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Forming technology of boiling structure on evaporation surface of phase-change heat sink for high-power light emitting diode 被引量:1
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作者 向建化 叶邦彦 +2 位作者 汤勇 周伟 胡志华 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2010年第3期544-548,共5页
Boiling structures on evaporation surface of red copper sheet with a diameter (D) of 10 mm and a wall thickness (h) of 1 mm were processed by the ploughing-extrusion (P-E) processing method, which is one part of... Boiling structures on evaporation surface of red copper sheet with a diameter (D) of 10 mm and a wall thickness (h) of 1 mm were processed by the ploughing-extrusion (P-E) processing method, which is one part of the phase-change heat sink for high power (HP) light emitting diode (LED). The experimental results show that two different structures of rectangular- and triangular-shaped micro-grooves are formed in P-E process. When P-E depth (ap), interval of helical grooves (dp) and rotation speed (n) are 0.12 ram, 0.2 mm and 100 r/min, respectively, the boiling structures of triangular-shaped grooves with the fin height of 0.15 mm that has good evaporation performance are obtained. The shapes of the boiling structures are restricted by dp and ap, and dp is determined by n and amount of feed (f). The ploughing speed has an important influence on the formation of groove structure in P-E process. 展开更多
关键词 phase-change heat sink boiling structure high power light emitting diode ploughing-extrusion
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UV-LED和冷等离子体对染菌玉米及其附着黄曲霉的影响
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作者 李金东 张忠杰 +2 位作者 胡科 张贵州 尹君 《粮油食品科技》 北大核心 2025年第2期129-137,共9页
探讨265 nm-LED和高压脉冲冷等离子体处理对含水量为14%的染菌玉米的脂肪酸值以及黄曲霉(Aspergillus flavus)孢子灭活效率的影响,前者结果显示:265 nm-LED和高压脉冲冷等离子体均能有效灭活玉米上接种的黄曲霉孢子。经过处理10 min后,... 探讨265 nm-LED和高压脉冲冷等离子体处理对含水量为14%的染菌玉米的脂肪酸值以及黄曲霉(Aspergillus flavus)孢子灭活效率的影响,前者结果显示:265 nm-LED和高压脉冲冷等离子体均能有效灭活玉米上接种的黄曲霉孢子。经过处理10 min后,真菌灭活率可达46%,而后者仅在20%以下。对脂肪酸值无显著性影响(P>0.05),但两种处理方式均对玉米籽粒表面以及淀粉颗粒造成一定程度的损伤。对于黄曲霉孢子来说,这两种处理方式都会导致细胞外壁破损,使得其内部物质流出,导致孢子失活。 展开更多
