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Dislocation and Wet Etching of Lu_(2)O_(3)
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作者 LI Guoxin WANG Pei +3 位作者 MU Wenxiang ZHAO Lili WANG Shanpeng YIN Yanru 《发光学报》 北大核心 2025年第6期1095-1108,共14页
Lutetium oxide(Lu_(2)O_(3))is recognized as a potential laser crystal material,and it is noted for its high ther⁃mal conductivity,low phonon energy,and strong crystal field.Nevertheless,its high melting point of 2450... Lutetium oxide(Lu_(2)O_(3))is recognized as a potential laser crystal material,and it is noted for its high ther⁃mal conductivity,low phonon energy,and strong crystal field.Nevertheless,its high melting point of 2450℃induces significant temperature gradients,resulting in a proliferation of defects.The scarcity of comprehensive research on this crystal’s defects hinders the enhancement of crystal quality.In this study,we employed the chemical etching method to examine the etching effects on Lu_(2)O_(3)crystals under various conditions and to identify the optimal conditions for investi⁃gating the dislocation defects of Lu_(2)O_(3)crystals(mass fraction 70%H3PO4,160℃,15-18 min).The morphologies of dislocation etch pits on the(111)-and(110)-oriented Lu_(2)O_(3)wafers were characterized using microscopy,scanning electron microscopy and atomic force microscopy.This research addresses the gap in understanding Lu_(2)O_(3)line defects and offers guidance for optimizing the crystal growth process and improving crystal quality. 展开更多
关键词 Lu_(2)O_(3) etch pit dislocations crystal defects
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6英寸低缺陷掺硫磷化铟晶体制备与性质研究
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作者 李晓岚 高渊 +4 位作者 闫小兵 徐成彦 史艳磊 王书杰 孙聂枫 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期684-690,共7页
低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾... 低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾切片进行电学性能、位错密度及应力测试,得到载流子浓度与掺杂量、迁移率及位错(腐蚀坑)密度之间的关系,以及掺硫磷化铟晶体易开裂的原因。优化了适合生长6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的半封闭可调热场系统,通过增加热屏罩,提高了炉体上部空间的气氛温度,降低了晶体内部的温度梯度,从而有效降低了晶体内的残余应力。确定了InP中In2S3的掺杂质量分数最大限度(≤300×10^(-6)),得到了低位错密度(<3000 cm^(-2))的磷化铟晶体,并有效地降低了晶体开裂的概率,实现了6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的重复生长。 展开更多
关键词 掺硫磷化铟 晶体生长 杂质效应 位错(腐蚀坑)密度 晶体开裂
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氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究 被引量:2
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作者 夏政辉 李腾坤 +6 位作者 任国强 解凯贺 卢文浩 李韶哲 郑树楠 高晓冬 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期480-486,共7页
氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用... 氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜和湿法腐蚀研究了氨热法氮化镓单晶籽晶区至侧向生长区的位错演变。研究结果表明,侧向生长区的氮化镓单晶位错密度明显低于籽晶区,侧向生长超过25μm后,位错密度降低2个数量级。 展开更多
关键词 氮化镓单晶 氨热法 侧向生长 位错密度 腐蚀坑
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同轴兆声辅助射流电解加工工艺研究 被引量:1
