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脉冲激光溅射沉积WO_3气敏膜被引量：3: 1; 作者赵岩冯钟潮 +1 位作者张炳春梁勇《传感技术学报》 CAS CSCD 1998年第4期78-82,共5页; 本文研究了脉冲激光溅射镀膜技术沉积WO_3基片在室温下,沉积的WO_3膜部分晶化并部分还原.经热处理,在450℃左右膜层开始晶化,最后形成三斜晶系的WO_3晶化后颗粒在几十到几百纳米之间.本技术沉积的WO_3膜对NO_2气体有非常好的气敏性能,... 展开更多; 关键词气体传感器薄膜制备三氧化钨膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究被引量：3: 2; 作者门洪邹绍芳 +3 位作者王平 Andrey Legin 沈静琴许祝安《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期600-604,共5页; 基于脉冲激光沉积(PLD)技术在光寻址电位传感器(LAPS)表面上制备了Fe-Ge-Sb-Se硫系玻璃薄膜,合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8,在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au,硫系玻璃薄膜对Fe3+敏感,显示了良好的重复性和稳定性.在1×1... 展开更多; 关键词薄膜化学传感器光寻址电位传感器脉冲激光沉积硫系玻璃 Fe^3+敏感; 在线阅读下载PDF 职称材料

铜离子选择电流型薄膜传感器被引量：2: 3; 作者门洪靳继勇 +2 位作者王伟广穆胜伟王平《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期23-26,共4页; 以铜离子选择电极为靶材,采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器。该传感器的线性区间为10^-4~10^-6mol/L,标准曲线的斜率为71nA/decade,检出限为3.0×10^-7mol/L,适宜pH范围4~6,响应时间不超... 展开更多; 关键词微传感器薄膜传感器硅片脉冲激光沉积铜离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于脉冲激光沉积的新型镉离子薄膜传感器: 4; 作者胡卫军李毅 +2 位作者邹绍芳王平 Andrey Legin 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期286-289,320,共5页; 采用用于镉离子选择电极的硫属玻璃（Cd-Ag-As-I-S）制备敏感材料,结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积对镉离子敏感的薄膜材料,研制了一种新型镉离子敏感薄膜传感器.该传感器基底为N型单晶硅片... 展开更多; 关键词镉离子敏感薄膜传感器光寻址电位传感器硫属玻璃脉冲激光沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲激光溅射沉积WO_3气敏膜被引量：3: 1; 作者赵岩冯钟潮张炳春梁勇; 机构中国科学院金属研究所; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 1998年第4期78-82,共5页; 文摘本文研究了脉冲激光溅射镀膜技术沉积WO_3基片在室温下,沉积的WO_3膜部分晶化并部分还原.经热处理,在450℃左右膜层开始晶化,最后形成三斜晶系的WO_3晶化后颗粒在几十到几百纳米之间.本技术沉积的WO_3膜对NO_2气体有非常好的气敏性能,可检测0.1×10^(-6)量级的NO_2气体.WO_3膜的灵敏度随温度降低而增大,但同时响应时间和恢复时间增长.同其它制备技术相比,本技术沉积的WO_3膜显著提高了响应性能:响应时间和恢复时间,它们分别为30_s和70_s.; 关键词气体传感器薄膜制备三氧化钨膜; Keywords gas sensor pulsed laser deposition wo, film; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究被引量：3: 2; 作者门洪邹绍芳王平 Andrey Legin 沈静琴许祝安; 机构浙江大学生物医学工程与仪器科学学院生物传感器国家专业实验室 Chemistry Department St.Petersburg University 浙江大学物理系; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期600-604,共5页; 基金国家"863"高技术研究发展计划资助项目(2001AA635060).; 文摘基于脉冲激光沉积(PLD)技术在光寻址电位传感器(LAPS)表面上制备了Fe-Ge-Sb-Se硫系玻璃薄膜,合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8,在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au,硫系玻璃薄膜对Fe3+敏感,显示了良好的重复性和稳定性.在1×10-5～1×10-2mol/L呈现线性,斜率为(56±2)mV/decade,检测下限为5×10mol/L,当浓度高于1×10-4mol/L时,响应时间不超过40 s;当低于此浓度时,响应时间不超过2 min.; 关键词薄膜化学传感器光寻址电位传感器脉冲激光沉积硫系玻璃 Fe^3+敏感; Keywords Glass Potentiometric sensors pulsed laser deposition Thin films; 分类号 O657.15 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铜离子选择电流型薄膜传感器被引量：2: 3; 作者门洪靳继勇王伟广穆胜伟王平; 机构东北电力大学自动化工程学院浙江大学生物传感器国家专业实验室; 出处《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期23-26,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划973资助(2007CB206904) 国家自然科学基金资助(60604023) +1 种基金吉林省教育厅科技计划项目资助(吉教科合字[2006]第自17号); 文摘以铜离子选择电极为靶材,采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器。该传感器的线性区间为10^-4~10^-6mol/L,标准曲线的斜率为71nA/decade,检出限为3.0×10^-7mol/L,适宜pH范围4~6,响应时间不超过2min,在12周内该薄膜传感器显示了良好的稳定性和重复性。该薄膜传感器采用交流红外调制光源激发,以外电路中电流幅值变化量为铜离子浓度测量依据,基于电流量来表征薄膜传感器线性区斜率,该薄膜传感器的检出限比对应的铜离子选择电压型电极低,灵敏度提高了2.45倍。; 关键词微传感器薄膜传感器硅片脉冲激光沉积铜离子; Keywords microsensor thin film sensor silicon pulsed laser deposition copper ion; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于脉冲激光沉积的新型镉离子薄膜传感器: 4; 作者胡卫军李毅邹绍芳王平 Andrey Legin; 机构浙江大学生物传感器国家专业实验室圣彼得堡大学化学系; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期286-289,320,共5页; 基金国家“863”高技术研究发展计划资助项目(2001AA635060) 浙江省国际合作重点资助项目(2004C24002); 文摘采用用于镉离子选择电极的硫属玻璃（Cd-Ag-As-I-S）制备敏感材料,结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积对镉离子敏感的薄膜材料,研制了一种新型镉离子敏感薄膜传感器.该传感器基底为N型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au.通过实验得出该传感器的检出下限为1.15×10^-7mol/L,响应时间小于2 min,适用溶液pH范围为4-7,具有测量快速灵活、所需样品少、测量下限低等特点.该传感器对干扰离子具有较好的抑制能力.该传感器采用交流光激发电流信号进行测量,相对于离子选择电极,灵敏度得到了提高.实验结果表明脉冲激光沉积方法是制备薄膜微型传感器的一种新的有效手段.; 关键词镉离子敏感薄膜传感器光寻址电位传感器硫属玻璃脉冲激光沉积; Keywords cadmium ion sensitive thin film sensor light-addressable potentiometric sensor （LAPS） chalcogenide glasses pulse laser deposition （PLD）; 分类号 O657.15 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	脉冲激光溅射沉积WO_3气敏膜	赵岩冯钟潮张炳春梁勇	《传感技术学报》 CAS CSCD	1998	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究	门洪邹绍芳王平 Andrey Legin 沈静琴许祝安	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	铜离子选择电流型薄膜传感器	门洪靳继勇王伟广穆胜伟王平	《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于脉冲激光沉积的新型镉离子薄膜传感器	胡卫军李毅邹绍芳王平 Andrey Legin	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料