关键词 紫外发光二极管(UV-LED) 高压脉冲冷等离子体 黄曲霉 电镜
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Ce/Tb/Sm共掺杂CaO-B_2O_3-SiO_2发光玻璃的白光发射及其发光颜色调控 被引量:14
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作者 乔荫颇 朱振峰 +3 位作者 张燕斌 刘佃光 王冰清 张志春 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第3期706-710,共5页
用高温熔融法制备了Ce/Tb/Sm三元共掺杂的CaO-B2O3-SiO2发光玻璃材料,并使用荧光分光光度计和CIE色度坐标对其光谱学和发光特性进行了研究.结果表明:在374nm激发下,在Ce/Tb/Sm三元共掺杂发光玻璃的发射光谱中同时观测到了蓝光、绿光和... 用高温熔融法制备了Ce/Tb/Sm三元共掺杂的CaO-B2O3-SiO2发光玻璃材料,并使用荧光分光光度计和CIE色度坐标对其光谱学和发光特性进行了研究.结果表明:在374nm激发下,在Ce/Tb/Sm三元共掺杂发光玻璃的发射光谱中同时观测到了蓝光、绿光和红橙光的发射带,这些发射带的混合实现了白光的全色发射显示.此外,Ce/Tb/Sm三元共掺杂发光玻璃的发光颜色随着Tb4O7含量的减小从绿光逐渐过渡到白光,显示出发光颜色的可调节性,极大地扩展了其在白光发光二极管中的应用. 展开更多
关键词 高温熔融法 发光玻璃 光致发光 发光调节 白光发光二极管
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利用Ag/P-GaN双光栅改善LED发光特性 被引量:5
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作者 李志全 王聪 +2 位作者 李文超 牛力勇 童凯 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1185-1191,共7页
为了提高GaN基LED的发光效率,设计了一种新型LED模型,该模型主要包括Ag光栅,氧化铟锡过渡层和PGaN光栅。首先阐述了利用该结构激发表面等离子体从而改善LED发光特性的原理,讨论了该模型的加工工艺与制作过程。基于COMSOL软件,利用有限... 为了提高GaN基LED的发光效率,设计了一种新型LED模型,该模型主要包括Ag光栅,氧化铟锡过渡层和PGaN光栅。首先阐述了利用该结构激发表面等离子体从而改善LED发光特性的原理,讨论了该模型的加工工艺与制作过程。基于COMSOL软件,利用有限元法对本文提出的LED模型进行了仿真分析,得出该模型在不同结构参数下,归一化辐射功率与归一化损耗功率随波长的变化规律以及电场分布情况。仿真结果表明,在ITO过渡层厚度为55nm,周期为270nm,占空比为0.5时,所设计的GaN基LED模型的发光强度较普通LED提高近30倍,这一结果为研制高性能GaN基LED提供了可靠基础。 展开更多
关键词 发光二极管 表面等离子体 发光效率 光栅 辐射功率
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基于高精密腔的高灵敏臭氧探测技术研究
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作者 刘孟辉 童金钊 +2 位作者 林川 黄晨光 谢品华 《量子电子学报》 北大核心 2025年第3期381-390,共10页
本研究开发了一种基于高精密腔技术的高灵敏臭氧(O_(3))检测系统。该系统采用中心波长为266 nm的深紫外发光二极管(DUV-LED)作为光源,以反射率为99.7%的两片高反镜构建了长为30 cm的光学腔,其有效吸收光程达到84.7 m。首先探究了DUV-LE... 本研究开发了一种基于高精密腔技术的高灵敏臭氧(O_(3))检测系统。该系统采用中心波长为266 nm的深紫外发光二极管(DUV-LED)作为光源,以反射率为99.7%的两片高反镜构建了长为30 cm的光学腔,其有效吸收光程达到84.7 m。首先探究了DUV-LED光源的稳定性及其中心波长处其他气体的干扰,标定了该系统的有效腔长,并进行了空腔消光值校准。随后,采用艾伦偏差对系统的性能进行了评估,评估结果表明集成后的系统在1 s时间分辨率下对O_(3)的检测限为129×10^(-12)(1σ),系统总不确定度为6.2%。最后,为进一步分析系统的环境适应性和稳定性,利用该系统在合肥科学岛综合楼开展了连续3 d的外场观测应用实验,并与商业仪器Thermo-49i进行了同步O_(3)测量分子浓度比对。观测结果表明两套系统测量的O_(3)分子浓度数据具有较好的一致性,相关性系数为0.98,斜率为1.01,截距为0.75,验证了该系统测量的准确性和可靠性,表明该系统能够应用于实际环境中O_(3)的高灵敏度、高时间分辨率的测量。 展开更多