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作者 翟科 李腾楠 +2 位作者 马仕豪 梁勇康 杜立群 《电加工与模具》 北大核心 2024年第1期42-45,64,共5页
针对电解加工的杂散问题,提出了同轴兆声辅助射流电解加工方法,利用该方法对304不锈钢的电解加工过程进行理论分析与实验研究。分析结果表明,兆声辅助不仅能增强电解液流速,使阳极被加工区域的电解液不断更新,还能促进反应气体排出,从... 针对电解加工的杂散问题,提出了同轴兆声辅助射流电解加工方法,利用该方法对304不锈钢的电解加工过程进行理论分析与实验研究。分析结果表明,兆声辅助不仅能增强电解液流速,使阳极被加工区域的电解液不断更新,还能促进反应气体排出,从而提高电解加工精度与加工效率。研究结果表明,固定电解液流量0.9 L/min、电解电压50 V时,22 W兆声功率下的电解圆形凹坑的深径比为0.173,相比无兆声下提高12.34%,同时也进一步提升了沟槽刻蚀深宽比,验证了兆声辅助射流电解的有效性。 展开更多
关键词 射流电解加工 兆声辅助 深径比 凹坑刻蚀 沟槽刻蚀
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刻蚀法制备高透过率防眩高铝玻璃 被引量:1
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作者 王其琛 郝霞 +5 位作者 赵竞一 王闻之 段佳岐 赵会峰 李军葛 姜宏 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期184-192,共9页
目的采用刻蚀法制备了具有高透过率的高铝玻璃,分析刻蚀时间对玻璃表面形貌和性能的影响。方法将经过HF(2.3 mol/L)溶液酸洗10 min后的玻璃样品清洗烘干,然后放入H_(2)SO_(4)(0.1 mol/L)、HCl(0.4mol/L)、Na_(2)SiF_(6)(0.02mol/L)的混... 目的采用刻蚀法制备了具有高透过率的高铝玻璃,分析刻蚀时间对玻璃表面形貌和性能的影响。方法将经过HF(2.3 mol/L)溶液酸洗10 min后的玻璃样品清洗烘干,然后放入H_(2)SO_(4)(0.1 mol/L)、HCl(0.4mol/L)、Na_(2)SiF_(6)(0.02mol/L)的混合溶液中进行不同时间的表面刻蚀处理,形成了超表面凹坑结构,这种结构使部分光线经过有限次数的反射和折射后成为透射光的一部分,这种凹坑结构也相当于在空气和玻璃之间增加了一个具有梯度折射率的介质层,从而减少反射率、增加透过率。通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线能谱仪(EDS)、紫外可见近红外分光光度计等仪器,对刻蚀前后玻璃的表面进行分析研究。结果随着刻蚀时间的延长,蚀坑的直径逐渐增大,同时致密度也在逐渐增加直至相互融合,而坑深先增大后减小。可见光波长范围内的平均透过率先增加后降低,反射率先降低后增加,且透过率均大于玻璃原片,反射率均小于玻璃原片。刻蚀前后玻璃成分基本不变,铅笔硬度达到9H。结论刻蚀后,在玻璃表面形成超表面凹坑结构,当刻蚀时间为20 min时,蚀坑直径达到2.5~5.0μm,深度达到927.2 nm左右,平均透过率达到95.95%,平均反射率达到4.01%。 展开更多
关键词 化学刻蚀 透过率 高铝玻璃 超表面凹坑结构 玻璃表面
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20SiMn钢冲蚀和空蚀的失效行为研究 被引量:12
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作者 王再友 陈黄浦 +1 位作者 徐英鸽 朱金华 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期744-747,共4页
用CMS 12 0旋臂式真空冲蚀试验机和KS 6 0振动空蚀磁致伸缩仪对 2 0SiMn钢 90°攻角冲蚀和空蚀进行了试验研究 .结果表明 :2 0SiMn钢冲蚀分为孕育期、增重期和稳定期 3个阶段 ;空蚀由孕育期、急剧上升期、衰减期和稳定期 4个阶段组... 用CMS 12 0旋臂式真空冲蚀试验机和KS 6 0振动空蚀磁致伸缩仪对 2 0SiMn钢 90°攻角冲蚀和空蚀进行了试验研究 .结果表明 :2 0SiMn钢冲蚀分为孕育期、增重期和稳定期 3个阶段 ;空蚀由孕育期、急剧上升期、衰减期和稳定期 4个阶段组成 ;冲蚀、空蚀裂纹主要沿晶界萌生和扩展 ,失效机制是因局部微区机械力作用造成沿晶断裂和晶内蚀坑 ;晶粒脱落是空蚀的重要失效方式之一 . 展开更多
关键词 20SiMn钢 失效行为 冲蚀 空蚀 失效机制 沿晶断裂 晶内蚀坑 晶粒脱落
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碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察 被引量:7
7
作者 高德友 赵北君 +5 位作者 朱世富 王瑞林 魏昭荣 李含冬 韦永林 唐世红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期180-183,共4页
本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为... 本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103~105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。 展开更多
关键词 碲锌镉 单晶体 SEM形貌 腐蚀坑 密度 布里奇曼法 半导体材料
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碲锌镉晶体常用腐蚀剂的坑形特性研究 被引量:5
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作者 刘从峰 方维政 +3 位作者 涂步华 孙士文 杨建荣 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期759-763,共5页
