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六角GaM(M=S/Se/Te)的电子结构和力学性质的第一性原理计算
1
作者
路羽茜
张鑫
李世娜
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期5134-5140,共7页
依据密度泛函理论(DFT)对层状六角P63/mmc结构的GaM(M=S/Se/Te)进行电子结构与弹性力学特性的模拟研究。优化后的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的晶格,与实验结果相吻合。采用HSE06泛函得到的带隙值比PBE得到的与实验值更接近。应变能-应变(E...
依据密度泛函理论(DFT)对层状六角P63/mmc结构的GaM(M=S/Se/Te)进行电子结构与弹性力学特性的模拟研究。优化后的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的晶格,与实验结果相吻合。采用HSE06泛函得到的带隙值比PBE得到的与实验值更接近。应变能-应变(E-S)和应力-应变(S-S)两种方法得到的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的单晶弹性常数都符合弹性力学稳定性准则。在更接近文献值的应力-应变(S-S)法基础上,对3种材料的多晶弹性模量等力学特性进行了后续分析。泊松比和B/G值表明,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)显现出脆性。各向异性因子、杨氏模量E、剪切模量G及线性压缩系数β的三维立体图分别展示了材料的弹性各向异性程度。在零温零压下,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)在[100]方向上的第一横向声速最大,在[001]方向上两个横波TA1和TA2的速度最慢。
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关键词
密度泛函理论
六角
p
63
/mmc-gam
(
m=
s
/se
/te
)
电子结构
力学性质
各向异性
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职称材料
题名
六角GaM(M=S/Se/Te)的电子结构和力学性质的第一性原理计算
1
作者
路羽茜
张鑫
李世娜
机构
山西大学理论物理研究所
山西大学量子光学与光量子器件国家重点实验室
承德应用职业技术学院
出处
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期5134-5140,共7页
基金
山西省科技厅基础研究计划项目(202203021211310)。
文摘
依据密度泛函理论(DFT)对层状六角P63/mmc结构的GaM(M=S/Se/Te)进行电子结构与弹性力学特性的模拟研究。优化后的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的晶格,与实验结果相吻合。采用HSE06泛函得到的带隙值比PBE得到的与实验值更接近。应变能-应变(E-S)和应力-应变(S-S)两种方法得到的P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)的单晶弹性常数都符合弹性力学稳定性准则。在更接近文献值的应力-应变(S-S)法基础上,对3种材料的多晶弹性模量等力学特性进行了后续分析。泊松比和B/G值表明,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)显现出脆性。各向异性因子、杨氏模量E、剪切模量G及线性压缩系数β的三维立体图分别展示了材料的弹性各向异性程度。在零温零压下,P63/mmc-GaM(M=S/Se/Te)在[100]方向上的第一横向声速最大,在[001]方向上两个横波TA1和TA2的速度最慢。
关键词
密度泛函理论
六角
p
63
/mmc-gam
(
m=
s
/se
/te
)
电子结构
力学性质
各向异性
Keywords
den
s
ity function theory
hexagonal
p
63
/mmc-gam
(
m=
s
/se
/te
)
electronic
s
tructure
m
echanical
p
ro
p
ertie
s
ani
s
otro
p
y
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
六角GaM(M=S/Se/Te)的电子结构和力学性质的第一性原理计算
路羽茜
张鑫
李世娜
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024
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