关键词 大气光学 臭氧探测 高精密腔技术 深紫外发光二极管
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无电解电容的填谷式SEPIC-derived LED照明驱动 被引量:5
6
作者 马红波 郑聪 +1 位作者 余文松 冯全源 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期13-20,共8页
针对传统LED照明驱动中普遍采用大电容量电解电容,造成LED驱动寿命较短、体积庞大、功率密度较低的问题,在分析传统AC/DC LED驱动拓扑的基础上,通过引入电流断续模式(DCM)和插入填谷电路单元,提出一种SEPIC型AC/DC变换拓扑,解决传统SEPI... 针对传统LED照明驱动中普遍采用大电容量电解电容,造成LED驱动寿命较短、体积庞大、功率密度较低的问题,在分析传统AC/DC LED驱动拓扑的基础上,通过引入电流断续模式(DCM)和插入填谷电路单元,提出一种SEPIC型AC/DC变换拓扑,解决传统SEPIC AC/DC LED照明驱动无法消除电解电容的问题。并以此电路为基础,在实验室开发一款50 W LED照明驱动样机。测试结果表明,该样机在消除电解电容的同时,实现了高功率因数和高效率。在120 V输入下,满载功率因数和效率分别大于0.96和90%。 展开更多
关键词 填谷式 功率因数 发光二级管 单端初级电感转换器 电解电容
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具有双层空穴传输层的高亮度QLED
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作者 方文惠 阮钰菁 +3 位作者 廖靖妍 罗东向 郑华 刘佰全 《半导体技术》 北大核心 2025年第5期435-442,共8页
量子点发光二极管(QLED)凭借其高效率、高稳定性以及优异的色纯度,在显示与照明领域备受关注,但QLED在电荷注入平衡方面仍面临挑战。探讨了不同单层空穴传输层(HTL)及双层HTL结构对QLED性能的影响,并揭示其发光机理。通过结合4,4’,4”-... 量子点发光二极管(QLED)凭借其高效率、高稳定性以及优异的色纯度,在显示与照明领域备受关注,但QLED在电荷注入平衡方面仍面临挑战。探讨了不同单层空穴传输层(HTL)及双层HTL结构对QLED性能的影响,并揭示其发光机理。通过结合4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的电子阻挡能力与4,4’-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)的高空穴传输能力设计出双层HTL,相应器件具有显著的性能优势。优化后的绿色QLED在7 V电压下实现了高达115929 cd/m^(2)的亮度,展现出巨大的应用潜力。进一步通过Silvaco仿真验证了器件的发光机理,结果表明双层HTL形成了阶梯式的能级结构,有效降低了空穴注入势垒,并抑制电子泄漏,从而实现了电荷平衡的优化。本研究为开发高性能的QLED提供了一种有效的方法。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 量子点(QD) 电荷平衡 高亮度 空穴传输层(HTL)
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Ba_(9)Lu_(2)Si_(6)O_(24):Eu^(3+)红色荧光粉的制备及其在白光LED上的应用
8
作者 王云正 吉鸿波 +2 位作者 李兆 吴坤尧 王亚楠 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第5期1455-1461,共7页
近紫外芯片和红绿蓝三基色荧光粉组装的白光发光二极管(NUV-WLED)能有效缓解“蓝光危害”和提升显色指数。通过高温固相法制备得到Ba_(9)Lu_(2)Si_(6)O_(24):xEu^(3+)(0≤x≤0.15)红色荧光粉,利用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、光... 近紫外芯片和红绿蓝三基色荧光粉组装的白光发光二极管(NUV-WLED)能有效缓解“蓝光危害”和提升显色指数。通过高温固相法制备得到Ba_(9)Lu_(2)Si_(6)O_(24):xEu^(3+)(0≤x≤0.15)红色荧光粉,利用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、光谱仪等对样品的物相结构、微观形貌和发光性能进行研究,并分析Eu^(3+)掺杂量对发光性能的影响。Eu^(3+)成功掺杂进入Ba_(9)Lu_(2)Si_(6)O_(24)基体中,样品主激发峰为393 nm(7F0→5L6),主发射峰为612 nm(5D0→7F2),x=0.09时发光强度最大。将Ba_(9)Lu_(2)Si_(6)O_(24):xEu^(3+)红色荧光粉制成白光LED器件,显色指数接近90并表现出稳定的白光发射。该研究报道的Ba_(9)Lu_(2)Si_(6)O_(24):xEu^(3+)红色荧光粉在紫外LED芯片驱动的白光发光二极管照明上有着潜在应用价值。 展开更多
