路电源抑制比。补偿电路采用分段补偿原理,在低温阶段,加入一段负温度系数电流,在高温阶段,加入一段正温度系数电流,通过补偿,使带隙基准输出电压的精确度大大提高,达到降低温度系数的目的;同时电流镜采用共源共栅结构,不仅提高电路的电源抑制比,而且可以抑制负载对镜像晶体管电压的影响。基于0.5μm CMOS工艺,使用Cadence Spectre对电路仿真,结果表明,在-50^+125℃温度范围内,基准输出电压的温度系数为2.62×10^(-6)/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)高达88 d B。展开更多
介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联...介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联发射结电压和低失调运算放大器的PTAT电流产生器,实现了高精度的PTAT电流;采用具有负温度系数的电阻,补偿了VBE的高阶温度特性;采用共源共栅结构,提高了输出电压的电源抑制。后仿真结果表明,当电源电压为3.3 V,温度范围为-40~85℃时,温度传感器的输出电压范围为0.964~1.490V,输出电压的斜率范围为-4.245×10-3^-4.160×10-3,斜率变化范围为8.5×10-5,表明该温度传感器具有非常高的线性度。展开更多
针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5μm BCD工艺进行了验证。电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿。采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明...针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5μm BCD工艺进行了验证。电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿。采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明,所设计的电路参考电压正常值为1.8 V。另外,设计的电路具有1.5×10-6/℃的温度系数,在低频上具有55 d B电源抑制比(PSRR),从1.8~5 V具有0.4 m V/V的线性调整率,并得到20 f V2/Hz的输出噪声水平。提出的电路已应用在一款电源管理芯片中,且该电路可应用在多种便携式电子产品中。展开更多
文摘设计了一种线性补偿低温漂高电源抑制比带隙基准电压源电路。带隙基准核心电路采用三支路共源共栅电流镜结构,提高电路电源抑制比。补偿电路采用分段补偿原理,在低温阶段,加入一段负温度系数电流,在高温阶段,加入一段正温度系数电流,通过补偿,使带隙基准输出电压的精确度大大提高,达到降低温度系数的目的;同时电流镜采用共源共栅结构,不仅提高电路的电源抑制比,而且可以抑制负载对镜像晶体管电压的影响。基于0.5μm CMOS工艺,使用Cadence Spectre对电路仿真,结果表明,在-50^+125℃温度范围内,基准输出电压的温度系数为2.62×10^(-6)/℃,低频时的电源抑制比(PSRR)高达88 d B。
文摘介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联发射结电压和低失调运算放大器的PTAT电流产生器,实现了高精度的PTAT电流;采用具有负温度系数的电阻,补偿了VBE的高阶温度特性;采用共源共栅结构,提高了输出电压的电源抑制。后仿真结果表明,当电源电压为3.3 V,温度范围为-40~85℃时,温度传感器的输出电压范围为0.964~1.490V,输出电压的斜率范围为-4.245×10-3^-4.160×10-3,斜率变化范围为8.5×10-5,表明该温度传感器具有非常高的线性度。
文摘针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5μm BCD工艺进行了验证。电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿。采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明,所设计的电路参考电压正常值为1.8 V。另外,设计的电路具有1.5×10-6/℃的温度系数,在低频上具有55 d B电源抑制比(PSRR),从1.8~5 V具有0.4 m V/V的线性调整率,并得到20 f V2/Hz的输出噪声水平。提出的电路已应用在一款电源管理芯片中,且该电路可应用在多种便携式电子产品中。
