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题名基于非接触探头的TSV裂纹故障建模与分析
被引量：3
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作者
尚玉玲
尹宝山
谈敏
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机构
桂林电子科技大学电子工程与自动化学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期233-238,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61661013,51465013)
桂林电子科技大学研究生创新项目(2017YJCX89)
广西自动化测试和仪表重点实验室项目(YQ15109)
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文摘
传统的探针测试会对晶圆产生较大的接触应力,从而给晶圆带来物理性损伤。提出一种基于串扰耦合理论的非接触探头结构,来实现对硅通孔（TSV）裂纹故障的非接触测试。首先在HFSS三维电磁仿真软件中建立非接触探头结构,通过仿真分析可知,探头与TSV之间形成较强的电场,可以实现对TSV裂纹故障非接触测试的目的。然后建立非接触探头与TSV GS结构的等效电路,并通过相关的解析方程提取其元件参数。通过分析TSV裂纹故障的生长规律,对TSV裂纹故障建立等效电路,并建立基于物理参数的故障解析方程及提取RC元件参数。在ADS软件中进行等效电路仿真,通过观察输出电压峰值的变化,可以得出TSV裂纹故障的大小。实验结果表明,该方法可以实现对TSV裂纹故障大小的测试。
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关键词
硅通孔(TSV)
裂纹故障
等效电路
非接触
地-信号(gs)结构模型
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Keywords
through silicon via（TSV）
crack fault
equivalent circuit
contactless
ground-signal（gs） structure model
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分类号
TN302
[电子电信—物理电子学]
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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