关键词 Ba_(9)Lu_(2)Si_(6)O_(24):xEu^(3+) 高温固相法 白光发光二极管
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Ⅱ-Ⅵ族量子点掺杂玻璃的光学性质及研究进展 被引量:1
9
作者 夏梦玲 刘超 +1 位作者 赵修建 韩建军 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期541-549,共9页
由于量子限域效应,尺寸可调的Ⅱ-Ⅵ族量子点掺杂玻璃在光学滤波片、非线性光学器件上的应用已经被广泛研究。玻璃中量子点的光学性质主要由量子点的尺寸、表面状态和周围基质环境决定,通过提高Se/Cd比可以有效地对量子点的表面缺陷进行... 由于量子限域效应,尺寸可调的Ⅱ-Ⅵ族量子点掺杂玻璃在光学滤波片、非线性光学器件上的应用已经被广泛研究。玻璃中量子点的光学性质主要由量子点的尺寸、表面状态和周围基质环境决定,通过提高Se/Cd比可以有效地对量子点的表面缺陷进行钝化,实现CdSe量子点的本征发光;进一步调整热处理制度可以促进Zn离子扩散进入CdSe量子点表面,形成CdSe/Cd_(1-x)Zn_xSe核壳结构,使得缺陷发光几乎完全猝灭,从而提高量子点的荧光量子效率;在玻璃中原位合成的CdS/ZnS核壳结构量子点的荧光量子效率可达到53%。随着基础研究中玻璃中Ⅱ-Ⅵ族量子点荧光效率的不断提高,发光二极管(LED)等小型发光器件的制造成为可能。为了满足实际需要,建立核壳结构中量子点表面钝化机理模型,进一步优化量子点荧光效率是下一步需要解决的问题。 展开更多
关键词 -Ⅵ族量子点掺杂玻璃 荧光调控 核壳结构量子点 量子效率 发光二极管( LED) light emitting diode (LED)
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C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响 被引量:3
10
作者 王春安 符斯列 +3 位作者 刘柳 丁罗城 李俊贤 鲍佳怡 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1417-1424,共8页
采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范... 采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0. 45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0. 30和0. 28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。 展开更多
关键词 GaN基蓝光二极管 pn结特性 电容-电压法 幂律关系
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沉积功率和退火工艺对PE-ALD氧化铝薄膜的影响 被引量:3
11
作者 刘媛媛 杜纯 +4 位作者 曹坤 陈蓉 徐湘伦 黄静 单斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期610-615,共6页
Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积(PE-ALD)系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率... Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积(PE-ALD)系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率和退火参数对Al2O3薄膜微观形貌和性能的影响。结果表明,Al2O3薄膜的生长速率和折射率随沉积功率的增加分别呈现先增加后下降和不断增加的趋势,当沉积功率为1 800 W时,薄膜的线性生长速率达到0.27 nm/cycle,远高于传统热原子层沉积技术的沉积速率。退火处理不会改变Al2O3薄膜晶态,但改善了薄膜的表面粗糙度,降低了接触角和有机基团红外强度。得到了最佳的PE-ALD薄膜制备工艺条件,实现了对有机发光二极管器件的有效封装。 展开更多
关键词 等离子增强原子层沉积(PE-ALD) AL2O3薄膜 沉积功率 退火工艺 有机发光二极管(OLED)
