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某通用型导弹检测设备热设计分析 被引量:1
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作者 夏学军 吴斌 《弹箭与制导学报》 CSCD 北大核心 2007年第3期216-218,共3页
介绍了通用型导弹检测设备热设计的基本特点、常用方法。对通用检测设备热设计的相关设计参数、技术指标等进行了简要的分析。针对某多功能仿真台存在的散热问题进行了深入的研究,对控制系统单元重新进行了热设计,较好地解决了控制系统... 介绍了通用型导弹检测设备热设计的基本特点、常用方法。对通用检测设备热设计的相关设计参数、技术指标等进行了简要的分析。针对某多功能仿真台存在的散热问题进行了深入的研究,对控制系统单元重新进行了热设计,较好地解决了控制系统在高温、连续工作情况下的散热问题。 展开更多
关键词 通用检测设备 热设计 可靠性
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三维功率MOSFET器件的热可靠性设计
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作者 林洁馨 杨发顺 +2 位作者 马奎 丁召 傅兴华 《现代电子技术》 北大核心 2019年第12期81-85,共5页
基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极... 基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100V,60A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 热可靠性设计 MOSFET 三维集成技术 功率器件 硅通孔布局 散热 热阻降低
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