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题名新型亚纳秒高功率半导体开关器件
被引量：2
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作者
刘忠山
杨勇
马红梅
刘英坤
崔占东
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期557-559,共3页
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文摘
介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小。单个FID器件工作电压>2kV,导通时间<1ns,工作电流高达10kA,抖动<20ps,di/dt超过100kA/μs,重复频率400kHz。具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景。
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关键词
快速离化器件
等离子体波
快速离化
漂移阶跃恢复器
亚纳秒
无感裸芯片封装
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Keywords
fid
plasma wave
fast ionization
drift step recovery devices （DSRD）
subnanosecond
non-inductive bare-chip packaging
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分类号
TM56
[电气工程—电器]
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题名半导体脉冲功率开关器件综述
被引量：8
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作者
梁琳
颜小雪
黄鑫远
卿正恒
杨泽伟
尚海
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机构
强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院)
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第23期8631-8651,共21页
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基金
国家自然科学基金项目(51877092,51377069)
装备预研重点实验室基金(6142605180104)。
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文摘
该文对应用于脉冲功率领域的特种半导体开关器件进行综述,具体包括反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diode,DSRD)和快速离化晶体管(fast ionization dynistor,FID)。上述半导体开关器件从时间尺度上分别对应微秒级、纳秒级和皮秒级,研制材料包括硅基(Si)和碳化硅基(SiC)。该文介绍相关器件的工作机理、关键技术和应用情况,以及部分研究进展,并对未来的发展趋势进行展望。
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关键词
半导体开关
脉冲功率
反向开关晶体管
漂移阶跃恢复二极管
快速离化晶体管
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Keywords
semiconductor switch
pulsed power
reversely switched dynistor(RSD)
drift step recovery diode(DSRD)
fast ionization dynistor(fid)
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分类号
TM564
[电气工程—电器]
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