大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑... 大面积、高质量碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,而腐蚀法是常用的揭示碲锌镉晶体缺陷和评价晶体质量的方法之一。对碲锌镉晶体常用的Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种腐蚀剂在碲锌镉材料(111)晶面上的腐蚀坑坑形进行了研究,结果发现,EAg2腐蚀剂在(111)B面上的腐蚀坑为平底坑,Everson腐蚀剂在(111)B面上产生的腐蚀坑包括平底坑和带有不同倾斜方向坑底的三角锥形坑,进一步的研究还表明,三角锥形坑并未沿着坑底的倾斜方向向下延伸。实验中也首次观察到了EAg腐蚀剂的黑白平底坑。对常用腐蚀剂的坑形特性研究,将有助于更好地利用腐蚀剂开展碲锌镉材料缺陷研究和晶体质量评价工作。 展开更多
关键词 腐蚀坑 碲锌镉 碲镉汞红外焦平面 缺陷
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用含添加剂硫的粉末触媒合成金刚石 被引量:4
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作者 周林 马红安 +4 位作者 李彦涛 胡强 任国仲 臧传义 贾晓鹏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第1期22-24,共3页
本文分别用铁镍触媒、含添加剂硫的铁镍触媒在国产六面顶压机上合成了优质金刚石单晶,利用光学显微镜观察,发现所合成的金刚石多为六八面体,晶形完整;在大多数用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石的{100}面,有熔坑出现,而用铁镍触媒合... 本文分别用铁镍触媒、含添加剂硫的铁镍触媒在国产六面顶压机上合成了优质金刚石单晶,利用光学显微镜观察,发现所合成的金刚石多为六八面体,晶形完整;在大多数用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石的{100}面,有熔坑出现,而用铁镍触媒合成的金刚石没有这种现象;用电子显微镜对熔坑的形貌进行了细致的观察。另外,还发现用含添加剂硫的铁镍触媒合成的金刚石中的包裹体要明显少于用铁镍触媒合成的金刚石中的包裹体。 展开更多
关键词 铁镍触媒 熔坑 包裹体
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含硫金刚石的合成及杂质分析 被引量:3
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作者 周林 李颖 +4 位作者 马红安 李彦涛 臧传义 任国仲 贾晓鹏 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第4期14-16,19,共4页
本文分别用N i70Mn25Co5合金粉末和含添加剂硫的N i70Mn25Co5合金粉末作触媒合成了金刚石单晶,通过对比,发现添加剂硫的引入使得金刚石内的包裹体含量增加,使晶体表面出现熔坑;利用X射线荧光光谱对晶体的杂质成分、相对含量进行了分析,... 本文分别用N i70Mn25Co5合金粉末和含添加剂硫的N i70Mn25Co5合金粉末作触媒合成了金刚石单晶,通过对比,发现添加剂硫的引入使得金刚石内的包裹体含量增加,使晶体表面出现熔坑;利用X射线荧光光谱对晶体的杂质成分、相对含量进行了分析,发现杂质元素锰、硫的含量随着触媒中硫的添加量的增加呈增加趋势,由此推测在金刚石生长过程中生成了难熔的MnS,MnS以包裹体的形式进入金刚石中,在一定程度上破坏了金刚石的晶格排列,使得表面出现熔坑。 展开更多
关键词 金刚石 包裹体 熔坑 杂质
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r面白宝石单晶的温梯法生长及缺陷研究 被引量:4
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作者 彭观良 周国清 +6 位作者 庄漪 邹军 王银珍 李抒智 杨卫桥 周圣明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期653-656,共4页
本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,... 本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因。 展开更多
关键词 温梯法 r面白宝石 位错 化学腐蚀 腐蚀坑 缺陷
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VB法生长低位错GaAs单晶 被引量:4
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作者 王建利 孙强 +4 位作者 牛沈军 兰天平 李仕福 周传新 刘津 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期200-204,共5页
用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位... 用于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度(EPD)。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼(VB)法分别得到了2英寸和3英寸的GaAs单晶,单晶长度可达10cm,平均位错密度5000cm-2。通过改变加热器结构,改善轴向和径向的温度梯度,优化了生长时的固液界面,得到的单晶长度达20cm,平均位错密度为500cm-2,最大位错密度小于5000cm-2。 展开更多
关键词 位错密度 垂直布里奇曼法 GAAS晶体 温度梯度 热场
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电流对高纯铝箔交流电侵蚀的影响 被引量:3
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作者 阎康平 罗春晖 涂铭旌 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期582-585,共4页
