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高效单晶硅太阳电池的研制 被引量:12
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作者 赵玉文 李仲明 +6 位作者 莫春东 吕昆 李志明 于中尧 于元 陈志云 何少琪 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期123-126,共4页
简述了高效单晶硅太阳电池的初步研制结果。对电阻率不同的CZ和FZ材料和不同的电池结构进行了实验。为了提高效率,对发射区钝化工艺、分区轻(n+)重(n++)扩散、背场、表面织构化技术和氯化氢清洗等工艺进行了试验研究。目... 简述了高效单晶硅太阳电池的初步研制结果。对电阻率不同的CZ和FZ材料和不同的电池结构进行了实验。为了提高效率,对发射区钝化工艺、分区轻(n+)重(n++)扩散、背场、表面织构化技术和氯化氢清洗等工艺进行了试验研究。目前制备的最好电池,其效率为18.63%。 展开更多
关键词 硅太阳电池 单晶硅 研制
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微晶硅材料和电池特性的相关研究 被引量:6
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作者 张晓丹 赵颖 +4 位作者 魏长春 孙建 赵静 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1304-1307,共4页
主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶... 主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高效率微晶硅薄膜太阳电池 表观带隙
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激光精密刻蚀技术在硅太阳电池制备工艺中的应用 被引量:2
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作者 王宏杰 王亚楠 +4 位作者 彭建强 吕福云 杜永超 刘建生 孙彦铮 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2137-2140,共4页
依据光学谐振腔的图解分析与设计方法,对以Nd:YAG固体激光器作光源的激光切割机进行了设计改进,实现了高亮度激光输出.并利用该设备对硅太阳电池进行了激光精密切割试验,使埋栅太阳电池电极槽达到了平均宽度为150±5μm,槽深100... 依据光学谐振腔的图解分析与设计方法,对以Nd:YAG固体激光器作光源的激光切割机进行了设计改进,实现了高亮度激光输出.并利用该设备对硅太阳电池进行了激光精密切割试验,使埋栅太阳电池电极槽达到了平均宽度为150±5μm,槽深100±10μm的设计指标.在发射结卷包太阳电池所用的硅衬底片上进行激光精密穿孔,目前最小孔径为20μm.通过应用激光精密刻蚀技术,现将埋栅太阳电池光电转换效率提高到了21%,接近该领域的世界先进水平. 展开更多
关键词 高亮度激光 硅太阳电池 对称式抽运 转换效率
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晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状 被引量:4
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作者 梁宗存 沈辉 许宁生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期577-581,共5页
晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同 ,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池... 晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同 ,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展 ,最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况 。 展开更多
关键词 晶体硅薄膜太阳电池 制备技术 温度 沉积
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几种高效率晶体硅太阳能电池性能分析 被引量:4
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作者 付明 苑鹏 范琳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1-5,17,共6页
综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状,分析了几种高效率晶体硅太阳能电池的结构、制备流程、优越性以及性能等,这些高效率电池包括激光刻槽埋栅电池、PESC、PERC和PERL电池,以及最新型太阳能电池——金属贯穿孔电池,最后讨论了高效... 综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状,分析了几种高效率晶体硅太阳能电池的结构、制备流程、优越性以及性能等,这些高效率电池包括激光刻槽埋栅电池、PESC、PERC和PERL电池,以及最新型太阳能电池——金属贯穿孔电池,最后讨论了高效率太阳能电池存在的问题,展望了今后太阳能电池的发展趋势。 展开更多
关键词 晶体硅太阳能电池 高效率 对比分析
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高方块电阻发射区对单晶硅太阳电池性能影响 被引量:3
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作者 沈洲 沈鸿烈 +2 位作者 马跃 夏正月 陈军 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期81-84,共4页
研究通过提高发射区的方块电阻和采用合适的工艺技术,制备了性能优良的单晶硅太阳电池。采用丝网印刷技术制备了40Ω/□常规发射区和60Ω/□高方块电阻发射区单晶硅太阳电池并对其性能进行了分析研究。扩展电阻法分析表明:60Ω/□发射... 研究通过提高发射区的方块电阻和采用合适的工艺技术,制备了性能优良的单晶硅太阳电池。采用丝网印刷技术制备了40Ω/□常规发射区和60Ω/□高方块电阻发射区单晶硅太阳电池并对其性能进行了分析研究。扩展电阻法分析表明:60Ω/□发射区的表面活性磷杂质浓度和结深比40Ω/□发射区的分别降低了12.8%和14.9%。尽管60Ω/□发射区太阳电池的串联电阻增加了0.141Ω/cm2导致填充因子下降了1.24%,但是短路电流密度和开路电压分别提高了1.31 mA/cm2和1.2 mV,最终转换效率仍然提高了0.4%。 展开更多
关键词 单晶硅太阳电池 磷扩散 高方块电阻发射区 转换效率
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