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NaYSiO_(4)∶Ce^(3+)蓝色荧光粉的发光性质及其在白光发光二极管上的应用 被引量:4
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作者 陈蕾 杨星宇 +2 位作者 张瀚月 宋芳 冷稚华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期745-752,共8页
采用高温固相法合成了NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)(0.01≤x≤0.05)系列蓝色荧光粉。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉在250~360 nm之间的宽带吸收能与紫外LED芯片很好地匹配。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉中存在多个Ce^(3+)离子荧光中心,且在紫外光... 采用高温固相法合成了NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)(0.01≤x≤0.05)系列蓝色荧光粉。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉在250~360 nm之间的宽带吸收能与紫外LED芯片很好地匹配。NaYSiO_(4)∶xCe^(3+)荧光粉中存在多个Ce^(3+)离子荧光中心,且在紫外光激发下表现出峰值波长位于414 nm附近的宽带蓝光发射。NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)荧光粉在300~350 nm紫外光激发下量子效率在25%以上。NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)荧光粉表现出优良的化学稳定性,在水中浸泡14 d后荧光强度和量子效率几乎不变。将NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)蓝色荧光粉、商用(Sr,Ba)_2SiO_(4)∶Eu^(2+)绿色荧光粉和商用(Ca,Sr)AlSiN_(3)∶Eu^(2+)红色荧光粉涂覆于310 nm紫外LED芯片上制备得到了显色指数高达95的LED器件。当驱动电流从50 mA逐渐增大到300 mA时,制备的LED器件表现出稳定的暖白光发射,其色坐标几乎不变。上述结果说明,本研究报道的NaYSiO_(4)∶0.02Ce^(3+)蓝色荧光粉在紫外LED芯片驱动的白光发光二极管照明上有着潜在应用价值。 展开更多
关键词 NaYSiO_(4):Ce^(3+) 高温固相 蓝色荧光粉 白光发光二极管 高显色指数
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考虑HPSA的IRS辅助室内VLC系统光源优化
13
作者 何慧萌 杨婷 +4 位作者 施会丽 王平 邴喆 王星 白勃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期46-55,共10页
针对可见光通信(VLC)系统中接收平面光功率分布不均匀的问题,提出了一种基于混合粒子群算法(HPSA)的智能反射面(IRS)辅助室内VLC系统光源优化设计方案。以16个发光二极管(LED)的矩形和混合型布局为例,设置接收光功率方差为适应度函数,... 针对可见光通信(VLC)系统中接收平面光功率分布不均匀的问题,提出了一种基于混合粒子群算法(HPSA)的智能反射面(IRS)辅助室内VLC系统光源优化设计方案。以16个发光二极管(LED)的矩形和混合型布局为例,设置接收光功率方差为适应度函数,将所提出的HPSA与IRS技术相结合,对LED的位置布局、半功率角以及IRS的偏航角与滚转角进行优化。仿真对比了初始的(未经优化)、基于HPSA优化的室内VLC系统,以及基于HPSA优化的IRS辅助VLC系统的性能。结果表明,在考虑一次反射链路的情况下,与初始的VLC系统相比,采用HPSA优化的系统在两种光源布局下的接收光功率以及信噪比波动都明显降低;基于HPSA优化的IRS辅助室内VLC系统在矩形布局下对接收光功率波动的改善与基于HPSA优化的VLC系统效果相当,其在混合型布局下明显低于仅采用HPSA优化的VLC系统的光功率波动。3种可见光通信系统中,基于HPSA优化的IRS辅助VLC系统的平均接收光功率最大。此外,上述3种VLC系统采用混合型布局的平均均方时延拓展性能均优于矩形布局。研究工作对室内可见光通信系统光源分布研究具有一定参考价值。 展开更多
关键词 可见光通信系统 发光二极管 光源优化 混合粒子群算法 智能反射面 接收光功率 信噪比