研究了在HCl 溶液中50 Hz 交流电侵蚀下电流密度对电解电容器用高纯铝箔的腐蚀行为的影响。结果表明, 侵蚀初期的真实电流密度决定铝箔蚀孔的尺寸和表面膜, 大电流在铝箔表面产生厚膜,阻碍交流电侵蚀的阴、阳极反应过程和蚀... 研究了在HCl 溶液中50 Hz 交流电侵蚀下电流密度对电解电容器用高纯铝箔的腐蚀行为的影响。结果表明, 侵蚀初期的真实电流密度决定铝箔蚀孔的尺寸和表面膜, 大电流在铝箔表面产生厚膜,阻碍交流电侵蚀的阴、阳极反应过程和蚀孔深入。随着电流密度减小, 试样的蚀孔孔径增大, 在< 0 .2A/cm 2 电流下的蚀孔比其它大电流下的蚀孔孔径大4 倍左右。先用< 0 .2 A/cm2 的小电流侵蚀, 再用0 .2 ~0 .5 A/cm2 大电流侵蚀组合, 铝箔电容量随电量的增加直线上升。用50 Hz 交流电可以使铝箔获得良好的起始发孔, 展开更多
关键词 铝箔 侵蚀 孔蚀 电流 交流电
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垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究 被引量:3
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作者 王立苗 赵北君 +3 位作者 朱世富 唐世红 何知宇 肖怀安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期44-47,共4页
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经... Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整。 展开更多
关键词 单晶生长 垂直布里奇曼法 蚀坑观察
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掺质YAG晶体中的缺陷 被引量:8
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作者 曾贵平 曹余惠 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期354-358,共5页
本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的YAG晶体样品进行的腐蚀,详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌,尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布,测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度。在观测中发现,有些掺钕... 本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的YAG晶体样品进行的腐蚀,详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌,尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布,测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度。在观测中发现,有些掺钕晶体样品上,位错腐蚀坑在中心区与边缘区的密集程度不同,有明显的分界。对此现象进行了探讨,认为出现在样品边缘区内的密集位错,除了来自于籽晶中以及来自于晶体从籽晶开始生长的起始处外,也由于熔体中出现在晶体周界处的自然对流与强迫对流边界层内的液流不稳,引起了生长界面边缘局部不稳而产生,环境气流起了相当的作用。 展开更多
关键词 位错 腐蚀坑 YAG晶体 晶体缺陷 化学腐蚀法
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人工合成金刚石表面三角锥缺陷的存在机理研究 被引量:2
16
作者 臧传义 陈奎 +2 位作者 谌伦建 陈孝洲 陈立学 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1417-1421,共5页
天然金刚石主要生长面为{111},在其表面经常会存在大量凹陷的金字塔状或者底面平整的三角锥蚀坑缺陷,这种缺陷很少出现在人工合成金刚石单晶的表面。本研究在高温高压5.4 GPa、1550 K的条件下,以FeNi合金作为触媒,FeS为添加剂,利用温度... 天然金刚石主要生长面为{111},在其表面经常会存在大量凹陷的金字塔状或者底面平整的三角锥蚀坑缺陷,这种缺陷很少出现在人工合成金刚石单晶的表面。本研究在高温高压5.4 GPa、1550 K的条件下,以FeNi合金作为触媒,FeS为添加剂,利用温度梯度法(TGM)直接合成金刚石单晶的{111}表面同样发现有大量凹陷的金字塔状或者底面平整的三角锥蚀坑缺陷。而在体系中加入微量单质B时,高温高压直接合成金刚石单晶的{111}表面不仅存在大量金字塔状的三角锥蚀坑,还出现了天然金刚石表面不曾发现的大量规则的三角凸起平台和凸起的金字塔状或者顶面平整的三角锥缺陷。由此推断,尽管天然金刚石{111}表面经常出现的三角锥缺陷可能是在自然环境中后期腐蚀出现的,而在FeNi-C-FeS体系高温高压直接合成的金刚石单晶{111}表面出现的三角锥缺陷却是在晶体生长过程中直接形成的,FeS在这种表面缺陷的形成过程中起着不可或缺的作用。 展开更多
关键词 高温高压 三角蚀坑 金刚石单晶 表面缺陷
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温梯法Al_2O_3晶体位错形貌分析 被引量:2
17
作者 周国清 徐军 +7 位作者 邓佩珍 徐科 周永宗 干福熹 朱人元 田玉莲 蒋建华 王洲光 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期249-252,共4页
用温度梯度法( Temperature Gradient Technique ,简称温梯法或 T G T 法) ,定向籽晶[0001] 方向,生长出110mm ×80m m Al2 O3 单晶,晶体完整、透明。采用硼酸钠... 用温度梯度法( Temperature Gradient Technique ,简称温梯法或 T G T 法) ,定向籽晶[0001] 方向,生长出110mm ×80m m Al2 O3 单晶,晶体完整、透明。采用硼酸钠玻璃液作为 Al2 O3 晶体的化学抛光和化学腐蚀剂,观察了晶体不同部位处(0001) 、(1120) 晶片的化学腐蚀形貌相,(0001) 切片的位错腐蚀坑呈三角形,位错密度为2 ×103 ~3 ×103/cm2 ;(1120) 切片位错腐蚀坑呈菱形,位错密度为7×103 ~8 ×103/cm2 ;而且等径生长部位的完整性比放肩处高。利用同步辐射 X 射线白光衍射实验分析了(0001) 晶片的(2021) ,(1101) 和(0221) 衍射面内的位错组态。确定了两组位错线的 Burgers矢量,温梯法生长的 Al2 O3 晶体中的位错主要是刃型位错。 展开更多
关键词 位错 腐蚀 温梯法 三氧化二铅晶体 形貌
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S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究 被引量:2
18
作者 赵丽伟 刘彩池 +8 位作者 滕晓云 朱军山 郝秋艳 孙世龙 王海云 徐岳生 胡家辉 冯玉春 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1079-1082,共4页
本文采用KOH:H2O=3:20~1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中... 本文采用KOH:H2O=3:20~1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 展开更多
关键词 GAN 湿法腐蚀 六角腐蚀坑 SEM
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Study on the Characteristics of the Gas Switch Electrode Erosion 被引量:11
19
作者 WANG Hu CHANG Jia-sen TONG Xin ZHANG Qiao-gen QIU Ai-ci 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期6-11,共6页
Gas spark switch is one of the key parts in pulsed power technology.Electrode erosion has great influence on the switch performance and lifetime.In this paper,a field distortion gas switch is selected for the experime... Gas spark switch is one of the key parts in pulsed power technology.Electrode erosion has great influence on the switch performance and lifetime.In this paper,a field distortion gas switch is selected for the experiment and a great deal of discharging experiments have been conducted in different test conditions.The forming process of etch pit as well as its influencing factors is discussed briefly and surface roughness coefficient(SRC) of the electrode is put forward to evaluate the state of electrode erosion.Experimental results show that current peak plays an important role in electrode erosion when waveforms of discharge current are the same,and electric charge and oscillation frequency of discharge current also have great effect on the electrode erosion when waveforms of discharge current are different.With the increase of discharge times,SRC decreases slowly at first and then decreases quickly after three thousand of discharge times. 展开更多
关键词 EROSION etch pit surface roughness coefficient gas switch
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Nd,Y∶SrF_(2)激光晶体的位错缺陷表征及分布研究 被引量:2
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作者 王迪 汤港 +5 位作者 张博 王墉哲 张中晗 姜大朋 寇华敏 苏良碧 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第7期1208-1218,共11页
氟化物激光晶体Nd,Y∶SrF_(2)(NYSF)具有热导率高、发射光谱宽、发射截面适中等特点,在高功率激光技术领域具有重要应用。激光晶体中的位错是反映其晶格完整性的一类重要的微观晶体缺陷,对晶体材料的力学、光学性能具有重要影响。本文... 氟化物激光晶体Nd,Y∶SrF_(2)(NYSF)具有热导率高、发射光谱宽、发射截面适中等特点,在高功率激光技术领域具有重要应用。激光晶体中的位错是反映其晶格完整性的一类重要的微观晶体缺陷,对晶体材料的力学、光学性能具有重要影响。本文采用坩埚下降法制备了NYSF激光晶体,分析了腐蚀实验条件对位错蚀坑形貌的影响,获得了化学腐蚀法研究NYSF晶体位错缺陷的最佳腐蚀工艺,即浓度为4 mol/L的盐酸溶液作为腐蚀液,腐蚀温度为60℃、腐蚀时间为9~12 min;表征了位错腐蚀坑形态的演变过程,探讨了晶格原子排列对位错蚀坑形态的影响;利用化学腐蚀方法表征了位错缺陷在晶体中的分布规律,即轴向分布为从放肩到尾部先减少后增加,径向分布为从中心到边缘逐步增加;分析了晶体生长条件对位错缺陷形成的影响,提出了位错密度随坩埚下降速率的提高而升高的可能原因。 展开更多
关键词 Nd Y∶SrF_(2) 激光晶体 氟化物晶体 坩埚下降法 位错 位错蚀坑形貌 晶体缺陷
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