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红光钙钛矿发光二极管研究进展 被引量:1
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作者 邓艳红 朱莹 +5 位作者 陈默 戴志新 王金江 包焱 李丹丹 刘昱 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1683-1698,共16页
红光钙钛矿发光二极管(PeLEDs)以其卓越的节能降耗特性而备受关注,其可促进植物生长、细胞再生与代谢过程,并在显示技术、照明系统、农业栽培及医疗领域均展现出广泛的应用前景。本文旨在综述用于红光PeLEDs的材料本质特征,剖析当前面... 红光钙钛矿发光二极管(PeLEDs)以其卓越的节能降耗特性而备受关注,其可促进植物生长、细胞再生与代谢过程,并在显示技术、照明系统、农业栽培及医疗领域均展现出广泛的应用前景。本文旨在综述用于红光PeLEDs的材料本质特征,剖析当前面临的技术瓶颈,并探讨一系列创新性的解决方案。特别聚焦于采用共间隔阳离子调控策略、精细分子工程策略、高效钝化技术、原位无机配体引入策略、迁移活化能增强方法、亚稳相结晶优化途径,以及添加剂诱导的晶体重构策略等,以实现高效红光发射的PeLEDs。此外,本文深入阐述了发展低毒性、低环境负担的无铅PeLEDs的迫切需求及其面临的挑战,通过抑制Sn2+离子的氧化倾向、探索新型替代元素以取代铅元素,以及开发无铅双钙钛矿材料等途径,力图提升无铅红光PeLEDs的性能。文章还展示了红光PeLEDs在促进室内植物健康生长及推动柔性显示技术革新等具体领域的实际应用案例。最后,展望了红光PeLEDs领域未来可能遭遇的挑战与潜在的发展方向,为相关领域的科研人员与从业者提供了宝贵的参考与启示。 展开更多
关键词 红光钙钛矿发光二极管(PeLEDs) 高效策略 低毒性方法
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基于无源均流的谐振式无桥型Boost LED驱动电源
15
作者 史旭 刘雪山 +1 位作者 周群 王春涛 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第2期369-377,共9页
传统Boost功率因数校正变换器的输出电压必须大于输入电压,在一定程度上限制了其在LED驱动电源中的应用。同时,传统LED驱动电源因输入端整流桥的存在而限制了自身效率的进一步提升。基于谐振式Boost功率因数校正变换器拓扑提出了一种无... 传统Boost功率因数校正变换器的输出电压必须大于输入电压,在一定程度上限制了其在LED驱动电源中的应用。同时,传统LED驱动电源因输入端整流桥的存在而限制了自身效率的进一步提升。基于谐振式Boost功率因数校正变换器拓扑提出了一种无源均流型无桥Boost LED驱动电源,通过引入谐振式电容均流网络,实现了多路均流输出;通过整流桥的去除,进一步提升了系统的效率。最后,搭建了一台效率可达93.64%的140 W实验样机,验证了理论分析的正确性与可行性。 展开更多
关键词 无桥变换器 LED驱动电源 功率因数校正 无源均流
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一种新型两开关无电解电容LED驱动电路
16
作者 张经纬 林国庆 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期260-269,共10页
LED驱动电源通常需要大电解电容来减少低频电流纹波,电解电容的短寿命是制约LED驱动电源寿命的重要因素,消除电解电容是LED驱动电源长寿命的关键。为此,提出了一种基于反激变换器的两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,将辅助功率平衡电路... LED驱动电源通常需要大电解电容来减少低频电流纹波,电解电容的短寿命是制约LED驱动电源寿命的重要因素,消除电解电容是LED驱动电源长寿命的关键。为此,提出了一种基于反激变换器的两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,将辅助功率平衡电路与反激变换器集成,通过2个开关管实现瞬时输入功率与输出功率的平衡,消除电解电容,抑制输出电流低频纹波,实现高功率因数。详细分析了该拓扑的工作原理,并提出了一种适用于该电路拓扑的控制策略。最后搭建了1台30 W的原理样机,实验结果验证了该拓扑的可行性。 展开更多
关键词 LED驱动电路 无电解电容 功率因数校正 低频纹波抑制
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大功率半导体激光器研究进展 被引量:135
17
作者 王立军 宁永强 +2 位作者 秦莉 佟存柱 陈泳屹 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1-19,共19页
对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述,并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。
关键词 大功率 半导体激光器 边发射激光器 垂直腔面发射激光器 芯片
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温度对大功率LED照明系统光电参数的影响 被引量:43
18
作者 田传军 张希艳 +1 位作者 邹军 王妍彦 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期96-100,共5页
利用板上芯片封装chip-on-board(COB)技术封装大功率LED,比较分析其在不同散热器上的温度变化规律。研究了不同的热平衡温度对大功率LED光通量、电学参数的影响。在实验过程中,光通量、驱动电压、功率和发光效率都呈现出下降的趋势,并... 利用板上芯片封装chip-on-board(COB)技术封装大功率LED,比较分析其在不同散热器上的温度变化规律。研究了不同的热平衡温度对大功率LED光通量、电学参数的影响。在实验过程中,光通量、驱动电压、功率和发光效率都呈现出下降的趋势,并且最终稳定在其热平衡值。研究还发现:对于大功率LED照明系统,光通量、驱动电压、发光效率与散热器温度具有线性关系。在电源接通时,随着散热器温度的升高,LED的反向饱和电流迅速升高。通过线性拟合,得到大功率LED照明系统的光通量温度系数、驱动电压温度系数和光效温度系数。 展开更多
关键词 温度 大功率LED 光通量 驱动电压 发光效率
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一种高折光率发光二极管封装硅树脂的研制 被引量:23
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作者 杨雄发 杨琳琳 +6 位作者 曹诚 朱小飚 华西林 郑群亮 宋光鑫 吴连斌 来国桥 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1078-1083,共6页
将甲基苯基二氯硅烷(MePhSiCl2)与二甲基二氯硅烷(Me2SiCl2)、甲基乙烯基二氯硅烷(MeViSiCl2)和苯基三氯硅烷(PhSiCl3)等共水解后,在KOH催化下共缩聚,以三甲基氯硅烷(Me3SiCl)为封端剂,制备了含有甲基苯基硅氧链节的甲基苯基乙烯基硅树... 将甲基苯基二氯硅烷(MePhSiCl2)与二甲基二氯硅烷(Me2SiCl2)、甲基乙烯基二氯硅烷(MeViSiCl2)和苯基三氯硅烷(PhSiCl3)等共水解后,在KOH催化下共缩聚,以三甲基氯硅烷(Me3SiCl)为封端剂,制备了含有甲基苯基硅氧链节的甲基苯基乙烯基硅树脂,并利用FTIR、1H NMR和热重分析(TGA)对产物进行了表征.将所得甲基苯基乙烯基硅树脂与甲基苯基含氢硅油按一定配比,在铂络合物催化下硫化成型,制成发光二极管(LED)封装A/B胶,用于LED封装.所得LED封装硅树脂固化后在可见光范围内具有非常高的透光率.对LED的封装结构进行优化,获得的LED具有高光效、高光通量、窄显色指数和高色温一致性等优点,可满足功率型LED封装要求. 展开更多
关键词 发光二极管 封装 甲基苯基乙烯基硅树脂 高折光率
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无电解电容无频闪的LED驱动电源 被引量:44
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作者 王舒 阮新波 +1 位作者 姚凯 叶志红 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期173-178,共6页
新型光源要符合以下四个条件:高效、节能、无污染及模拟自然光,发光二极管(LED)就具有这样的优点。采用脉动电流驱动大功率LED可以去除驱动电源中的电解电容,大大提高驱动电源的寿命。但是LED中存在两倍工频的频闪。本文在此基础上,提... 新型光源要符合以下四个条件:高效、节能、无污染及模拟自然光,发光二极管(LED)就具有这样的优点。采用脉动电流驱动大功率LED可以去除驱动电源中的电解电容,大大提高驱动电源的寿命。但是LED中存在两倍工频的频闪。本文在此基础上,提出一种无电解电容、无频闪的新型LED驱动电源,既去除了电解电容,提高了LED驱动电源的使用寿命,又解决了脉动电流驱动带来的LED频闪的问题。 展开更多
关键词 发光二极管 功率因数校正 频闪 驱动电路
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